数控机床直流供电监控系统技术方案

技术编号:34852202 阅读:32 留言:0更新日期:2022-09-08 07:52
本发明专利技术提供的一种数控机床直流供电监控系统,所述开关控制电路的输入端连接于直流电源,开关控制电路的输出端连接于负载RL的输入端;所述过压检测电路用于检测开关控制电路的输入电压是否过压并在过压时其控制输出端向锁定控制电路的控制输入端输出高电平控制信号,所述过压检测电路的检测输出端与控制器的检测输入端连接;所述过流检测电路用于检测负载RL是否过流且过流检测电路的控制输出端向锁定控制电路输出高电平控制信号,所述过流检测电路的检测输出端连接于控制器的检测输入端,所述控制器的控制输出端连接于报警器的输入端,所述锁定控制电路用于过流或者过压时锁定开关控制电路处于关断状态。定开关控制电路处于关断状态。

【技术实现步骤摘要】
数控机床直流供电监控系统


[0001]本专利技术涉及一种数控机床监控系统,尤其涉及一种数控机床直流供电监控系统。

技术介绍

[0002]数控机床是现代生产中广泛应用的自动化设备,其结构精密、复杂,具有各种直流用电元件,比如直流电机、传感器等,这些直流用电元件需要稳定的直流电才能够稳定工作,防止加工事故发生。
[0003]现有技术中,数控机床中的直流用电元件通过数控机床的直流电源进行供电,但是,由于数控机床的复杂性,其直流电源输出电压也存在波动现象,从而存在过压或者过流,当然,数控机床中也设置有过压以及过流检测以及保护电路,但是,当过流过压时执行保护后往往容易形成自恢复供电,不能锁定停止供电状态,从而容易引起生产事故。
[0004]因此,为了解决上述技术问题,亟需提出一种新的技术手段。

技术实现思路

[0005]有鉴于此,本专利技术的目的是提供一种数控机床直流供电监控系统,在数控机床工作中直流部分存在过流或者过压时能够及时进行保护及预警,并且能够锁定保护状态,从而防止直流供电自恢复后所引起的安全隐患,并且电路结构稳定可靠。
[0006]本专利技术提供的一种数控机床直流供电监控系统,包括开关控制电路、过压检测电路、控制器、报警器、过流检测电路以及锁定控制电路;
[0007]所述开关控制电路的输入端连接于直流电源,开关控制电路的输出端连接于负载RL的输入端;
[0008]所述过压检测电路用于检测开关控制电路的输入电压是否过压并在过压时其控制输出端向锁定控制电路的控制输入端输出高电平控制信号,所述过压检测电路的检测输出端与控制器的检测输入端连接;
[0009]所述过流检测电路用于检测负载RL是否过流且过流检测电路的控制输出端向锁定控制电路输出高电平控制信号,所述过流检测电路的检测输出端连接于控制器的检测输入端,所述控制器的控制输出端连接于报警器的输入端,所述锁定控制电路用于过流或者过压时锁定开关控制电路处于关断状态。
[0010]进一步,所述锁定控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R19、三极管Q1、三极管Q2、可控硅Q6以及电阻R20;
[0011]电阻R1的一端连接于开关控制电路的输入端,电阻R1的另一端通过电阻R2连接于三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连接于电阻R1和电阻R2的公共连接点,三极管Q1的基极通过电阻R3连接于三极管Q2的集电极,三极管Q2的发射极通过电阻R19接地,三极管Q2的基极连接于电阻R4的一端,电阻R4的另一端作为锁定控制电路的控制输入端,所述可控硅Q6的控制极通过电阻R5连接于三极管Q2的发射极,可控硅Q6的正极通过电阻R6连接于开关控制电路的输入端,可控硅Q6的负极通过电阻R16接地,可控硅Q6的负极连接于锁定控制电
路的控制输入端,三极管Q1的集电极连接于电阻R20的一端,电阻R20的另一端作为锁定控制电路的控制输出端;其中,三极管Q1为P型三极管。
[0012]进一步,所述开关控制电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、PMOS管Q3、三极管Q4、电容C1、齐纳二极管D6以及三极管Q5;
[0013]电阻R8的一端作为开关控制电路的输入端,电阻R8的另一端连接于PMOS管Q3的源极,PMOS管Q3的漏极作为开关控制电路的控制输出端;
[0014]PMOS管Q3的源极通过电阻R9连接于PMOS管Q3的栅极,PMOS管Q3的栅极通过电阻R11连接于三极管Q4的集电极,三极管Q4的发射极接地,三极管Q4的基极通过电容C1接地,三极管Q4的基极连接于齐纳二极管D6的负极,齐纳二极管D6的正极接地,三极管Q4的基极通过电阻R10连接于PMOS管Q3的栅极,三极管Q4的基极连接于三极管Q5的集电极,三极管Q5的发射极接地,三极管Q5的基极作为开关控制电路的控制输入端。
[0015]进一步,所述过流检测电路包括检测电阻R12、电阻R18、电容C2、二极管D5、齐纳二极管D3、齐纳二极管D4、电阻R17、发光二极管LED2、光耦G1;
[0016]检测电阻R12的一端连接于负载RL的负极,电阻R12的另一端接地,检测电阻R12和负载RL的公共连接点通过电阻R18连接于齐纳二极管D3的负极,齐纳二极管D3的正极连接于发光二极管LED2的正极,发光二极管LED2的负极作为过流检测电路的控制输出端,齐纳二极管D3的负极连接于齐纳二极管D4的负极,齐纳二极管D4的正极接地,电阻R17的一端连接于发光二极管LED2的正极,电阻R17的另一端连接于光耦G1的发光二极管的正极,光耦G1的发光二极管的负极接地,光耦G1的光敏三极管的集电极作为过流检测电路的检测输出端,光耦G1的光敏三极管的发射极接地。
[0017]进一步,所述过压检测电路包括电阻R7、齐纳二极管D1、齐纳二极管D2、电阻R13、电阻R14、电阻R15、发光二极管LED1以及光耦G2;
[0018]电阻R7的一端作为过压检测电路检测输入端连接于开关控制电路的输入端,电阻R7的另一端连接于齐纳二极管D1的负极,齐纳二极管D1的正极通过电阻R15连接于发光二极管LED1的正极,发光二极管LED1的负极作为过压检测电路的控制输出端,齐纳二极管D1的正极连接于齐纳二极管D2的负极,齐纳二极管D2的正极接地,齐纳二极管D1的正极通过电阻R14接地,齐纳二极管D1的正极通过电阻R13连接于光耦G2的发光二极管的正极,光耦G2的发光二极管的负极接地,光耦G2的光敏三极管的集电极连接于控制器的检测输入端,光耦G2的光敏三极管的发射极接地。
[0019]本专利技术的有益效果:通过本专利技术,在数控机床工作中直流部分存在过流或者过压时能够及时进行保护及预警,并且能够锁定保护状态,从而防止直流供电自恢复后所引起的安全隐患,并且电路结构稳定可靠。
附图说明
[0020]下面结合附图和实施例对本专利技术作进一步描述:
[0021]图1为本专利技术的结构示意图。
[0022]图2为本专利技术的电路原理图。
具体实施方式
[0023]以下结合说明书附图对本专利技术进一步详细说明:
[0024]本专利技术提供的一种数控机床直流供电监控系统,包括开关控制电路、过压检测电路、控制器、报警器、过流检测电路以及锁定控制电路;
[0025]所述开关控制电路的输入端连接于直流电源,开关控制电路的输出端连接于负载RL的输入端;
[0026]所述过压检测电路用于检测开关控制电路的输入电压是否过压并在过压时其控制输出端向锁定控制电路的控制输入端输出高电平控制信号,所述过压检测电路的检测输出端与控制器的检测输入端连接;
[0027]所述过流检测电路用于检测负载RL是否过流且过流检测电路的控制输出端向锁定控制电路输出高电平控制信号,所述过流检测电路的检测输出端连接于控制器的检测输入端,所述控制器的控制输出端连接于报警器的输入端,所述锁定控制电路用于过流或者过压时锁定开关控制电路处于关断状态。其中,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数控机床直流供电监控系统,其特征在于:包括开关控制电路、过压检测电路、控制器、报警器、过流检测电路以及锁定控制电路;所述开关控制电路的输入端连接于直流电源,开关控制电路的输出端连接于负载RL的输入端;所述过压检测电路用于检测开关控制电路的输入电压是否过压并在过压时其控制输出端向锁定控制电路的控制输入端输出高电平控制信号,所述过压检测电路的检测输出端与控制器的检测输入端连接;所述过流检测电路用于检测负载RL是否过流且过流检测电路的控制输出端向锁定控制电路输出高电平控制信号,所述过流检测电路的检测输出端连接于控制器的检测输入端,所述控制器的控制输出端连接于报警器的输入端,所述锁定控制电路用于过流或者过压时锁定开关控制电路处于关断状态。2.根据权利要求1所述数控机床直流供电监控系统,其特征在于:所述锁定控制电路包括电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R19、三极管Q1、三极管Q2、可控硅Q6以及电阻R20;电阻R1的一端连接于开关控制电路的输入端,电阻R1的另一端通过电阻R2连接于三极管Q1的基极,三极管Q1的发射极连接于电阻R1和电阻R2的公共连接点,三极管Q1的基极通过电阻R3连接于三极管Q2的集电极,三极管Q2的发射极通过电阻R19接地,三极管Q2的基极连接于电阻R4的一端,电阻R4的另一端作为锁定控制电路的控制输入端,所述可控硅Q6的控制极通过电阻R5连接于三极管Q2的发射极,可控硅Q6的正极通过电阻R6连接于开关控制电路的输入端,可控硅Q6的负极通过电阻R16接地,可控硅Q6的负极连接于锁定控制电路的控制输入端,三极管Q1的集电极连接于电阻R20的一端,电阻R20的另一端作为锁定控制电路的控制输出端;其中,三极管Q1为P型三极管。3.根据权利要求1所述数控机床直流供电监控系统,其特征在于:所述开关控制电路包括电阻R8、电阻R9、电阻R10、电阻R11、PMOS管Q3、三极管Q4、电容C1、齐纳二极管D6以及三极管Q5;电阻R8的一端作为开关控制电路的输入端,电阻R8的另一端连接于PMOS管Q3的源极,PMOS管Q3的漏极作为开关控制电路的控制输出端;PMOS管Q3的源极通过电阻R9连接于PMOS管Q...

【专利技术属性】
技术研发人员:苟孝贵刘鸿飞邓文亮曹小平
申请(专利权)人:重庆科创职业学院
类型:发明
国别省市:

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