薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法制造方法及图纸

本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法，其中，薄膜晶体管包括：衬底；第一极，设置于衬底的一侧；第一金属氧化物层，设置于第一极的背离衬底的一侧；有源层，设置于第一金属氧化物层的背离衬底的一侧，有源层包括沟道区和位于沟道区两端的漏区和源区，漏区与第一金属氧化物层接触；栅极，设置于有源层的背离衬底的一侧，且栅极在衬底上的正投影区域与沟道区在衬底上的正投影区域对应；第二极，设置于有源层的背离衬底的一侧，且第二极与源区接触。本申请实施例的技术方案可以避免在过刻蚀的过程中露出第一极中的底层金属，从而避免第一极的表面氧化，实现有源层与第一极的良好搭接。层与第一极的良好搭接。层与第一极的良好搭接。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法。

技术介绍

[0002]相关技术中，如图1所示，为使有源层1能够与金属电极2接触，需要干刻绝缘层3。为保证刻蚀效果，会进行一定程度的过刻蚀。然而，过刻蚀会导致金属电极2的铜或铝露出，金属电极2的铜或铝与有源层1直接接触会导致界面氧化。另外，在对有源层1进行导体化的过程中，通常仅有源层1的上部导体化，有源层1的下部仍具有较大的电阻，难以实现有源层1与金属电极2的良好搭接。

技术实现思路

[0003]本申请实施例提供一种薄膜晶体管、显示面板、显示装置和制备方法，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。
[0004]作为本申请实施例的第一方面，本申请实施例提供一种薄膜晶体管，包括：
[0005]衬底；
[0006]第一极，设置于衬底的一侧；
[0007]第一金属氧化物层，设置于第一极的背离衬底的一侧；
[0008]有源层，设置于第一金属氧化物层的背离衬底的一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一极，设置于所述衬底的一侧；第一金属氧化物层，设置于所述第一极的背离所述衬底的一侧；有源层，设置于所述第一金属氧化物层的背离所述衬底的一侧，所述有源层包括沟道区和位于所述沟道区两端的漏区和源区，所述漏区与所述第一金属氧化物层接触；栅极，设置于所述有源层的背离所述衬底的一侧，且所述栅极在所述衬底上的正投影区域与所述沟道区在所述衬底上的正投影区域对应；第二极，设置于所述有源层的背离所述衬底的一侧，且所述第二极与所述源区接触。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一金属氧化物层包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化铟、铟镓锌氧化物和铟镓锡氧化物中的至少一种。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述漏区的远离所述源区的一端与所述第二极之间的电阻为R，其中，1000Ω≤R≤2000Ω。4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：介质层，设置于所述第一金属氧化物层背离所述衬底的一侧，覆盖所述第一金属氧化物层和所述衬底，所述介质层上形成有至少一个第一过孔，所述第一金属氧化物层的至少部分通过所述第一过孔露出，所述漏区通过所述第一过孔与所述第一金属氧化物层接触；栅绝缘层，设置于所述有源层和所述栅极之间。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层在所述衬底上的正投影区域与所述栅极在所述衬底上的正投影区域对应，所述栅绝缘层与所述第一过孔和所述第二极均间隔设置。6.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅绝缘层覆盖所述介质层、所述漏区和所述沟道区，所述栅绝缘层上形成有第二过孔，所述源区的至少部分通过所述第二过孔露出，所述第二极通过所述第二过孔与所述源区接触。7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：金属部，与所述第一极同层间隔设置，且所述金属部在所述衬底上的正投影区域与所述沟道区在...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘凤娟，王东方，卢昱行，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：