一种银包导电陶瓷粉的制作方法技术

本发明专利技术公开了导电陶瓷粉制备领域的一种银包导电陶瓷粉的制作方法，包括步骤为：S1：按照一定的比例称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中进行球磨，得到混合粉末；S2：将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理；S3：进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性；S4：将导电陶瓷粉置于光诱导反应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉，该银包导电陶瓷粉的制作方法,制备过程较为简单，适合大批量快速加工生产，所使用的材料价格较低，生产成本较低。低。

【技术实现步骤摘要】
一种银包导电陶瓷粉的制作方法


[0001]本专利技术涉及导电陶瓷粉制备
，具体为一种银包导电陶瓷粉的制作方法。

技术介绍

[0002]通常陶瓷不导电，是良好的绝缘体。例如在氧化物陶瓷中，原子的外层电子通常受到原子核的吸引力，被束缚在各自原子的周围，不能自由运动。所以氧化物陶瓷通常是不导电的绝缘体。然而，某些氧化物陶瓷加热时，处于原子外层的电子可以获得足够的能量，以便克服原子核对它的吸引力，而成为可以自由运动的自由电子，这种陶瓷就变成导电陶瓷，材料的总电导率由电子电导率和离子电导率两部分组成，当电流通过材料时，电子可以有两种方式通过晶格运动来完成电荷输运过程：
①
电子脱离原子成为自由电子，在晶格中运动，形成所谓的电子导电；
②
电子与原子核一起移动产生所谓的离子导电。对金属来说，电子导电是其导电的主要方式，相比之下，离子导电几乎可忽略不计。但对多晶陶瓷或非晶态玻璃等材料来说，由于离子电导活化能比较低(一般在0.5eV以下)，离子导电已不容忽视，甚至是这些材料中的主要导电方式。
[0003]现有的银包陶瓷粉的制备过程较为繁琐，加工生产银包陶瓷粉的时间较长，导致生产成本提高，为此我们提出了一种银包导电陶瓷粉的制作方法。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种银包导电陶瓷粉的制作方法，以解决上述
技术介绍
中提出了现有的银包陶瓷粉的制备过程较为繁琐，加工生产银包陶瓷粉的时间较长，导致生产成本提高的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种银包导电陶瓷粉的制作方法，包括如下步骤：
[0006]S1：按照一定的比例称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中进行球磨，得到混合粉末；
[0007]S2：将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理,得到不规则块状混合物；
[0008]S3：将不规则块状混合物进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性；
[0009]S4：将导电陶瓷粉置于光诱导反应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉；
[0010]S5：将银包导电陶瓷粉通过超声分散10
‑
15min，最后用去离子水进行三次洗涤，并置于真空烘干箱中进行烘干。
[0011]优选的，所述S1中钛粉、硅粉和碳粉的质量比例为3:1:2，所述钛粉、硅粉和碳粉的纯度均为98％
‑
99％，所述钛粉的平均粒度为70
‑
90μm，所述硅粉的平均粒度为20
‑
30μm，所述碳粉的平均粒度为25
‑
40μm。
[0012]优选的，所述S1中球磨机中的球磨罐和莫球材质均为高碳铬轴承钢，球磨转速为300
‑
400r/min，球磨时间为10
‑
15h。
[0013]优选的，所述S2中热处理的温度为800
‑
1000℃，升温速率为150℃/min。
[0014]优选的，所述S4中光源的功率为100
‑
200w的氙气灯，所述照射时间为5
‑
20h。
[0015]优选的，所述真空烘干箱的温度为50
‑
70℃，烘干时间为70min
‑
120min。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：该银包导电陶瓷粉的制作方法，通过将钛粉、硅粉和碳粉通过球磨法进行球磨并使用等离子烧结机进行真空热处理烧结出导电陶瓷粉，并采用光诱导法对导电陶瓷粉进行包覆成一层致密、完整和连续的银纳米层，制备过程较为简单，适合大批量快速加工生产，所使用的材料价格较低，生产成本较低。
具体实施方式
[0017]下面将对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0018]实施例1
[0019]按照3:1:2称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中在转速为300r/min进行球磨15h，得到混合粉末，然后将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理,设置热处理的温度为800℃，升温速率为150℃/min，得到不规则块状混合物，将不规则块状混合物进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性，接着将导电陶瓷粉置于光诱导反应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射8h，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉，将银包导电陶瓷粉通过超声分散10min，最后用去离子水进行三次洗涤，并置于真空烘干箱中在温度为50℃下烘干120min。
[0020]实施例2
[0021]按照3:1:2称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中在转速为350r/min进行球磨12h，得到混合粉末，然后将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理,设置热处理的温度为900℃，升温速率为150℃/min，得到不规则块状混合物，将不规则块状混合物进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性，接着将导电陶瓷粉置于光诱导反应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射15h，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉，将银包导电陶瓷粉通过超声分散12min，最后用去离子水进行三次洗涤，并置于真空烘干箱中在温度为60℃下烘干90min。
[0022]实施例3
[0023]按照3:1:2称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中在转速为400r/min进行球磨10h，得到混合粉末，然后将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理,设置热处理的温度为1000℃，升温速率为150℃/min，得到不规则块状混合物，将不规则块状混合物进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性，接着将导电陶瓷粉置于光诱导反
应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射20h，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉，将银包导电陶瓷粉通过超声分散15min，最后用去离子水进行三次洗涤，并置于真空烘干箱中在温度为70℃下烘干70min。
[0024]综上所述，本专利技术通过将钛粉、硅粉和碳粉通过球磨法进行球磨并使用等离子烧结机进行真空热处理烧结出导电陶瓷粉，并采用光诱导法对导电陶瓷粉进行包覆成一层致密、完整和连续的银纳米层，制备过程较为简单，适合大批量快速加工生产，所使用的材料价格较低，生本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种银包导电陶瓷粉的制作方法，其特征在于：包括如下步骤：S1：按照一定的比例称取相应质量的钛粉、硅粉和碳粉，并置于球磨机中进行球磨，得到混合粉末；S2：将混合粉末置于石墨模具中并采用等离子烧结机进行真空热处理,得到不规则块状混合物；S3：将不规则块状混合物进行粉碎，并通过筛网进行过筛，得到导电陶瓷粉，将导电陶瓷粉加入表面活性剂中，去除表面氧化物，采用去离子水洗涤至中性；S4：将导电陶瓷粉置于光诱导反应器的银纳米前驱体中，打开光诱导反应器光源进行照射，使陶瓷粉表面形成连续致密的银纳米层，得到银包导电陶瓷粉；S5：将银包导电陶瓷粉通过超声分散10
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15min，最后用去离子水进行三次洗涤，并置于真空烘干箱中进行烘干。2.根据权利要求1所述的一种银包导电陶瓷粉的制作方法，其特征在于：所述S1中钛粉、硅粉和碳粉的质量比例为3:1:2，所述钛粉、硅粉和碳粉的纯度均为98％
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99％，所述钛粉的平均粒度为70
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90μm，所述硅粉的平均...

【专利技术属性】
技术研发人员：王凭慧，钱昆，韩勇，
申请(专利权)人：南科创园新材料科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：