本实用新型专利技术涉及一种半导体芯片超声波清洗装置，包括箱体和设备箱，所述设备箱安装在箱体的背部一侧，所述箱体的内部开设有三个清洗槽，其中，两个清洗槽的底部安装有超声波振子；剩余一个清洗槽的两侧安装有烘干装置，且其顶部还安装有往复吹风装置；所述设备箱中安装有超声波发生器，所述超声波发生器与超声波振子连接。通过这三个清洗槽，半导体芯片工件经过有效地超声波清洗、漂洗、吹干后使之达到需要的高洁净度要求。需要的高洁净度要求。需要的高洁净度要求。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体芯片超声波清洗装置
[0001]本技术涉及零件清洗
，尤其涉及一种半导体芯片超声波清洗装置。
技术介绍
[0002]针对半导体芯片清洗而言，现有技术一般采用下两种方式：
[0003]传统的清洗方式是利用去离子水冲洗芯片，这种方式中，去离子水以很高的流量冲击芯片，将芯片上的杂质和污染物冲走，从而达到清洗效果。但是这种清洗方法对芯片的冲击力过大，容易造成元件图案的损坏，并且这种清洗方式的去离子水的利用率低，导致资源浪费。另一种清洗方式是采用盐酸或氢氟酸进行浸泡清洗，然而，此种清洗方法的清洗效果不佳，表面残留的溶液会对芯片表面造成腐蚀。
技术实现思路
[0004]本技术的目的在于提供一种半导体芯片超声波清洗装置，以解决上述
技术介绍
中遇到的问题。
[0005]为实现上述目的，本技术的技术方案如下：
[0006]一种半导体芯片超声波清洗装置，包括箱体和设备箱，所述设备箱安装在箱体的背部一侧，所述箱体的内部开设有三个清洗槽，其中，两个清洗槽的底部安装有超声波振子；剩余一个清洗槽的两侧安装有烘干装置，且其顶部还安装有往复吹风装置；所述设备箱中安装有超声波发生器，所述超声波发生器与超声波振子连接。
[0007]上述方案中，所述往复吹风装置包括气刀喷嘴和气缸，所述气缸安装在箱体的背部，所述气缸的伸缩杆伸入至所述清洗槽的内部与气刀喷嘴固定连接，所述设备箱的顶部安装有气源处理器，所述气源处理器通过电磁阀与气刀喷嘴的进气口连接。
[0008]上述方案中，所述烘干装置为不锈钢加热管，两个所述烘干装置之间的所述清洗槽两侧开设有散热孔。
[0009]上述方案中，每个清洗槽中分别安装有篮筐，每个清洗槽的顶部分别安装有盖板。
[0010]上述方案中，所述设备箱的顶部通过支架安装有电气箱，所述箱体的顶部安装有操作屏，所述操作屏、往复吹风装置、超声波发生器、超声波振子、烘干装置分别与电气箱中的元器件电连接。
[0011]与现有技术相比，本技术的有益效果是：三个清洗槽中，两个清洗槽在超声波振子的作用下产生高频率超音频信号，使液体流动并在清洗槽内产生无数的微小气泡，这些气泡的闭合形成瞬间高压，连续不断的轰击芯片工件表面，使芯片工件表面及缝隙之中的污垢迅速剥落，达到迅速清洗的效果。剩余一个清洗槽的两侧安装有烘干装置，且其顶部还安装有往复吹风装置，该清洗槽采用往复运动设备和压缩空气并结合循环热风对半导体芯片进行烘干。通过这三个清洗槽，半导体芯片工件经过有效地超声波清洗、漂洗、吹干后使之达到需要的高洁净度要求。
附图说明
[0012]参照附图来说明本技术的公开内容。应当了解，附图仅仅用于说明目的，而并非意在对本技术的保护范围构成限制。在附图中，相同的附图标记用于指代相同的部件。其中：
[0013]图1为本技术正面立体结构示意图；
[0014]图2为本技术正面立体结构示意图；
[0015]图3为本技术俯视结构示意图；
[0016]图4为图3中A
‑
A截面结构示意图；
[0017]图5为图3中B
‑
B截面结构示意图。
[0018]图中标号：1
‑
箱体；11
‑
清洗槽；12
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置物板；13
‑
篮筐；14
‑
超声波振子；15
‑
烘干装置；2
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设备箱；21
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超声波发生器；22
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气源处理器；23
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电磁阀；3
‑
往复吹风装置；31
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气刀喷嘴；32
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气缸；4
‑
电气箱；41
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操作屏。
具体实施方式
[0019]为了使本技术实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，现在结合附图对本技术作进一步详细的说明。这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本技术的基本结构，因此其仅显示本技术有关的构成。
[0020]根据本技术的技术方案，在不变更本技术实质精神下，本领域的一般技术人员可以提出可相互替换的多种结构方式以及实现方式。因此，以下具体实施方式以及附图仅是对本技术的技术方案的示例性说明，而不应当视为本技术的全部或者视为对本技术技术方案的限定或限制。
[0021]下面结合附图和实施例对本技术的技术方案做进一步的详细说明。
[0022]如图1
‑
5所示，一种半导体芯片超声波清洗装置，包括箱体1和设备箱2，设备箱2安装在箱体1的背部一侧，箱体1的内部开设有三个清洗槽11，依次对半导体芯片进行轮流清洗。其中，两个清洗槽11的底部安装有超声波振子14，超声波振子14采用28KHz 840W的超声波清洗振子。设备箱2中安装有超声波发生器21，超声波发生器21采用1500w的超声波发生器，超声波发生器21与超声波振子14连接，用于对需清洗的半导体芯片工件进行浸没超声波清洗，以达到对芯片工件表面清洗的目的。
[0023]这两个清洗槽11分为第1槽
‑
超声波清洗槽和第2槽
‑
超声波漂洗槽，第1槽
‑
超声波清洗槽在实施时采用酸性预清洗液对半导体芯片进行超声波预清洗，第2槽
‑
超声波漂洗槽采用碱性清洗液对半导体芯片进行超声波清洗。这两个清洗槽11的槽体底部设有一排液阀，可将沉积在槽底的污物从排液阀中排出槽体。
[0024]两个清洗槽11在超声波振子14的作用下产生高频率超音频信号，使液体流动并在清洗槽11内产生无数的微小气泡，这些气泡的闭合形成瞬间高压，连续不断的轰击芯片工件表面，使芯片工件表面及缝隙之中的污垢迅速剥落，达到迅速清洗的效果。
[0025]剩余一个清洗槽11的两侧安装有烘干装置15，且其顶部还安装有往复吹风装置3。该清洗槽11为第3槽
‑
往复吹干、热风烘干槽。烘干装置15为不锈钢加热管，两个烘干装置15之间的清洗槽11两侧开设有散热孔，通过散热孔将不锈钢加热管产生的热空气输入到清洗槽11中，产生循环热风。往复吹风装置3采用往复运动设备和压缩空气并结合循环热风对半
导体芯片进行烘干。不锈钢空气加热管加热时加热功率1KW。还可以在该清洗槽11的储液箱外壁贴有保温膜，有效防止热量散失，节省能耗。
[0026]往复吹风装置3包括气刀喷嘴31和气缸32，气刀喷嘴31采用LQD
‑
275的铝合金气刀，尺寸为长275mm宽28mm高45mm，气缸32采用型号为SE32
‑
250S
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FA的直线气缸。气缸32通过气缸座安装在箱体1的背部，气缸32的伸缩杆伸入至清洗槽11的内部与气刀喷嘴31固定连接，当缸32的伸缩杆伸缩运动时带动气刀喷嘴31一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体芯片超声波清洗装置，包括箱体(1)和设备箱(2)，所述设备箱(2)安装在箱体(1)的背部一侧，其特征在于：所述箱体(1)的内部开设有三个清洗槽(11)，其中，两个清洗槽(11)的底部安装有超声波振子(14)；剩余一个清洗槽(11)的两侧安装有烘干装置(15)，且其顶部还安装有往复吹风装置(3)；所述设备箱(2)中安装有超声波发生器(21)，所述超声波发生器(21)与超声波振子(14)连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片超声波清洗装置，其特征在于：所述往复吹风装置(3)包括气刀喷嘴(31)和气缸(32)，所述气缸(32)安装在箱体(1)的背部，所述气缸(32)的伸缩杆伸入至所述清洗槽(11)的内部与气刀喷嘴(31)固定连接，所述设备箱(2)的顶部安装有气源处理器(22)，所述气源处理器(22)通过电磁阀(23)与气刀喷嘴(31...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨阳，陆荧洁，
申请(专利权)人：无锡奥环智能科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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