本发明专利技术公开了一种显示基板、制作方法以及显示装置。其中一实施例的显示基板包括：屏下摄像区和围绕屏下摄像区的显示区，其中，所述屏下摄像区包括用于发光的第一发光单元、以及电连接所述第一发光单元的电连接区，其中，所述电连接区包括连接所述第一发光单元的第一电极；所述显示区包括用于发光的第二发光单元、电连接第二发光单元的第二电极，其中，单位面积内所述电连接区的所述第一电极在所述显示基板的衬底上的投影小于等于单位面积内所述第二发光单元的第二电极在所述显示基板的衬底上的投影。本发明专利技术实施例的方案能够提高屏下摄像头区域的透过率，从而实现提高拍摄质量的目的，具有广泛的应用前景。具有广泛的应用前景。具有广泛的应用前景。
【技术实现步骤摘要】
显示基板、制作方法以及显示装置
[0001]本专利技术涉及显示
更具体地，涉及一种显示基板、制作方法以及显示装置。
技术介绍
[0002]OLED显示因为色域高、轻薄化、可挠性成为主流显示结构。目前提升屏占比成为手机创新的核心主线之一，如图1所示，全边框、刘海屏、美人尖、水滴屏、挖孔屏等设计都是为了减少前置摄像头占用空间所做出的努力。
[0003]而完全不占用空间的屏下摄像头(Under
‑
Display
‑
Camera or Under
‑
Panel
‑
Camera，简称UDC)的设计方案则能够极大提高屏占比，但随之而来的问题则是屏下摄像头的拍照质量不佳。
技术实现思路
[0004]本专利技术的目的在于提供一种显示基板、制作方法以及显示装置，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
[0005]为达到上述目的，本专利技术采用下述技术方案：
[0006]本专利技术第一方面提供了一种显示基板，包括：屏下摄像区和围绕屏下摄像区的显示区，其中，
[0007]所述屏下摄像区包括用于发光的第一发光单元、以及电连接所述第一发光单元的电连接区，其中，所述电连接区包括连接所述第一发光单元的第一电极；
[0008]所述显示区包括用于发光的第二发光单元、电连接第二发光单元的第二电极，
[0009]其中，单位面积内所述电连接区的所述第一电极在所述显示基板的衬底上的投影小于单位面积内所述第二发光单元的第二电极在所述显示基板的衬底上的投影。
[0010]进一步的，所述显示基板还包括：
[0011]位于所述屏下摄像区和所述显示区之间且围绕所述屏下摄像区的过渡区；以及
[0012]驱动所述第一发光单元的第一驱动电路；
[0013]其中，所述第一驱动电路设置在所述过渡区在所述衬底上的投影对应的位置处。
[0014]进一步的，所述过渡区包括用于发光的第三发光单元以及电连接所述第三发光单元的第三电极；
[0015]单位面积内所述第一电极在显示基板的衬底的投影小于等于单位面积内所述第三电极在显示基板的衬底上的投影；
[0016]所述第三电极和所述第二电极同层设置。
[0017]进一步的，所述电连接区还包括用于界定图案化的第一电极的电极界定层，其中，所述电极界定层的透过率大于所述第一电极的透过率。
[0018]进一步的，所述显示基板还包括设置在所述电连接区远离所述衬底一侧的辅助电极，所述辅助电极电连接由所述电极界定层界定的第一电极，所述辅助电极的透过率大于
等于所述第一电极的透过率。
[0019]进一步的，所述辅助电极包括：
[0020]设置在所述第一电极和所述电极界定层远离所述衬底一侧表面上的第一透光介质层；
[0021]设置在第一透光介质层上的导电介质层；以及
[0022]设置在所述导电介质层上的第二透光介质层；
[0023]其中，所述第一透光介质层和所述第二透光介质层的透过率均大于等于所述第一电极的透过率。
[0024]进一步的，所述显示基板还包括位于所述辅助电极上的光取出层，其中，所述光取出层至少包括：
[0025]第一折射材料层或者第二折射材料层，其中，所述第一折射材料层的折射率大于所述第二折射材料层的折射率；
[0026]或者
[0027]所述第一折射材料层的折射率为1.8
‑
2.2；所述第二折射材料层的折射率为1.2
‑
1.5。
[0028]进一步的，所述屏下摄像区还包括：
[0029]设置在所述第一发光单元远离衬底一侧且与所述第一发光单元对应设置的第一降反单元；
[0030]或者
[0031]所述屏下摄像区还包括：设置在相邻的第一降反单元之间且间断设置的第一遮挡层。
[0032]进一步的，所述屏下摄像区还包括设置在所述第一发光单元远离所述衬底一侧的电连接所述第一发光单元的第四电极；
[0033]所述第四电极为与第一电极电连接的阳极；
[0034]所述第一电极为图案化的阴极，所述第二电极、所述第三电极以及所述第一电极同层设置；
[0035]或者
[0036]所述屏下摄像区还包括设置在所述电连接区远离所述衬底一侧的保护层，其中，所述保护层设置在所述第一发光单元的电子传输层上或者所述电子传输层作为所述保护层。
[0037]进一步的，所述显示基板还包括：
[0038]电连接设置在所述过渡区的所述第一驱动电路和所述第四电极的走线连接层，所述走线连接层的透过率大于等于所述第一电极的透过率；
[0039]或者
[0040]所述显示区的衬底的层数和所述过渡区的衬底的层数均大于所述屏下摄像区的衬底的层数。
[0041]本专利技术第二方面提供了一种制作本专利技术第一方面的显示基板的方法，包括：
[0042]形成所述屏下摄像区，进一步包括：形成用于发光的第一发光单元，以及形成电连接所述第一发光单元的电连接区，其中，所述电连接区包括连接所述第一发光单元的第一
电极；
[0043]形成所述显示区，进一步包括：形成用于发光的第二发光单元，以及形成电连接第二发光单元的第二电极；其中，单位面积内所述电连接区的所述第一电极在所述显示基板的衬底上的投影小于等于单位面积内所述第二发光器件的第二阴极在所述显示基板的衬底上的投影。
[0044]进一步的，所述方法还包括：形成位于所述屏下摄像区和所述显示区之间且围绕所述屏下摄像区的过渡区；
[0045]所述形成所述屏下摄像区进一步包括：形成驱动所述第一发光单元的驱动电路；其中，所述驱动电路设置在所述过渡区在所述衬底上的投影对应的位置处；
[0046]或者
[0047]所述形成电连接所述第一发光单元的电连接区进一步包括：
[0048]形成界定所述第一电极的电极界定层以及所述图案化的第一电极。
[0049]本专利技术第三方面提供了一种显示装置，包括本专利技术第一方面的显示基板。
[0050]本专利技术的有益效果如下：
[0051]本专利技术所述技术方案，对屏下摄像区中电连接区的连接第一发光单元的第一电极进行设计，使得单位面积内第一电极在衬底上的投影小于等于单位面积内显示区的第二电极在衬底上的投影，该设置能够提高屏下摄像头区域的透过率，从而实现提高拍摄质量的目的，具有广泛的应用前景。
附图说明
[0052]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细的说明。
[0053]图1示出相关技术的不同结构的显示基板的俯视状态示意图；
[0054]图2示出本专利技术一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0055]图3a～3d示出本专利技术实施例的过渡区和屏下摄像区的位置关系示意图；
[0056]图4示出本专利技术另一个实施例的显示基板的结构示意图；
[00本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种显示基板，其特征在于，包括：屏下摄像区和围绕屏下摄像区的显示区，其中，所述屏下摄像区包括用于发光的第一发光单元、以及电连接所述第一发光单元的电连接区，其中，所述电连接区包括连接所述第一发光单元的第一电极；所述显示区包括用于发光的第二发光单元、电连接第二发光单元的第二电极，其中，单位面积内所述电连接区的所述第一电极在所述显示基板的衬底上的投影小于等于单位面积内所述第二发光单元的第二电极在所述显示基板的衬底上的投影。2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括：位于所述屏下摄像区和所述显示区之间且围绕所述屏下摄像区的过渡区；以及驱动所述第一发光单元的第一驱动电路；其中，所述第一驱动电路设置在所述过渡区在所述衬底上的投影对应的位置处。3.根据权利要求2所述的显示基板，其特征在于，所述过渡区包括用于发光的第三发光单元以及电连接所述第三发光单元的第三电极；单位面积内所述第一电极在显示基板的衬底的投影小于等于单位面积内所述第三电极在显示基板的衬底上的投影；所述第三电极和所述第二电极同层设置。4.根据权利要求1～3任一项所述的显示基板，其特征在于，所述电连接区还包括用于界定图案化的第一电极的电极界定层，其中，所述电极界定层的透过率大于所述第一电极的透过率。5.根据权利要求4所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括设置在所述电连接区远离所述衬底一侧的辅助电极，所述辅助电极电连接由所述电极界定层界定的第一电极，所述辅助电极的透过率大于等于所述第一电极的透过率。6.根据权利要求5所述的显示基板，其特征在于，所述辅助电极包括：设置在所述第一电极和所述电极界定层远离所述衬底一侧表面上的第一透光介质层；设置在第一透光介质层上的导电介质层；以及设置在所述导电介质层上的第二透光介质层；其中，所述第一透光介质层和所述第二透光介质层的透过率均大于等于所述第一电极的透过率。7.根据权利要求6所述的显示基板，其特征在于，所述显示基板还包括位于所述辅助电极上的光取出层，其中，所述光取出层至少包括：第一折射材料层或者第二折射材料层，其中，所述第一折射材料层的折射率大于所述第二折射材料层的折射率；或者所述第一折射材料层的折射率为1.8
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【专利技术属性】
技术研发人员：徐传祥，袁广才，舒适，于勇，岳阳，李翔，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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