【技术实现步骤摘要】
(DMCP)这种方法将ZnO相、富铋相和尖晶石相的氧化物混合烧结成ZnO压敏电阻，能够将烧结温度降低，避免了上诉大部分缺点，但是，ZBrankovi
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c等人制备的尖晶石中含有Ni、Co、Cr、Mn等元素，制备的ZnO压敏电阻还是有较多的二次相。
[0010]综上所述，引入烧结助剂、优化烧结工艺和采用化学方法制备ZnO压敏电阻粉体在一定程度上都能降低烧结温度，但是，都存在各自的不足。因此，我们在(DMCP)这种方法的基础上提出了一种可以克服以上不足并能够将ZnO压敏电阻烧结温度降低的方法。
技术实现思路
[0011]本专利技术的目的在于，提供一种Zn7Sb2O
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预合成制备ZnO压敏电阻的方法。本专利技术在不改变ZnO压敏电阻原本配方和不引入有害杂质的基础上，能够降低烧结温度，保证压敏电阻的电学性能，并且具有工艺简单和成本低廉的特点，适宜工业化大规模生产。
[0012]本专利技术的技术方案：一种Zn7Sb2O
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预合成制备ZnO压敏电阻的方法，先将原料中的全部Sb2O3和部分Z...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Zn7Sb2O
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预合成制备ZnO压敏电阻的方法，其特征在于：先将原料中的全部Sb2O3和部分ZnO按摩尔比0.8：7
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1.2：7混合均匀，然后在980
‑
1060℃预烧形成Zn7Sb2O
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尖晶石相，再将Zn7Sb2O
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尖晶石相与剩余的ZnO和其他原料成分混合作为原料进行ZnO压敏电阻的制备。2.根据权利要求1所述的Zn7Sb2O
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预合成制备ZnO压敏电阻的方法，其特征在于，具体步骤如下：称取原料：按摩尔份计，分别取96
‑
98份ZnO、0.8
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1.2份Bi2O3、0.4
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0.6份Co3O4、0.4
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0.6份Sb2O3、0.4
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0.6份MnO2和0.4
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0.6份Cr2O3；预合成Zn7Sb2O
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尖晶石相：将原料中的Sb2O3全部取出，并取出部分ZnO，以Sb2O3：ZnO的摩尔比为0.8：7
‑
1.2：7的比例混合均匀，然后在980
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1060℃预烧1
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3h，得Zn7Sb2O
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尖晶石相；原料颗粒粉体的制备：将Zn7Sb2O
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尖晶石相与剩余的ZnO以及全部的Bi2O3、Co3O4、MnO2和Cr2O3混合，置于球磨机中，添加水、分散剂、PVA粘合剂和消泡剂后球磨混合...
【专利技术属性】
技术研发人员：庞驰，郑德一，徐鹏，周芳，邵姣婧，祝飞，刘畅，费自豪，
申请(专利权)人：贵州大学，
类型：发明
国别省市：
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