电子单元和存储器阵列制造技术

本公开的实施例涉及电子单元和存储器阵列。一种电子单元，包括：集成堆叠，依次包括：第一电极；双向阈值开关层，在所述第一电极下方；以及电阻器，具有固定电阻，在所述双向阈值开关层下方。利用本公开的实施例有利地增加了单元的寿命。元的寿命。元的寿命。

【技术实现步骤摘要】
电子单元和存储器阵列


[0001]本公开一般涉及电子设备，并且更准确地说，涉及被布置在阵列中的集成开关单元。本技术具体涉及双向阈值开关(OTS)设备。

技术介绍

[0002]在硫系材料中，目前研究了两类用于在电子设备中使用的材料，尤其是用于开关设备和存储器的制造的材料。特别是，对无记忆效应的电子开关材料(双向阈值开关(OTS)材料)和相变材料进行了区分。这两种材料都可以用在电子集成器件的薄膜中。
[0003]取决于施加在单元上的电压电位量,OTS材料在“接通”和“关断”状态之间切换。当通过双向阈值开关的电压超过阈值电压时，双向阈值开关的状态发生变化。一旦达到阈值电压，将触发“接通”状态，并且双向阈值开关处于基本导通状态。如果电流或电压降到阈值以下，则双向阈值开关将返回“关断”状态。
[0004]相变材料是指在热作用下可以在晶相和非晶相之间切换的材料。由于非晶材料的电阻明显大于晶体材料的电阻，因此这种现象可以用于定义两种记忆状态，由通过相变材料测量的电阻区分。在相变存储器中最常用的相变材料是由锗、锑和碲组成的合金。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电子单元，其特征在于，包括：集成堆叠，依次包括：第一电极；双向阈值开关层，在所述第一电极下方；以及电阻器，具有固定电阻，在所述双向阈值开关层下方。2.根据权利要求1所述的电子单元，其特征在于，还包括位于所述双向阈值开关层与所述电阻器之间的第二电极。3.根据权利要求2所述的电子单元，其特征在于，所述双向阈值开关层的下表面与所述第二电极的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。4.根据权利要求1所述的电子单元，其特征在于，还包括存储器层，所述存储器层位于所述第一电极与所述双向阈值开关层之间。5.根据权利要求4所述的电子单元，其特征在于，还包括阻挡层，所述阻挡层在所述存储器层与所述双向阈值开关层之间。6.根据权利要求4所述的电子单元，其特征在于，所述存储器层由相变材料制成。7.根据权利要求4所述的电子单元，其特征在于，所述存储器层是电阻式随机存取存储器层。8.根据权利要求4所述的电子单元，其特征在于，所述存储器层是磁阻式随机存取存储器层。9.根据权利要求4所述的电子单元，其特征在于，所述第一电极的下表面与所述存储器层的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。10.根据权利要求1所述的电子单元，其特征在于，所述电阻器具有L形横截面。11.根据权利要求10所述的电子单元，其特征在于，所述电阻器的L形横截面与所述双向阈值开关层的形状自对准。12.根据权利要求1所述的电子单元，其特征在于，所述单元是包括字线和位线的存储器的一部分，并且其中所述单元通过所述电阻器连接到所述字线并且通过所述第一电极连接到所述位线。13.根据权利要求1所述的电子单元，其特征在于，所述双向阈值开关层的上表面与所述第一电极的下表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同的尺寸。14.一种电子单元，其特征在于，包括：集成堆叠，依次包括：第一电极；双向阈值开关层，在所述第一电极下方；以及电阻器，连接到所述双向阈值开关层；其中所述第一电极和所述电阻器由难熔金属或难熔金属氮化物中的一种制成。15.根据权利要求14所述的电子单元，其特征在于，还包括第二电极，所述第二电极位于所述双向阈值开关层与所述电阻器之间。16.根据权利要求15所述的电子单元，其特征在于，所述双向阈值开关层的下表面与所述第二电极的上表面接触，并且其中所述上表面和所述下表面具有相同...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：