一种交叉指形电极有源器件及其光器件制造技术

本发明专利技术提供了一种交叉指形电极有源器件及其光器件，包括：衬底层；配置在所述衬底层上的硅波导层，以及配置在所述硅波导层上的硅脊波导层，其中，所述硅波导层和硅脊波导层配置为定向引导电磁波且能够对光进行分束；设置在所述硅波导层第一侧的多个第一电极，设置在所述波导层第二侧且与多个所述第一电极相匹配的多个第二电极，其中，所述第一侧和第二侧相对，其中，所述第一电极和所述第二电极交错设置。基于本发明专利技术，通过对硅波导层两侧位置相对的电极进行交错设置，进一步的减小电极之间的寄生电容效应，从而减小高频信号的损耗，提高有源器件的带宽，有效提高光电芯片的带宽和信息传输速率。息传输速率。息传输速率。

【技术实现步骤摘要】
一种交叉指形电极有源器件及其光器件


[0001]本专利技术涉及光电子器件领域，具体涉及一种交叉指形电极有源器件及其光器件。

技术介绍

[0002]近年来，物联网的迅猛发展，光纤通信系统作为物联网的重要依托，其发展受到更多的重视，随着光纤通信系统的发展，光器件的发展也同样面临着机遇和挑战；其中，硅基光电子器件具有易于集成、工艺成本低等优点，近些年来引起研究人员的广泛关注。硅(Si)材料作为微电子领域的传统材料，在加工工艺和制作成本上有着其他材料无可比拟的优势，硅基光电子集成技术应运而生。
[0003]在硅基光电子集成
，光电芯片核心的有源器件多为调制器和探测器，有源器件是决定整个光电芯片电学带宽的核心因素；现有技术中有源器件的电极多采用条形电极和指形电极，其中，指形电极体积小，可以减小对光的吸收及减小有源器件的寄生电容，但是，两极金属电极之间会形成寄生电容效应，在高频信号时，会产生放电，因此会造成高频信号的损耗。
[0004]有鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

[0005]有鉴于此，本专利技术的目的在于提供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种交叉指形电极有源器件,其特征在于，包括：衬底层；配置在所述衬底层上的硅波导层，以及配置在所述硅波导层上的硅脊波导层，其中，所述硅波导层和硅脊波导层配置为定向引导电磁波且能够对光进行分束；设置在所述硅波导层第一侧的多个第一电极，设置在所述波导层第二侧且与多个所述第一电极相匹配的多个第二电极，其中，所述第一侧和第二侧相对，其中，所述第一电极和所述第二电极交错设置。2.根据权利要求1所述的交叉指形电极有源器件，其特征在于，所述第一电极等距配置在硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔积适，肖洪地，
申请(专利权)人：三明学院，
类型：发明
国别省市：