【技术实现步骤摘要】
有机金属化合物、包含有机金属化合物的发光装置及包括发光装置的电子设备
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2021年3月4日向韩国知识产权局提交的第10
‑
2021
‑
0028966号韩国专利申请的优先权和权益,所述韩国专利申请的全部内容通过援引并入本文。
[0003]本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的发光装置以及包括所述发光装置的电子设备。
技术介绍
[0004]发光装置是自发射装置,与相关领域的装置相比,其可以具有广视角,高对比度,短响应时间,以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的优异的或适合的特性,并且可以产生全色图像。
[0005]在示例性发光装置中,第一电极放置在衬底上,并且空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极依次形成在第一电极上。由第一电极提供的空穴可以通过空穴传输区朝向发射层移动,并且由第二电极提供的电子可以通过电子传输区朝向发射层移动。诸如空穴和电子的载流子在发射层中复合以产生激子。这些激子从激发态跃迁至基态,从而产生光。
技术实现思路
[0006]本公开内容的实施方案的一个或多于一个的方面涉及具有高发光效率和/或长使用寿命的有机金属化合物、包含所述有机金属化合物的发光装置和包括所述发光装置的电子设备。
[0007]其它方面将在随后的描述中被部分地阐述并且将部分地从描述中显而易见,或者可以通过本公开内容的呈现的实施方案的实践而获悉。
[00 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.发光装置,包括:第一电极;面对所述第一电极的第二电极;在所述第一电极与所述第二电极之间并且包括发射层的中间层;以及由式1表示的至少一种有机金属化合物:式1其中,在式1中,M是过渡金属,CY1至CY3各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团,Y1至Y4各自独立地是C或N,A1至A4各自独立地是化学键、O或S,T1至T3各自独立地是单键、双键、*
‑
N[(L1)
b1
‑
(R
1a
)]
‑
*'、*
‑
B(R
1a
)
‑
*'、*
‑
P(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Si(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
Ge(R
1a
)(R
1b
)
‑
*'、*
‑
S
‑
*'、*
‑
Se
‑
*'、*
‑
O
‑
*'、*
‑
C(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)
‑
*'、*
‑
S(=O)2‑
*'、*
‑
C(R
1a
)=*'、*=C(R
1a
)
‑
*'、*
‑
C(R
1a
)=C(R
1b
)
‑
*'、*
‑
C(=S)
‑
*'或*
‑
C≡C
‑
*',a1至a3各自独立地为1至3的整数,*和*'各自表示与相邻原子的结合位点,L1是单键、未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C5‑
C
30
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
30
杂环基团,b1是1至3的整数,X
41
是N或C(R
41
),X
42
是N或C(R
42
),X
43
是N或C(R
43
),R1至R3、R
41
至R
43
、R
1a
和R
1b
各自独立地是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代
的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q1)(Q2)(Q3)、
‑
N(Q1)(Q2)、
‑
B(Q1)(Q2)、
‑
C(=O)(Q1)、
‑
S(=O)2(Q1)或
‑
P(=O)(Q1)(Q2),d1至d3各自独立地为1至10的整数,Z是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团,R1至R3、R
41
至R
43
、R
1a
和R
1b
中的两个或多于两个的相邻基团任选地彼此连接以形成未取代的或被至少一个R
10a
取代的C5‑
C
30
碳环基团、或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
30
杂环基团,以及R
10a
是:氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团或硝基基团;各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
11
)(Q
12
)(Q
13
)、
‑
N(Q
11
)(Q
12
)、
‑
B(Q
11
)(Q
12
)、
‑
C(=O)(Q
11
)、
‑
S(=O)2(Q
11
)、
‑
P(=O)(Q
11
)(Q
12
)或其任意组合取代的C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团或C1‑
C
60
烷氧基基团;各自未取代的或者被氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C2‑
C
60
烯基基团、C2‑
C
60
炔基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团、C6‑
C
60
芳硫基基团、
‑
Si(Q
21
)(Q
22
)(Q
23
)、
‑
N(Q
21
)(Q
22
)、
‑
B(Q
21
)(Q
22
)、
‑
C(=O)(Q
21
)、
‑
S(=O)2(Q
21
)、
‑
P(=O)(Q
21
)(Q
22
)或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团、C1‑
C
60
杂环基团、C6‑
C
60
芳氧基基团或C6‑
C
60
芳硫基基团;或者
‑
Si(Q
31
)(Q
32
)(Q
33
)、
‑
N(Q
31
)(Q
32
)、
‑
B(Q
31
)(Q
32
)、
‑
C(=O)(Q
31
)、
‑
S(=O)2(Q
31
)或
‑
P(=O)(Q
31
)(Q
32
);以及其中Q1至Q3、Q
11
至Q
13
、Q
21
至Q
23
以及Q
31
至Q
33
各自独立地是:氢;氘;
‑
F;
‑
Cl;
‑
Br;
‑
I;羟基基团;氰基基团;硝基基团;C1‑
C
60
烷基基团;C2‑
C
60
烯基基团;C2‑
C
60
炔基基团;C1‑
C
60
烷氧基基团;或者各自未取代的或者被氘、
‑
F、氰基基团、C1‑
C
60
烷基基团、C1‑
C
60
烷氧基基团、苯基基团、联苯基基团或其任意组合取代的C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C
60
杂环基团。2.如权利要求1所述的发光装置,其中所述第一电极是阳极,所述第二电极是阴极,所述中间层进一步包括在所述第一电极与所述发射层之间的空穴传输区和在所述发射层与所述第二电极之间的电子传输区,所述空穴传输区包括空穴注入层、空穴传输层、发射辅助层、电子阻挡层或其任意组合,所述电子传输区包括空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层,或其任意组合,以及所述发射层包含所述至少一种有机金属化合物。3.如权利要求2所述的发光装置,其中所述发射层进一步包含由式301表示的主体:式301[Ar
301
]
xb11
‑
[(L
301
)
xb1
‑
R
301
]
xb21
,以及其中,在式301中,Ar
301
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团,
L
301
各自独立地是未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C3‑
C
60
碳环基团或者未取代的或被至少一个R
10a
取代的二价C1‑
C
60
杂环基团,xb11是1、2或3,xb1是0至5的整数,R
301
是氢、氘、
‑
F、
‑
Cl、
‑
Br、
‑
I、羟基基团、氰基基团、硝基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
烯基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C2‑
C
60
炔基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
烷氧基基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C3‑
C
60
碳环基团、未取代的或被至少一个R
10a
取代的C1‑
C
60
杂环基团、
‑
Si(Q
301
)(Q
302
)(Q
303
)、
‑
N(Q
301
)(Q
302
)、
‑
B(Q
301
)(Q
302
)、
‑
C(=O)(Q
301
)、
‑
S(=O)2(Q
301
)或
‑
P(=O)(Q
301
)(Q
302
),xb21是1至5的整数,Q
301
至Q
303
各自独立地与关于权利要求1中的Q1描述的相同,以及当式301中的xb11是2或大于2时,两个或多于两个的Ar
301
任选地经由单键彼此连接,以及R
10a
与权利要求1中描述的相同。4.电子设备,包括权利要求1至3中任一项所述的发光装置。5.由式1表示的有机金属化合物:式1其中,在式1中,M是过渡金属,CY1至CY3各自独立地是C3‑
C
60
碳环基团或C1‑
C<...
【专利技术属性】
技术研发人员:韩定勳,高秀秉,申秀珍,安恩秀,李在晟,李炫汀,
申请(专利权)人:三星显示有限公司,
类型:发明
国别省市:
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