一种多重保护控制开关电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种多重保护控制开关电路，其包括输入端、负载端、连接于输入端与负载端之间并用于控制负载端通断的主开关模块、用于驱动该主开关模块导通/关断的第一驱动控制模块、用于驱动主开关模块导通/关断的第二驱动控制模块、均与负载端连接的第一电流检测回路和第二电流检测回路、通过第一光耦与第一电流检测回路连接的第一过流保护控制模块、通过第二光耦与第二电流检测回路连接的第二过流保护控制模块、MCU控制芯片及供电模块，该供电模块与输入端连接，并且MCU控制芯片与第一、第二电流检测回路及第一、第二过流保护控制模块连接。本实用新型专利技术增加多级控制与多重保护控制方案，增强产品可靠性、安全性及提高用户体验。安全性及提高用户体验。安全性及提高用户体验。

【技术实现步骤摘要】
一种多重保护控制开关电路

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[0001]本技术涉及电子电路
，特指一种多重保护控制开关电路。

技术介绍
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[0002]目前市场上关于家电的控制电路，在设计上虽然有基本的功能与保护控制，但保护过于单一，一旦出现某些元件失效，就会造成整个控制电路无法控制与保护等异常，而出现这些异常时，轻则造成产品不能工作，严重时会对消费者财产，甚至人生安全有重大影响，所以一个完善的控制与保护电路对使用者来讲是非常重要的。
[0003]有鉴于此，本专利技术人提出以下技术方案。

技术实现思路
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[0004]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种多重保护控制开关电路。
[0005]为了解决上述技术问题，本技术采用了下述技术方案：该多重保护控制开关电路包括输入端、负载端、连接于该输入端与负载端之间并用于控制负载端通断的主开关模块、用于驱动该主开关模块导通/关断的第一驱动控制模块、用于驱动该主开关模块导通/关断的第二驱动控制模块、均与负载端连接的第一电流检测回路和第二电流检测回路、通过第一光耦与第一电流检测回路连接的第一过流保护控制模块、通过第二光耦与第二电流检测回路连接的第二过流保护控制模块、MCU控制芯片以及供电模块，该供电模块与输入端连接，并且所述MCU控制芯片与第一电流检测回路、第二电流检测回路、第一过流保护控制模块和第二过流保护控制模块连接。
[0006]进一步而言，上述技术方案中，所述输入端的L线连接有保险丝F1，所述输入端的L线与N线之间连接有相互并联连接的压敏电阻器VR1、安规电容CX1、安规电容CX2，该输入端的L线与N线之间连接有串联连接的电阻R30、电阻R31、电阻R32，所述主开关模块连接在L线上。
[0007]进一步而言，上述技术方案中，所述输入端与负载端之间还连接有整流桥和电阻RS1、电容C40，且该负载端上还连接有二极管D9；第一电流检测回路、第二电流检测回路均与该电阻RS1连接。
[0008]进一步而言，上述技术方案中，所述主开关模块与负载端之间还连接有手柄开关；所述主开关模块为继电器。
[0009]进一步而言，上述技术方案中，所述第一驱动控制模块包括有三极管Q2、与三极管Q2的B极连接的电阻R39和电阻R40及电容C22，该三极管Q2的C极连接主开关模块，该电阻R39连接MCU控制芯片，该电阻R40及电容C22还均接地，该三极管Q2的B极还连接第一过流保护控制模块；所述第二驱动控制模块包括有MOS管Q1、依次与MOS管Q1的G极串联连接的电阻R36、二极管D7、电容C21和电阻R38、连接于该MOS管Q1的G极和S极之间的电阻R37，该电阻R38连接MCU控制芯片，该电阻R36与二极管D7之间的连接线还连接电容C20后接地，该二极管D7与电容C21之间的连接线还连接二极管D8后接地，该MOS管Q1的S极接地，MOS管Q1的D极
连接三极管Q2的E极，该MOS管Q1的G极还连接第二过流保护控制模块。
[0010]进一步而言，上述技术方案中，所述第一电流检测回路包括有串联连接的电阻R90、电阻R64以及与电阻R64连接的电阻R65、并联连接于电阻R65两端的二极管D13和电容C36，该电阻R64、电阻R65、二极管D13和电容C36均连接第一光耦的输入端，该第一光耦的输出端连接第一过流保护控制模块，该电阻R90连接电阻RS1。
[0011]进一步而言，上述技术方案中，所述第二电流检测回路包括有串联连接的电阻R44、电阻R43、连接于电阻R43与第二光耦的输入端之间的电阻R42、与第二光耦的输入端并联连接的电阻R45、二极管D10和电容C34、以及可控精密稳压源芯片U3，该电阻R43还连接+5V端，该可控精密稳压源芯片U3的A脚与R脚之间连接有C23，该可控精密稳压源芯片U3的K脚连接第二光耦的输入端，该第二光耦的输出端连接第二过流保护控制模块，该电阻R44连接电阻RS1。
[0012]进一步而言，上述技术方案中，所述第一过流保护控制模块包括有三极管Q8、MOS管Q7、三极管Q12，其中，该MOS管Q7的G极连接电阻R78及电阻R67后连接第一光耦的输出端，该MOS管Q7的S极与三极管Q12的E极连接，该三极管Q12的C极连接第一驱动控制模块，该三极管Q12的B极连接电阻R80后连接三极管Q8的C极，该三极管Q8的E极连接+5V端，该三极管Q8的B极连接电阻R79后连接MOS管Q7的D极，该三极管Q8的C极连接二极管D15后连接MCU控制芯片。
[0013]进一步而言，上述技术方案中，所述第二过流保护控制模块包括有三极管Q10、MOS管Q9、三极管Q11，其中，该MOS管Q9的G极连接电阻R68及电阻R47后连接第二光耦的输出端，该MOS管Q9的S极与三极管Q11的E极连接，该三极管Q11的C极连接第二驱动控制模块，该三极管Q11的B极连接电阻R72后连接三极管Q10的C极，该三极管Q10的E极连接+5V端，该三极管Q10的B极连接电阻R71后连接MOS管Q9的D极，该三极管Q10的C极连接二极管D16后连接MCU控制芯片。
[0014]进一步而言，上述技术方案中，所述供电模块包括有将AC电压转换为12VDC电压的AC/DC转换电路、与AC/DC转换电路连接的+12V端和降压稳压芯片和与降压稳压芯片输出端的+5V端，该降压稳压芯片的型号为CJ78L05。
[0015]采用上述技术方案后，本技术与现有技术相比较具有如下有益效果：本技术增加多级控制与多重保护控制方案，增强产品可靠性、安全性及提高用户体验。
附图说明：
[0016]图1是本技术的电路图。
具体实施方式：
[0017]下面结合具体实施例和附图对本技术进一步说明。
[0018]见图1所示，为一种多重保护控制开关电路，其包括输入端1、负载端2、主开关模块3、第一驱动控制模块4、第二驱动控制模块5、第一电流检测回路6和第二电流检测回路7、第一过流保护控制模块8、第二过流保护控制模块9、MCU控制芯片10以及供电模块11。
[0019]所述主开关模块3连接于该输入端1与负载端2之间并用于控制负载端2通断。第一驱动控制模块4用于驱动该主开关模块3导通/关断；且该第二驱动控制模块5也可以控制该
主开关模块3导通/关断。第一电流检测回路6和第二电流检测回路7均与负载端2连接，并均用于检测负载端2的电流。所述第一过流保护控制模块8通过第一光耦61与第一电流检测回路6连接，并配合MCU控制芯片10控制该第一驱动控制模块4工作，以此控制主开关模块3导通/关断。所述第二过流保护控制模块9通过第二光耦71与第二电流检测回路7连接，并配合MCU控制芯片10控制该第二驱动控制模块5工作，以此控制主开关模块3导通/关断。所述供电模块11与输入端1连接，并且所述MCU控制芯片10与第一电流检测回路6、第二电流检测回路7、第一过流保护控制模块8和第二过流保护控制模块9连接。也就是说，本技术增加多级控制与多重保本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多重保护控制开关电路，其特征在于：其包括输入端(1)、负载端(2)、连接于该输入端(1)与负载端(2)之间并用于控制负载端(2)通断的主开关模块(3)、用于驱动该主开关模块(3)导通/关断的第一驱动控制模块(4)、用于驱动该主开关模块(3)导通/关断的第二驱动控制模块(5)、均与负载端(2)连接的第一电流检测回路(6)和第二电流检测回路(7)、通过第一光耦(61)与第一电流检测回路(6)连接的第一过流保护控制模块(8)、通过第二光耦(71)与第二电流检测回路(7)连接的第二过流保护控制模块(9)、MCU控制芯片(10)以及供电模块(11)，该供电模块(11)与输入端(1)连接，并且所述MCU控制芯片(10)与第一电流检测回路(6)、第二电流检测回路(7)、第一过流保护控制模块(8)和第二过流保护控制模块(9)连接。2.根据权利要求1所述的一种多重保护控制开关电路，其特征在于：所述输入端(1)的L线连接有保险丝F1，所述输入端(1)的L线与N线之间连接有相互并联连接的压敏电阻器VR1、安规电容CX1、安规电容CX2，该输入端(1)的L线与N线之间连接有串联连接的电阻R30、电阻R31、电阻R32，所述主开关模块(3)连接在L线上。3.根据权利要求1所述的一种多重保护控制开关电路，其特征在于：所述输入端(1)与负载端(2)之间还连接有整流桥(101)和电阻RS1、电容C40，且该负载端(2)上还连接有二极管D9；第一电流检测回路(6)、第二电流检测回路(7)均与该电阻RS1连接。4.根据权利要求1
‑
3任意一项所述的一种多重保护控制开关电路，其特征在于：所述主开关模块(3)与负载端(2)之间还连接有手柄开关(102)；所述主开关模块(3)为继电器。5.根据权利要求1
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3任意一项所述的一种多重保护控制开关电路，其特征在于：所述第一驱动控制模块(4)包括有三极管Q2、与三极管Q2的B极连接的电阻R39和电阻R40及电容C22，该三极管Q2的C极连接主开关模块(3)，该电阻R39连接MCU控制芯片(10)，该电阻R40及电容C22还均接地，该三极管Q2的B极还连接第一过流保护控制模块(8)；所述第二驱动控制模块(5)包括有MOS管Q1、依次与MOS管Q1的G极串联连接的电阻R36、二极管D7、电容C21和电阻R38、连接于该MOS管Q1的G极和S极之间的电阻R37，该电阻R38连接MCU控制芯片(10)，该电阻R36与二极管D7之间的连接线还连接电容C20后接地，该二极管D7与电容C21之间的连接线还连接二极管D8后接地，该MOS管Q1的S极接地，MOS管Q1的D极连接三极管Q2的E极，该MOS管Q1的G极还连接第二过流保护控制模块(9)。6.根据权利要求3所述的一种多重...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖克硕，
申请(专利权)人：东莞启益电器机械有限公司，
类型：新型
国别省市：