一种DRAM结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种DRAM结构及其制备方法。一种DRAM结构包括：半导体衬底设有有源区，有源区包括至少一个晶体管和至少一个电容器，晶体管包括形成于衬底上的栅极及位于栅极两侧半导体衬底中的源区和漏区；电容器与晶体管的源区和漏区中的一个相连接；栅极的两侧设有呈多层的侧墙结构；侧墙结构的最外层为碳氧化硅层。其制备方法：在半导体衬底有源区的衬底上形成栅极；在栅极两侧形成呈多层的侧墙结构，侧墙结构的最外层为碳氧化硅层；在栅极两侧的半导体衬底中分别形成源区和漏区；在有源区形成电容器，电容器与源区和漏区之一相连接。本发明专利技术采用碳氧化硅材料制作侧墙，可以减缓或消除蚀刻引起的缺陷，从而提高器件质量。从而提高器件质量。从而提高器件质量。

【技术实现步骤摘要】
一种DRAM结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，特别涉及一种DRAM结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]DRAM栅极侧墙是指在栅极堆叠层侧墙沉积的氧化物层(通常为二氧化硅)，为形成所需的侧墙图形，在沉积侧墙氧化物形成如图1所示的形状后(包括栅极101，氧化硅层102，轻掺杂漏极103)，需要对其进行蚀刻，以去除栅极顶部及基底表面无用的氧化层，蚀刻时会对结构造成不可避免的缺陷(例如对基底或者栅极底层造成缺陷)，引发器件临界电压均匀性变差，如图2所示的虚线部分(包括氧化硅侧墙层102a)。为了解决上述蚀刻缺陷的问题，现有技术通常在沉积氧化物后进行离子注入或退火以增加氧化物的耐蚀刻性，然而这无疑延长了工艺流程，并且其改善程度有限。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的在于提供一种DRAM结构，该结构中的侧墙采用碳氧化硅(SiOC)材料，该材料具有更高的耐蚀刻性，可以减缓或消除蚀刻引起的缺陷，从而提高器件质量。
[0004]本专利技术的另一目的在于提供上述结构的制备方法。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种DRAM结构，其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底设有有源区，所述有源区包括至少一个晶体管和至少一个电容器，所述晶体管包括形成于衬底上的栅极及位于栅极两侧半导体衬底中的源区和漏区；所述电容器与所述晶体管的所述源区和漏区中的一个相连接；所述栅极的两侧设有呈多层的侧墙结构；所述侧墙结构的最外层为碳氧化硅层。2.根据权利要求1所述的DRAM结构，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量≥50％。3.根据权利要求1所述的DRAM结构，其特征在于，所述碳氧化硅层中碳含量由里层至表层逐渐增加。4.根据权利要求1
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3任一项所述的DRAM结构，其特征在于，所述侧墙结构包括由里至外分布的氮化硅层、氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：李相遇，熊文娟，蒋浩杰，李亭亭，崔恒玮，罗英，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：