羧酰氟的精制方法技术

防止杂质混入导致的R

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】羧酰氟的精制方法


[0001]本专利技术涉及羧酰氟(R
‑
COF，式中R为1价有机基团、氢原子、卤素原子。)的精制方法。本专利技术还涉及高纯度的R
‑
COF及其制造方法。

技术介绍

[0002]已知R
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COF化合物(特别是COF2)难以通过蒸馏与卤化氢(特别是HF)分离，精制需要大量的时间和费用。专利文献1公开了：对于含有HF、HCl和/或HBr及其他成分的气体混合物，特别是含有羧酰氟化物、COF2或五氟化磷和HCl以及根据需要含有HF的气体混合物，能够使用离子性液体进行分馏。但是，专利文献1的精制方法需要昂贵的离子性液体，即使通入离子性液体，也存在HCl以百分比数量级残留于精制物中这样的问题。专利文献2公开了一种酸的分离方法，其特征在于，其是从有机酰氟和酸混合存在的体系中分离酸的方法，其中，作为脱氧剂，使用具有50℃以上的沸点、具有氮原子作为杂原子的芳香族杂环化合物类。但是，该方法存在伴随气体的流动而混入芳香族杂环式化合物并妨碍超高纯度化这样的问题。
[0003]另一方面，对于R
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COF与卤化氢的络合物，有关于发现这种络合物存在这一特定事例的报告。非专利文献1公开了CH3COF与HI的络合物。但是，至今很少有关于这种络合物的报告，不能说有充分的见解。
[0004]现有技术文献
[0005]专利文献
[0006]专利文献1：日本专利5473222号(日本特愿2007
‑
538309号)
>[0007]专利文献2：日本专利4264689号(日本特愿2001
‑
396680号)
[0008]非专利文献
[0009]非专利文献1：J.Phys.Chem.A，Vol.101，No.49，1997，p.9260～9271

技术实现思路

[0010]专利技术要解决的问题
[0011]经过本专利技术人等的深入研究，可以确认R
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COF与卤化氢(HX)会形成络合物。这样的络合物例如由式：R
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COF
‑
HX(X＝F、Cl、Br、I)表示。R
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COF与该络合物难以分离，因此例如下述卤素交换反应：
[0012]R
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COX1+HF
→
R
‑
COF+HX1[0013](式中，R为1价有机基团、氢原子、卤素原子，X1为除氟以外的卤素原子)的反应产物中含有R
‑
COF
‑
HX络合物，由此，即使精制前的合成收率(粗收率)高，由于进行初始馏分的去除以去除杂质等，因此也会导致蒸馏引起的R
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COF收率(蒸馏收率)降低(蒸馏收率的降低)。此外，在以制造纯度高达5N(99.999％以上且低于99.9999％)以上的超高纯度的R
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COF为目的时，利用以往的精制方法无法制造这种超高纯度产品(妨碍超高纯度化)。因此，本专利技术的目的在于，防止杂质混入导致的R
‑
COF的收率降低，稳定地制造R
‑
COF的高纯度产品。
[0014]用于解决问题的方案
[0015]本专利技术人等进行了深入研究，结果发现：通过使用金属氟化物作为卤化氢吸附剂，从而能够有效地分解R
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COF
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HX络合物，由此，可以实现R
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COF化合物的收率提高和超高纯度化。即，本专利技术提供以下内容。
[0016][1][0017]一种羧酰氟的精制方法，其包括：使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触而去除卤化氢的工序。
[0018][2][0019]一种高纯度羧酰氟的制造方法，其包括：使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触的工序。
[0020][3][0021]一种在从含有卤化氢的羧酰氟去除卤化氢的方法中的、使用金属氟化物作为卤化氢吸附剂的方法。
[0022][4][0023]根据[1]～[3]中任一项所述的方法，其中，含有卤化氢的羧酰氟为下述卤素交换反应的反应产物，
[0024]R
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COX1+HF
→
R
‑
COF+HX1[0025](式中，R为1价有机基团、氢原子、卤素原子，X1为除氟以外的卤素原子)。
[0026][5][0027]根据[1]～[3]中任一项所述的方法，其中，含有卤化氢的羧酰氟为羧酰氯与金属氟化物的反应中的反应产物。
[0028][6][0029]根据[1]～[3]中任一项所述的方法，其中，含有卤化氢的羧酰氟为羧酰氯与铬的氟化物的反应中的反应产物。
[0030][7][0031]根据[1]～[6]中任一项所述的方法，其中，卤化氢为选自由氟化氢和氯化氢组成的组中的至少1种。
[0032][8][0033]根据[1]～[7]中任一项所述的方法，其中，去除所述卤化氢的工序中的金属氟化物为氟化钠。
[0034][9][0035]根据[1]～[8]中任一项所述的方法，其中，羧酰氟为三氟乙酰氟。
[0036][10][0037]一种纯度为99.999％以上的羧酰氟。
[0038][11][0039]一种纯度为99.999％以上的三氟乙酰氟。
[0040]专利技术的效果
[0041]根据本专利技术，能够防止杂质混入导致的R
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COF的收率降低，稳定地制造R
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COF的高纯度产品。特别是，根据本专利技术，能够制造出利用以往的精制法无法得到的、纯度高达5N
(99.999％以上且低于99.9999％)以上的超高纯度R
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COF。通过将本专利技术得到的超高纯度R
‑
COF用于半导体制造工艺，从而能够进行比以往更精密的蚀刻，因此工艺的蚀刻性能提高。
附图说明
[0042]图1是CF3COF与HCl的混合物的GC
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TCD图表。
[0043]图2是另外获得的CF3COF单独的GC
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MS图表(上)以及与图1的HCl峰相邻的峰的GC
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MS图表(下)。
具体实施方式
[0044][作用][0045]本专利技术人等发现：如后所述，在得到R
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COF的超高纯度产品时，R
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COF会与卤化氢形成络合物，该络合物使得卤化氢的去除变得困难。在后述实施例一栏仅进行蒸馏的例子中，由于被认为自CF3COF
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HCl络合物可逆释放的HCl，导致初始馏分的去除增多，蒸馏收率降低。另外，即便在蒸馏精制后也无法去除CF3COF
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HCl络合物，无法超高纯度化。另外，为了尽可能提高纯度，低沸馏分、初馏时间延长，生产率降低。本专利技术人等发现，能够通过使用金属氟化物来防止该络合物的形成。根据本专利技术，能够避免以往提出本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种羧酰氟的精制方法，其包括：使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触而去除卤化氢的工序。2.一种高纯度羧酰氟的制造方法，其包括：使含有卤化氢的羧酰氟与金属氟化物接触的工序。3.一种在从含有卤化氢的羧酰氟去除卤化氢的方法中的、使用金属氟化物作为卤化氢吸附剂的方法。4.根据权利要求1～3中任一项所述的方法，其中，含有卤化氢的羧酰氟为下述卤素交换反应的反应产物，R
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COX1+HF
→
R
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COF+HX1式中，R为1价有机基团、氢原子、卤素原子，X1为除氟以外的卤素原子。5.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：木村凉，中西晶子，前原涉平，
申请(专利权)人：关东电化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：