【技术实现步骤摘要】
半导体集成设备、其操作方法以及数据处理设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年3月4日提交的、申请号为10
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2021
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0028778的韩国专利申请的优先权,该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
[0003]本公开的各个实施例总体上涉及一种半导体设备,并且更具体地,涉及一种半导体集成设备、该半导体集成设备的操作方法以及包括该半导体集成设备的数据处理设备。
技术介绍
[0004]SoC(片上系统)是一种技术密集型半导体技术,其中具有各种功能的多个电子装置被实施为一个芯片,SoC主要应用于嵌入式系统。
[0005]SoC可以由控制整个系统的处理器以及由处理器控制的各种功能块配置。功能块可以被称为电路、逻辑等,它们可以被集成到SoC或者功能块的组合中。
技术实现思路
[0006]在本公开的实施例中,一种半导体集成设备可以包括:多个功能块,由电子装置配置;以及处理器,被配置为控制多个功能块,基于在通电操作期间供应的输入功率的水平来选择各个功能块的电压调整值(voltage trim value),并且将电压调整值分别提供到多个功能块。
[0007]在本公开的实施例中,一种用于操作半导体集成设备的方法,该半导体集成设备包括由电子装置配置的多个功能块以及控制多个功能块的处理器,该方法可以包括:通过处理器确定半导体集成设备的通电操作期间的输入功率水平;通过处理器选择各个功能块的与输入功率水平相对应的电压调整值;以及 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体集成设备,包括:多个功能块,分别由电子装置配置;以及处理器:控制所述多个功能块,基于检测到的在通电操作期间供应的输入功率的水平,选择各个功能块的电压调整值,并且将所述电压调整值分别提供到所述多个功能块。2.根据权利要求1所述的半导体集成设备,其中所述处理器包括:调整值存储电路,存储用于多个功能块中的每一个功能块的候选电压调整值,所述候选电压调整值根据所述输入功率的水平而被分类;以及调整控制器:根据检测所述输入功率的水平的结果,通过参考所述调整值存储电路来从所述候选电压调整值中选择所述电压调整值,并且将所选择的电压调整值分别提供到所述多个功能块,以供所述多个功能块调整各自的电压特性信息。3.根据权利要求2所述的半导体集成设备,其中所述调整值存储电路包括根据所述电压调整值编程的电子熔丝。4.根据权利要求1所述的半导体集成设备,其中所述多个功能块和所述处理器被集成到一个芯片中。5.根据权利要求1所述的半导体集成设备,其中所述多个功能块中的至少一个功能块是主机接口。6.根据权利要求1所述的半导体集成设备,其中所述多个功能块中的至少一个功能块是存储装置接口。7.一种用于操作半导体集成设备的方法,包括:提供所述半导体集成设备,所述半导体集成设备包括由电子装置配置的多个功能块以及控制所述多个功能块的处理器;通过所述处理器将候选电压调整值存储到调整值存储电路;通过所述处理器检测所述半导体集成设备的通电操作期间的输入功率水平;通过所述处理器选择各个功能块的与检测到的输入功率水平相对应的电压调整值;以及通过所述处理器分别向所述多个功能块提供所选择的电压调整值。8.根据权利要求7所述的方法,其中选择所述电压调整值包括:通过参考所述候选电压调整值,根据检测到的输入功率水平从用于所述多个功能块中的每一个功能块的候选电压调整值中选择所述电压调整值,所述候选电压调整值根据所述输入功率水平而被分类;以及将所选择的电压调整值分别提供到所述多个功能块,以供所述多个功能块调整各自的电压特性信息。9.根据权利要求7所述的方法,其中存储所述候选电压...
【专利技术属性】
技术研发人员:池大根,
申请(专利权)人:爱思开海力士有限公司,
类型:发明
国别省市:
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