一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法技术

一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法，包括压敏电阻基体芯片，设置在与压敏电阻基体芯片两端面紧密连接的金属电极片、以及压敏电阻基体芯片外的环氧树脂包封层；压敏电阻基体芯片是由压敏电阻瓷体两端面的外边缘自由边以及侧面均设置有绝缘涂层，压敏电阻瓷体两端面无绝缘涂层处设置有腐蚀凹坑，以及在腐蚀凹坑上方设置有金属表面电极层；本发明专利技术将压敏电阻瓷体粘贴玻璃粉生胶带、高温回火、刻蚀、表面电极化、刷锡、焊接、环氧树脂包封后制造得到；本发明专利技术采用压敏电阻刻蚀技术，有效增加金属表面电极与压敏电阻瓷体的结合力，从而可以有效提升阀片的通流容量、能量耐受能力和工频耐受能力。能量耐受能力和工频耐受能力。能量耐受能力和工频耐受能力。

The invention relates to a varistor matrix chip, a high-energy surge protector valve sheet and a manufacturing method thereof

【技术实现步骤摘要】
一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法


[0001]本专利技术涉及压敏电阻制造
，尤其涉及一种压敏电阻基体芯片、高能量型电涌保护器阀片及其制造方法。

技术介绍

[0002]电涌保护器是连接在电源和应用设备之间或者设备内部电源回路的最前端，当供电系统没有发生异常过电压时，电涌保护器无动作，而一旦电路被外来过电压脉冲入侵时，电涌保护器内的核心非线性元件电涌保护器阀片瞬间立即动作，并将侵入的过电压脉冲峰值限制在一定水平之内，以保护并联在其后的电路负载元件。电涌保护器阀片是电涌保护器最重要的核心元件之一，其基本性能要求是具有较大的雷电浪涌能量耐量、较低的残压比以及工频耐受下的稳定性。为了能够达到更佳的性能要求，工程师从产品的本征、瓷体的配方和结构出发，开发出了一系列配方及制造方法，不断地优化了电涌保护器阀片的结构设计。如一种高性能电涌保护器阀片及其制造方法(专利申请号为CN202011582599.6)，一种安全型电涌保护器阀片材料及其制备方法(专利号为CN104177082B)，一种环境自适应型电涌保护器封装模块(专利号为CN本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种压敏电阻基体芯片，其特征在于，包括压敏电阻瓷体(1)，在压敏电阻瓷体(1)两端面的外边缘自由边，以及侧面均设置有绝缘涂层(2A)；在压敏电阻瓷体(1)两端面且未设置绝缘涂层(2A)处设置有腐蚀凹坑(1A)，在腐蚀凹坑(1A)上方设置有金属表面电极层(3)。2.基于权利要求1所述的一种压敏电阻基体芯片的高能量型电涌保护器阀片，其特征在于，包括压敏电阻基体芯片、紧密设置在压敏电阻基体芯片两端面的金属电极片(4)、以及包封在压敏电阻基体芯片外的环氧树脂包封层(6)。3.根据权利要求2所述的一种高能量型电涌保护器阀片，其特征在于，所述的金属电极片(4)上设置有引出电极(4B、4C)，分别通过焊锡层(5)与金属表面电极层(3)紧密连接，并且两个引出电极(4B、4C)引出方向相同，分别引伸出环氧树脂包封层(6)之外；所述的金属电极片(4)上还设置有通气孔(4A)。4.基于上述权利要求2或3所述的一种高能量型电涌保护器阀片的制造方法，其特征在于，具体步骤如下：(1).贴玻璃粉生胶带：将玻璃粉生胶带(2)粘贴并完全包覆在压敏电阻瓷体(1)两端面上的外边缘自由边以及压敏电阻瓷体(1)侧面；(2).回火：将步骤1中包覆好带有玻璃粉生胶带(2)的压敏电阻瓷体，放入炉中450℃～700℃回火，保温0.2小时～2小时，随炉降温取出，玻璃粉生胶带(2)软化后完全贴合其包覆面，形成绝缘涂层(2A)，即得到一种压敏电阻保护基体；(3).刻蚀：将步骤2中压敏电阻保护基体浸入重量百分比为2％～5％的氢氟酸溶液中腐蚀3～20秒钟后，立即取出，并使用去离子水将腐蚀过的压敏电阻保护基体冲洗干净，在压敏电阻瓷体两端面上未设有绝缘涂层的区域刻蚀形成有腐蚀凹坑(1A)；(4).表面电极化：在步骤3中刻蚀形成的腐蚀凹坑(1A)上丝网印刷银电极浆料，并使银电极浆料完全覆盖压敏电阻瓷体两端面上...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋彩利，
申请(专利权)人：西安石油大学，
类型：发明
国别省市：