线圈装置及制造方法制造方法及图纸

技术编号:34814348 阅读:15 留言:0更新日期:2022-09-03 20:24
提供一种新型的线圈装置。线圈装置包括:支撑体;绝缘性的接合层,设置在所述支撑体上;以及导电性线圈,所述导电性线圈的一部分进入所述接合层。所述接合层。所述接合层。

【技术实现步骤摘要】
线圈装置及制造方法
[0001]本申请是申请号为201980024372.9、申请日为2019年03月04日、专利技术名称为“线圈装置及制造方法”的申请的分案申请。


[0002]本专利技术涉及一种线圈装置。

技术介绍

[0003]线圈装置在各种电类产品中使用。
[0004]日本专利第6102578号提出了一种线圈装置(参照图10)。在图10中,13S表示大致涡形图案,13e是大致涡形图案13S的外周端,19是配线图案。
[0005]上述线圈装置以如下方式制造(参照图11)。在基板10的表面进行基底金属膜11的成膜(参照图11中的(a))。在基底金属膜11上涂布光致抗蚀剂膜12。光致抗蚀剂膜12通过光刻和干蚀刻形成为预定图案(参照图11中的(b))。在光致抗蚀剂膜12的开口部位置处的基底金属膜11上,通过电解镀设置镀膜(参照图11中的(c))。除去光致抗蚀剂膜12(参照图11中的(d))。除去光致抗蚀剂膜12所在位置处的基底金属膜11(参照图11中的(e))。进一步进行电解镀,得到宽高比高的大致涡形(参照图10、图11中的(f))的线圈(镀膜13)。
[0006]也可以根据图12的方法来得到图10的线圈装置。在基板10的表面形成镀膜13(参照图12中的(a))。W
L1
是线宽,W
S1
是间隔宽。接下来,在镀液21中施加低电流。由此,镀膜13各向同性地成长。镀膜13在纵向及横向成长,成为上部弯曲的剖面形状。执行该镀覆工序,直至间隔宽为W
S2r/>(W
S1
>W
S2
>0)、线宽为W
L2
(W
L2
>W
L1
)(参照图12中的(b)、(c))。在该阶段的镀膜以附图标记14表示。镀膜14的厚度T2是上述间隔宽W
S2
的2倍以上。接下来,在镀液21中,施加比上述镀覆时更高的电位。由此,在与镀液21接触的镀膜14的表面生成一定厚度以上的金属离子稀薄层17(厚度W0)(参照图12中的(d))。搅拌镀液21(参照图12中的(e))。金属离子稀薄层17(实质上是绝缘层)覆盖整个镀膜14。通过搅拌来部分地除去金属离子稀薄层17。因为对该除去部分供给金属离子,因而镀覆在单方向上成长。镀膜14成长为高度高的镀膜15(高T3)(参照图12中的(f))。
[0007]专利文献1:日本专利第6102578号

技术实现思路

[0008]但是,上述线圈装置的线圈高度例如根据位置而不同。例如,线圈的最外周位置处的线的高度比线圈的内周侧位置处的线的高度高。因此,线圈特性差。
[0009]本专利技术所要解决的问题是提供一种新型的线圈装置。
[0010]本专利技术提供一种线圈装置,包括:
[0011]支撑体;
[0012]绝缘性的接合层,设置在所述支撑体上;以及
[0013]导电性线圈,所述导电性线圈的一部分进入所述接合层。
[0014]本专利技术的线圈装置,还包括设置在所述导电性线圈的线与线之间的绝缘材料。
[0015]本专利技术的线圈装置,所述导电性线圈的线的位于所述接合层侧的端部的宽度比位于所述接合层相反侧的端部的宽度窄。
[0016]本专利技术的线圈装置,所述导电性线圈的线的位于所述接合层侧的端部是剖面大致弯曲的形状。
[0017]本专利技术的线圈装置,所述接合层的厚度为7至50μm。
[0018]本专利技术的线圈装置,使用从热固化型树脂和光固化型树脂的群中所选择的一种或两种以上作为所述接合层的材料。
[0019]本专利技术的线圈装置,使用从热固化型树脂和光固化型树脂的群中所选择的一种或两种以上作为所述绝缘材料的材料。
[0020]本专利技术的线圈装置,所述线圈是大致涡形或大致螺旋形。
[0021]本专利技术的线圈装置,所述线圈的线的厚度为30至600μm,线与线之间的最靠近距离为5至20μm。
[0022]本专利技术的线圈装置,所述支撑体、所述接合层和所述导电性线圈是单层,或者层叠两层以上。
[0023]本专利技术提供一种线圈装置的制造方法,将设置在第一支撑体上的导电性线圈转印至具有接合层的第二支撑体的所述接合层。
[0024]本专利技术提供一种线圈装置的制造方法,包括:
[0025]A工序,在第一支撑体上设置导电性线圈;
[0026]B工序,在第二支撑体上设置接合层;以及
[0027]C工序,将所述线圈转印至所述接合层上。
[0028]本专利技术的线圈装置的制造方法,在所述转印后或者伴随着所述转印,剥离所述第一支撑体。
[0029]本专利技术的线圈装置的制造方法,在所述导电性线圈的线与线之间填充绝缘材料。
[0030]本专利技术的线圈装置的制造方法,还包括:槽形成工序,在所述第一支撑体的表面形成凹槽;以及镀覆工序,在所述凹槽进行金属镀,在所述金属镀上设置所述线圈。
[0031]本专利技术的制造方法,所述第一支撑体至少表层是金属,在所述金属表面设置光致抗蚀剂膜,在所述光致抗蚀剂膜形成与所述金属表面连接的凹槽,在所述凹槽进行金属镀,在所述金属镀上设置所述线圈。
[0032]本专利技术的线圈装置的制造方法,通过各向异性镀覆来形成所述线圈。
[0033]本专利技术的线圈装置的制造方法,在所述转印中,所述线圈的线的头端部进入所述接合层中。
[0034]本专利技术的线圈装置的制造方法,所述凹槽的宽度比所述线圈的线的宽度窄。
[0035]本专利技术的线圈装置的制造方法,设置在所述凹槽的金属镀的金属种类与所述线圈的金属种类不同。
[0036]本专利技术能够得到新型的线圈装置。
附图说明
[0037]图1是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0038]图2是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0039]图3是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0040]图4是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0041]图5是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0042]图6是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0043]图7是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0044]图8是本专利技术的线圈装置的制造工序的图。
[0045]图9是本专利技术的双层层叠型线圈装置的剖面图。
[0046]图10是以往的线圈装置的俯视图。
[0047]图11是以往的线圈装置的制造工序图。
[0048]图12是以往的线圈装置的制造工序图。
具体实施方式
[0049]以下,说明本专利技术的实施方式。
[0050]第一专利技术是线圈装置。所述装置具有支撑体。所述支撑体一般由绝缘性的材料构成。当然,也可以在一部分中使用导电性材料。不排除导电性材料。即,只要与后述导电性线圈电绝缘即可。在所述支撑体上,设置有后述绝缘性的接合层。因此,因为在导电性线圈与支撑体之间存在接合层(绝缘性),所以支撑体必须本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线圈装置,包括:支撑体;绝缘性的接合层,设置在所述支撑体上;以及导电性线圈,所述导电性线圈的一部分进入所述接合层,所述线圈的线的高度为200至600μm,线的宽度是100至800μm,线与线之间的最靠近距离为5至20μm,所述线圈俯视时是大致涡形或大致螺旋形,所述线圈的进入所述接合层的端部是剖面大致弯曲的形状,所述线圈的位于所述接合层相反侧的端部的表面是平坦面,所述接合层的厚度为7至50μm,并且是所述线圈的线的高度的...

【专利技术属性】
技术研发人员:种子典明高波和男泷井秀吉田中信也
申请(专利权)人:普利坚股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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