清洁石墨的方法及其设备技术

一种清洁石墨的方法包含以下步骤：(A)预备样品，所述样品具有材质为石墨的母材层，及覆盖于所述母材层上的待清除层。(B)调整雷射光的制程参数，使所述雷射光的波长介于1000nm～1200nm间。(C)使所述雷射光照射于所述样品的所述待清除层，使所述待清除层吸收所述雷射光的能量而脱落于所述母材层。通过波长介于1000nm～1200nm的所述雷射光聚焦至所述样品的所述待清除层，使所述待清除层吸收所述雷射光的能量而脱落于所述母材层，且不破坏所述母材层，借此，可以大幅降低因使用喷砂、化学制程而产生的空气污染物质、废砂、废弃物、污泥，达到降低环境污染的功效。到降低环境污染的功效。到降低环境污染的功效。

【技术实现步骤摘要】
清洁石墨的方法及其设备


[0001]本专利技术涉及一种清洁方法，特别是涉及一种清洁石墨的方法及其设备。

技术介绍

[0002]现有的一种清洁石墨的方法为喷砂法，但由于喷砂法不仅会造成母材的表面粗糙度(Ra)大，且容易造成母材的损伤、耗损与母材上砂材的残留，易造成使用者在使用所述石墨时微尘过高,对半导体晶圆生产质量异常。
[0003]现有的另一种清洁石墨的方法为化学蚀刻法，通过化学药剂蚀刻并去除石墨上的杂质，接着再用除酸剂除去化学药剂，只是，由于石墨的孔隙多，化学药剂容易卡在孔隙中而不易去除，造成残酸的现象而减损石墨的使用寿命，甚至造成使用者在使用所述石墨时，酸根释出而造成半导体晶圆制程的交叉污染。
[0004]此外，无论以上何种制程，都会造成空气的污染或是废弃药剂、废砂材的产生。

技术实现思路

[0005]本专利技术的第一目的在于提供一种降低环境污染的清洁石墨方法。
[0006]本专利技术的清洁石墨的方法，包含以下步骤：
[0007](A)预备样品，所述样品具有材质为石墨的母材层，及覆盖于所述母材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种清洁石墨的方法，其特征在于：包含以下步骤：(A)预备样品，所述样品具有材质为石墨的母材层，及覆盖于所述母材层上的待清除层；(B)调整雷射光的制程参数，使所述雷射光的波长介于1000nm～1200nm间；及(C)使所述雷射光照射于所述样品的所述待清除层，使所述待清除层吸收所述雷射光的能量而脱落于所述母材层。2.根据权利要求1所述的清洁石墨的方法，其特征在于：于所述步骤(B)中，还调整所述雷射光的制程参数使所述聚焦焦距介于200mm～500mm。3.根据权利要求1所述的清洁石墨的方法，其特征在于：于所述步骤(B)中，还调整所述雷射光的制程参数使所述雷射光的扫描速度为2500mm/s～4500mm/s。4.根据权利要求1所述的清洁石墨的方法，其特征在于：于所述步骤(B)中，还调整所述雷射光的制程参数使所述雷射光的峰值功率介于0.5～5毫瓦。5.根据权利要求1所述的清洁石墨的方法，其特征在于：于所述步骤(B)中，还调整所述雷射光的制程参数使所述雷射光的脉冲时间介于1ns～5000ns。6.一种清洁石墨的雷射设备，适用于照射于样品，所述样品具有材质为石墨的母材层，及覆盖于所述母材层上的待清除层，并包含：机壳单元，界定出容室；其特征在于：所述清洁石墨的雷射设备...

【专利技术属性】
技术研发人员：林俊宏，
申请(专利权)人：福田科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：