【技术实现步骤摘要】
一种复合基座系统
[0001]本技术属于半导体
,涉及一种薄膜沉积装置的复合基座系统。
技术介绍
[0002]薄膜材料作为材料学领域中的一个重要分支,涉及物理、化学、电子学、冶金学等学科,在国防、通讯、航空航天、电子工业、光学工业等领域有着特殊的应用。在制备薄膜材料过程中,往往会因为衬底的温度分布不均匀,导致薄膜的质量变差,影响其性能。
[0003]目前,在薄膜的制备过程中,加热方式包括高频感应加热、辐射加热、电阻式加热,其中高频感应加热最为常用。传统的高频感应加热装置采用单一的感应产热传热基座,即通过射频加热线圈直接作用于基座托盘感应产热,然后由基座托盘热传递于衬底来控制衬底温度。但是由于感生电流的趋肤效应,随深度越大能耗随之越大,会使得基座托盘的温度分布不均匀,托盘外圈的温度高于内圈温度,从而导致衬底温度分布不均匀,影响成膜质量。现有的技术只能优化RF电源来达到节能的目的,并不能解决趋肤效应带来的温差问题。
技术实现思路
[0004]鉴于以上所述现有技术的缺点,本技术的目的在于提供一种复合基座系 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合基座系统,其特征在于,包括:第一基座,包括相对设置的顶面与底面,所述第一基座的顶面设有至少一衬底卡槽;导热部,位于所述第一基座下方;第二基座,位于所述导热部下方,所述第二基座包括相对设置的顶面与底面,所述第二基座的顶面设置有凹槽,所述第二基座的横截面积大于所述第一基座的横截面积;射频加热线圈,所述射频加热线圈同轴围绕于所述第二基座周围。2.根据权利要求1所述的复合基座系统,其特征在于:所述第一基座底面设置有第一卡槽,所述导热部设置有在垂直方向上贯穿所述导热部的第二卡槽,所述第二基座的顶面凹槽底部设置有能伸入所述第一卡槽及所述第二卡槽中的卡键。3.根据权利要求2所述的复合基座系统,其特征在于:所述第一卡槽在所述第一基座的侧面具有开口,所述第二卡槽在所述导热部的侧面具有开口,所述卡键还设置于所述凹槽的侧壁。4.根据权利要求1所述的复合基座系统,其特征在于:...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐春阳,郑冬,刘雷,
申请(专利权)人:楚赟精工科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:
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