可调式隔离环及可调式隔离环的版图生成方法技术

本发明专利技术涉及集成电路版图设计技术领域，具体涉及一种可调式隔离环及可调式隔离环的版图生成方法。可调式隔离环包括首尾相连的多个隔离单元，其中，相邻两个隔离单元的重叠区域共用接触孔。本实施例不仅在重叠区域内设置接触孔，而且还可作到相邻两个隔离单元在重叠区域之处共用接触孔，如此可降低隔离环的阻抗，避免因接触孔部分错开或者完全错开而导致隔离环的阻抗过高的问题，有利于提高隔离环的应用范围。用范围。用范围。

【技术实现步骤摘要】
可调式隔离环及可调式隔离环的版图生成方法


[0001]本专利技术涉及集成电路版图设计
，具体涉及一种可调式隔离环及可调式隔离环的版图生成方法。

技术介绍

[0002]MOS器件的版图结构设计需要在MOS器件周围环绕设置衬底隔离环，其中，衬底隔离环包括接触孔、有源区及注入层。现有技术在绘制衬底隔离环时，需要在版图绘制软件上一笔一画地连接出矩形框和接触孔，尤其是在相邻两条隔离单元的重叠区域，由于无法在满足设计规则的要求下作到接触孔的完全重叠，往往在相邻两条隔离单元的重叠区域之处取消接触孔的设置，虽然此举满足了设计规则的要求，但是此举提高了衬底隔离环的阻抗，从而间接地提高了MOS器件的阻抗，不利于MOS器件在低阻抗场景下的应用。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例的一个目的旨在提供一种可调式隔离环及可调式隔离环的版图生成方法，旨在改善现有隔离环的阻抗较高的问题。
[0004]在第一方面，本专利技术实施例提供一种可调式隔离环，包括首尾相连的多个隔离单元，其中，相邻两个所述隔离单元的重叠区域共用接触孔。
[0005]可选地，每个所述隔离单元包括阱单元，所述阱单元设有注入层，所述注入层内设有有源区，所述有源区均匀设有接触孔，所述有源区的上表面层叠设有金属层。
[0006]可选地，所述阱单元为P阱，所述P阱的有源区的宽度为：
[0007]W
p1
＝nA
p1
+S
p1
(n
‑
1)+2B
p1
；
[0008]所述P阱的注入层的宽度为：
[0009]W
p2
＝W
p1
+2C
p1
；
[0010]其中，W
p1
为所述有源区的宽度，n为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
p1
为所述接触孔的宽度，S
p1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
p1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
p2
为所述注入层的宽度，C
p1
为所述注入层的同侧内边到所述有源区的同侧外边的最小距离。
[0011]可选地，所述阱单元为N阱，所述N阱的有源区的宽度为：
[0012]W
N1
＝mA
N1
+S
N1
(m
‑
1)+2B
N1
；
[0013]所述N阱的注入层的宽度为：
[0014]W
N2
＝W
N1
+2C
N1
；
[0015]所述N阱的宽度为：
[0016]W
N3
＝W
N2
+2D
N1
；
[0017]其中，W
N1
为所述有源区的宽度，M为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
N1
为所述接触孔的宽度，S
N1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
N1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
N2
为所述注入层的宽度，C
N
为所述注入层的同侧内边到所述
有源区的同侧外边的最小距离，W
N3
为所述N阱的宽度，D
N1
为所述N阱外边到所述注入层的最小距离。
[0018]可选地，各个所述阱单元的金属层之间是不连续的。
[0019]在第二方面，本专利技术实施例提供一种可调式隔离环的版图生成方法，包括：
[0020]从预设文本路径将脚本文件导入版图绘制应用程序，其中，所述版图绘制应用程序提供有版图绘制界面；
[0021]在所述版图绘制界面上选择原点，并以所述原点作为固定点，绘制目标尺寸的矩形框；
[0022]响应用户输入的排数，执行所述脚本文件以生成首尾相连的多个隔离单元以获得隔离环，相邻两个所述隔离单元的重叠区域共用接触孔。
[0023]可选地，每个所述隔离单元包括阱单元，所述阱单元设有注入层，所述注入层内设有有源区，所述有源区均匀设有接触孔，所述有源区的上表面层叠设有金属层。
[0024]可选地，当所述阱单元为P阱时，在从预设文本路径将脚本文件导入版图绘制应用程序前，所述版图生成方法还包括：
[0025]根据以下公式，生成脚本文件，并将所述脚本文件保存在所述预设文本路径下的文件夹上：
[0026]W
p1
＝nA
p1
+S
p1
(n
‑
1)+2B
p1
；
[0027]W
p2
＝W
p1
+2C
p1
；
[0028]其中，W
p1
为所述有源区的宽度，n为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
p1
为所述接触孔的宽度，S
p1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
p1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
p2
为所述注入层的宽度，C
p1
为所述注入层的同侧内边到所述有源区的同侧外边的最小距离。
[0029]可选地，当所述阱单元为N阱时，在从预设文本路径将脚本文件导入版图绘制应用程序前，所述版图生成方法还包括：
[0030]根据以下公式，生成脚本文件，并将所述脚本文件保存在所述预设文本路径下的文件夹上：
[0031]W
N1
＝mA
N1
+S
N1
(m
‑
1)+2B
N1
；
[0032]W
N2
＝W
N1
+2C
N1
；
[0033]W
N3
＝W
N2
+2D
N1
；
[0034]其中，W
N1
为所述有源区的宽度，M为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
N1
为所述接触孔的宽度，S
N1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
N1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
N2
为所述注入层的宽度，C
N
为所述注入层的同侧内边到所述有源区的同侧外边的最小距离，W
N3
为所述N阱的宽度，D
N1
为所述N阱外边到所述注入层的最小距离。
[0035]可选地，所述响应用户输入的排数，执行所述脚本文件以生成首尾相连的多个隔离单元包括：
[0036]根据所述原点，建立坐标系；
[0037]确定所述矩形框在所述坐标系的四个第一顶点的坐标本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可调式隔离环，其特征在于，包括首尾相连的多个隔离单元，其中，相邻两个所述隔离单元的重叠区域共用接触孔。2.根据权利要求1所述的隔离环，其特征在于，每个所述隔离单元包括阱单元，所述阱单元设有注入层，所述注入层内设有有源区，所述有源区均匀设有接触孔，所述有源区的上表面层叠设有金属层。3.根据权利要求2所述的隔离环，其特征在于，所述阱单元为P阱，所述P阱的有源区的宽度为：W
p1
＝nA
p1
+S
p1
(n
‑
1)+2B
p1
；所述P阱的注入层的宽度为：W
p2
＝W
p1
+2C
p1
；其中，W
p1
为所述有源区的宽度，n为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
p1
为所述接触孔的宽度，S
p1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
p1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
p2
为所述注入层的宽度，C
p1
为所述注入层的同侧内边到所述有源区的同侧外边的最小距离。4.根据权利要求2所述的隔离环，其特征在于，所述阱单元为N阱，所述N阱的有源区的宽度为：W
N1
＝mA
N1
+S
N1
(m
‑
1)+2B
N1
；所述N阱的注入层的宽度为：W
N2
＝W
N1
+2C
N1
；所述N阱的宽度为：W
N3
＝W
N2
+2D
N1
；其中，W
N1
为所述有源区的宽度，M为所述有源区的同侧外边到同侧内边所经过接触孔的排数，A
N1
为所述接触孔的宽度，S
N1
为相邻两个所述接触孔之间的距离，B
N1
为所述接触孔到所述有源区的最小距离，W
N2
为所述注入层的宽度，C
N
为所述注入层的同侧内边到所述有源区的同侧外边的最小距离，W
N3
为所述N阱的宽度，D
N1
为所述N阱外边到所述注入层的最小距离。5.根据权利要求2至4任一项所述的隔离环，其特征在于，各个所述阱单元的金属层之间是不连续的。6.一种可调式隔离环的版图生成方法，其特征在于，包括：从预设文本路径将脚本文件导入版图绘制应用程序，其中，所述版图绘制应用程序提供有版图绘制界面；在所述版图绘制界面上选择原点，并以所述原点作为固定点，绘制目标尺寸的矩形框；响应用户输入的排数，执行所述脚本文件以生成首尾相连的多个隔离单元以获得隔离环，相邻两个所述隔离单元的重叠区域共用接触孔。7.根据权利要求6所述的版图生成方法，其特征在于，每个所述隔离单元包括阱单元，所述阱单元设有注入层，所述注入层内设有有源区，所述有源区均匀设有接触孔，所述有源区的上表面层叠设有金属层。8.根据权利要求7所述的版图生成方法，其特征在于，当所述阱单元为P阱时，在从预设文本路径将脚本文件导入版图绘制应用程序前...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱德崇，瞿涛，
申请(专利权)人：深圳市中科蓝讯科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：