功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法技术

本发明专利技术公开了功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，涉及半导体器材加工技术领域。包括制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定。本发明专利技术通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。度。度。

【技术实现步骤摘要】
功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器材加工
，具体为功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法。

技术介绍

[0002]MOSFET器件在进行生产制造时，为保证安装后集成电路芯片的质量和可靠性，需要在MOSFET器件外表面上镀上栅氧化层。
[0003]由于MOSFET器件整个制造过程中可能会受到颗粒、金属、有机分子和静电释放(ESD)的沾污，使得栅氧化层会产生的缺陷，而这些微小的缺陷，会使得MOSFET器件的整体强度下降，进而导致MOS器件阈值漂移，漏电增加，甚至直接发生低压击穿等不可逆的器件损毁，从而影响整个集成电路芯片的质量和可靠性，为此提出一种功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法以解决上述存在的问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，包括制备步骤如下：
[0006]步骤一、提供MOSFET器件：
[0007]步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；
[0008]步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；
[0009]步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定，最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理，其中加热炉的温度在260℃～330℃，烘烤时间为25min～30min，此外填充惰性气体的时间为10min～15min；
[0010]步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出，并放置到氮气柜内静置；
[0011]步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110～130℃时，将MOSFET器件外部从氮气柜内取出。
[0012]更进一步地，步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤，其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2。
[0013]更进一步地，步骤三中的酸性溶液为质量分数为18％的盐酸溶液或质量分数为16％的稀硝酸溶液中的一种。
[0014]更进一步地，步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗，二次清洗需要用纯净水，清洗过后需要在通风环境下放置15min～30min。
[0015]更进一步地，步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种，步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。
[0016]更进一步地，步骤四中的安装装置包括装配组件，装配组件顶端的一端滑动连接
有夹持机构，装配组件顶部的另一端固定有驱动机构，驱动机构的输出端带动夹持机构在装配组件的顶部往复移动。
[0017]更进一步地，所述装配组件包括装配台，装配台顶部的两端分别固定连接有抬高块，两个抬高块顶部的两侧分别固定连接有开口槽体；
[0018]所述夹持机构包括放置块，放置块内部的两端分别滑动连接有抵挡圆柱，抵挡圆柱和所述开口槽体的内部相适配，所述放置块通过抵挡圆柱在开口槽体的内部滑动连接。
[0019]更进一步地，所述放置块顶部的一端滑动连接有夹持臂，所述放置块顶部的另一端开设有贯穿孔，贯穿孔的内部固定连接有固定臂，所述放置块顶部的两侧分别开设有连通长孔，两道连通长孔均设置在所述夹持臂和所述固定臂之间。
[0020]更进一步地，所述放置块底部的一端固定连接有驱动电机，驱动电机的输出端固定连接有螺纹轴，螺纹轴的一端和所述固定臂底部的一端相铰接，所述螺纹轴的外部螺接有铰接架，铰接架顶部的两侧穿过连通长孔和所述夹持臂底部的两侧相固定。
[0021]更进一步地，所述放置块外部的一侧固定连接有连接件，所述驱动机构包括稳定架，稳定架的底部和所述装配台的顶部相固定，所述稳定架顶部的一侧开设有滑动槽，滑动槽的内部铰接有滑动块，所述滑动块的一侧固定连接有竖直的铰接槽体，所述连接件的一端和铰接槽体的内部相铰接；
[0022]所述稳定架在滑动槽的内部开设有贯穿长孔，所述稳定架另一侧的两端分别转动连接有驱动齿轮，两个驱动齿轮之间安装有链条，所述稳定架一端的底部固定连接有延展台，延展台的顶部固定有输入电机，输入电机的输出端和其中一个驱动齿轮的外侧相固定；
[0023]所述滑动块的一侧固定连接有连接块，连接块的一端穿过贯穿长孔和所述链条的外部相固定
[0024]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0025]该功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，通过在制备功率MOSFET器件时，对MOSFET器件表面进行预处理，并在预处理后用酸溶液进行清洗，最后再将其放置到加热炉内通过网加热炉内填充惰性气体，完成了对功率MOSFET器件表面的退火处理，在增强了MOSFET器件栅氧化层的整体强度时，还对MOSFET器件表面的附着杂质进行了全面的清理，提高了MOSFET器件栅氧化层的内部纯度。
[0026]该功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，通过在放置装置将率MOSFET器件送人到加热炉内进行退火处理的设置，使得在放置装置的作用下MOSFET器件，其外表面能够成分和填充到加热炉内的惰性气体相接触，间接的提高了退火处理的效率。
附图说明
[0027]图1为本专利技术中放置装置的等轴测图；
[0028]图2为本专利技术中放置装置的斜轴侧图；
[0029]图3为本专利技术中装配组件的结构组成图；
[0030]图4为本专利技术中夹持机构的等轴测图；
[0031]图5为本专利技术中夹持机构的斜轴测图；
[0032]图6为本专利技术中驱动机构的等轴测图；
[0033]图7为本专利技术中驱动机构的斜轴测图。
[0034]图中：1、装配组件；101、装配台；102、抬高块；103、开口槽体；2、夹持机构；201、放置块；202、连通长孔；203、抵挡圆柱；204、夹持臂；205、连接件；206、固定臂；207、驱动电机；208、铰接架；209、螺纹轴；3、驱动机构；301、稳定架；302、驱动齿轮；303、贯穿长孔；304、连接块；305、链条；306、延展台；307、输入电机；308、滑动槽；309、滑动块；310、铰接槽体。
具体实施方式
[0035]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0036]需要说明的是，在本专利技术的描述中，术语“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件所必须具有特定的方位、以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：制备步骤如下：步骤一、提供MOSFET器件：步骤二、对MOSFET器件的表面进行预处理，预处理时间为25min～35min；步骤三、将MOSFET器件放置到内部倒有酸性溶液的浸泡池内，浸泡15min～25min；步骤四、将MOSFET器件从浸泡池内捞出，然后将其安装到放置装置上固定，最后连同放置装置一同放置到内部填充有惰性气体的加热炉内烘烤处理，其中加热炉的温度在260℃～330℃，烘烤时间为25min～30min，此外填充惰性气体的时间为10min～15min；步骤五、将MOSFET器件从加热炉内取出，并放置到氮气柜内静置；步骤六、静置到MOSFET器件外部的稳定到110～130℃时，将MOSFET器件外部从氮气柜内取出。2.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤二中的预处理包括抛光、打磨和喷砂步骤，其中抛光、打磨和喷砂所占总时间比为3:1:2。3.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤三中的酸性溶液为质量分数为18％的盐酸溶液或质量分数为16％的稀硝酸溶液中的一种。4.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤三和步骤四之间需要对MOSFET器件进行二次清洗，二次清洗需要用纯净水，清洗过后需要在通风环境下放置15min～30min。5.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤四中惰性气体为氩气、氦气或氖气中的一种，步骤四在填充过惰性气体后还会向加热炉内填充氢气。6.根据权利要求1所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：步骤四中的安装装置包括装配组件(1)，装配组件(1)顶端的一端滑动连接有夹持机构(2)，装配组件(1)顶部的另一端固定有驱动机构(3)，驱动机构(3)的输出端带动夹持机构(2)在装配组件(1)的顶部往复移动。7.根据权利要求6所述的功率MOSFET器件栅氧化层的制备方法，其特征在于：所述装配组件(1)包括装配台(101)，装配台(101)顶部的两端分别固定连接有抬高块(102)，两个抬高块(102)顶部的两侧分别固定连接有开口槽体(103)；所述夹持机构(2)包括放...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹有彪，王全，倪侠，张荣，徐玉豹，
申请(专利权)人：富芯微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：