本发明专利技术公开了一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，包括以下步骤，一次水洗、二次水洗、一次酸洗、二次酸洗、金属离子分析、三次水洗、四次水洗以及pH值分析，最后在分析后合格的包装容器充入保护气体后，对包装容器进行包装；本发明专利技术通过一次水洗和二次水洗，对包装容器表面灰尘以及微小金属颗粒等杂质进行清理；通过一次酸洗和二次酸洗，对包装容器表面未除去的金属氧化物和细小金属颗粒进行清理，防止包装容器表面还残留有会与氢氟酸反应的物质，不会影响超高纯氢氟酸的浓度；再通过三次水洗和四次水洗对包装容器表面残留的氢氟酸进行清洗，从源头上减轻了超高纯氢氟酸被二次污染的几率，保证了包装容器清洗等级和超高纯氢氟酸的质量。纯氢氟酸的质量。纯氢氟酸的质量。
【技术实现步骤摘要】
一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法
[0001]本专利技术涉及包装容器
，具体涉及一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法。
技术介绍
[0002]随着光伏产业的光伏电池制造、微电子产业的芯片制造和玻璃减薄产业的液晶显示器件制造的国际产业向我国的转移，这为国内电子级氢氟酸的发展提供了极大空间。超高纯氢氟酸作为一种超大规模集成电路制作过程中的关键性基础化工材料之一，主要用于集成电路(IC)和超大规模集成电路(VLSI)制造过程中晶圆表面清洗、芯片加工过程中的清洗和蚀刻等工序。其纯度和洁净度对集成电路的成品率、电性能及可靠性均有十分重要的影响。
[0003]因此，用于超高纯氢氟酸包装的容器也迎来了极大的潜力和市场需求。但对包装容器及其清洗要求也提出了极大的挑战目前，尚无专业用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗工艺，针对超高纯氢氟酸包装容器的清洗也只能用一些常规、基础的清洗方法进行清洗，操作复杂、效率低、成本高，难以实现批量化清洗，这极大的提高了清洗成本与清洗周期，而且包装容器纯净度难以保证，间接影响了超高纯氢氟酸的质量，从而不利于半导体产品在质上的突破，严重地抑制了半导体产业的发展。
[0004]基于上述情况，本专利技术提出了一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，可有效解决以上问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法。
[0006]本专利技术通过下述技术方案实现：
[0007]一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，包括以下步骤：
[0008]步骤S1：一次水洗，用清水清洗包装容器，并在清洗完成后完全将清水排出；
[0009]步骤S2：二次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积a％的纯水，且对包装容器进行正反旋转t1后排尽；
[0010]步骤S3：一次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积b％的氢氟酸，且对包装容器进行旋转t2后排尽；
[0011]步骤S4：二次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积c％的氢氟酸，对包装容器清洗后排尽；
[0012]步骤S5：金属离子分析，从步骤S4中排出的液体中取样，对金属离子和0.1μm颗粒物进行检测；当取样液体的检测结果同时满足金属离子的含量不大于10ppt以及0.1μm颗粒物含量不大于10pcs/ml时，进入步骤S6；反之则重复步骤S4～S5；
[0013]步骤S6：三次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积d％的纯水，且对包装容器进行旋转t3后排尽；
[0014]步骤S7：四次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积e％的纯水，对包装容器清洗后排尽；
[0015]步骤S8：pH值分析，从步骤S7中排出的液体中取样，对pH值进行检测；当取样液体的检测结果满足pH＝6～7时，进入步骤S9；反之则重复步骤S6～S8；
[0016]步骤S9：在包装容器内充入保护气体后，对包装容器进行包装。
[0017]优选的，在步骤S1中，将清洗后的水排出后，再向包装容器中注满纯水并加压静置；静置一段时间后将纯水排出再进入步骤S2。
[0018]优选的，在步骤S2中，a＝40～50，t1＝0.5～3小时；且在进入步骤S3之前，先对步骤S2重复进行2～6次。
[0019]优选的，在步骤S3中，b＝20～40，t2＝12～48小时；且在进入步骤S4之前，先对步骤S3重复进行5～12次。
[0020]优选的，在步骤S4中，c＝20～40；且在首次进入步骤S5之前，先对步骤S4重复进行2～6次。
[0021]优选的，在步骤S6中，d＝40～50，t3＝0.5～3小时。
[0022]优选的，在步骤S7中，e＝50～60；且在进入步骤S8之前，先对步骤S3重复进行4～8次。
[0023]优选的，步骤S3中所用的氢氟酸浓度为1％～10％；步骤S4中所用的氢氟酸浓度为30％～50％。
[0024]优选的，步骤S4中排出的废水经过处理后用于步骤S3中氢氟酸的调制。
[0025]优选的，在步骤S2中，注入包装容器内的纯水水温为60～90℃。
[0026]本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：
[0027]本专利技术的用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法通过一次水洗和二次水洗，对包装容器表面灰尘以及微小金属颗粒等杂质进行清理；通过一次酸洗和二次酸洗，进一步的对包装容器表面未除去的金属氧化物和细小金属颗粒进行清理，防止包装容器表面还残留有会与氢氟酸反应的物质，不会影响超高纯氢氟酸的浓度；再通过三次水洗和四次水洗对包装容器表面残留的氢氟酸进行清洗，从源头上减轻了超高纯氢氟酸被二次污染的几率，保证了包装容器清洗等级和超高纯氢氟酸的质量；而且有效节约了包装容器的清洗成本与清洗时间，提高了清洗效率与安全性。
附图说明
[0028]图1为本专利技术的流程示意图。
具体实施方式
[0029]为了使本领域的技术人员更好地理解本专利技术的技术方案，下面结合具体实施例对本专利技术的优选实施方案进行描述，但是应当理解，附图仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制；为了更好说明本实施例，附图某些部件会有省略、放大或缩小，并不代表实际产品的尺寸；对于本领域技术人员来说，附图中某些公知结构及其说明可能省略是可以理解的。附图中描述位置关系仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制。
[0030]实施例1：
[0031]如图1所示，一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，包括以下步骤：
[0032]步骤S1：一次水洗，用清水清洗包装容器，并在清洗完成后完全将清水排出；
[0033]步骤S2：二次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积a％的纯水，且对包装容器进行正反旋转t1后排尽；
[0034]步骤S3：一次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积b％的氢氟酸，且对包装容器进行旋转t2后排尽；
[0035]步骤S4：二次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积c％的氢氟酸，对包装容器清洗后排尽；
[0036]步骤S5：金属离子分析，从步骤S4中排出的液体中取样，对金属离子和0.1μm颗粒物进行检测；当取样液体的检测结果同时满足金属离子的含量不大于10ppt以及0.1μm颗粒物含量不大于10pcs/ml时，进入步骤S6；反之则重复步骤S4～S5；
[0037]步骤S6：三次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积d％的纯水，且对包装容器进行旋转t3后排尽；
[0038]步骤S7：四次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积e％的纯水，对包装容器清洗后排尽；
[0039]步骤S8：pH值分析，从步骤S7中排出的液体中取样，对pH值进行检测；当取样液体的检测结果满足pH＝6～7时，进入步骤S9；反之则重复步骤S6～S8；
[0040]步骤S9：在包装容器内充入保护气体后，对包装容器进行包装。
[0041]本专利技术通过一次水洗和二次水洗，对包装容器表面灰尘以及微小本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1：一次水洗，用清水清洗包装容器，并在清洗完成后完全将清水排出；步骤S2：二次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积a％的纯水，且对包装容器进行正反旋转t1后排尽；步骤S3：一次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积b％的氢氟酸，且对包装容器进行旋转t2后排尽；步骤S4：二次酸洗，在包装容器内注入占包装容器容积c％的氢氟酸，对包装容器清洗后排尽；步骤S5：金属离子分析，从步骤S4中排出的液体中取样，对金属离子和0.1μm颗粒物进行检测；当取样液体的检测结果同时满足金属离子的含量不大于10ppt以及0.1μm颗粒物含量不大于10pcs/ml时，进入步骤S6；反之则重复步骤S4～S5；步骤S6：三次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积d％的纯水，且对包装容器进行旋转t3后排尽；步骤S7：四次水洗，在包装容器内注入占包装容器容积e％的纯水，对包装容器清洗后排尽；步骤S8：pH值分析，从步骤S7中排出的液体中取样，对pH值进行检测；当取样液体的检测结果满足pH＝6～7时，进入步骤S9；反之则重复步骤S6～S8；步骤S9：在包装容器内充入保护气体后，对包装容器进行包装。2.根据权利要求1所述的用于超高纯氢氟酸包装容器的清洗方法，其特征在于：在步骤S1中，将清洗后的水排出后，再向包装容器中注满纯水并加压静置；静置一段时间后将纯水排出再进入步骤S2。3....
【专利技术属性】
技术研发人员：何正纲，李忠发，汪漠，
申请(专利权)人：浙江东氟塑料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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