成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。在基于蒸镀材料的放出量的测定值控制成膜动作的成膜装置中，提高成膜的精度。使用一种成膜装置，该成膜装置将蒸镀材料蒸镀到基板上来进行成膜，其特征在于，该成膜装置具备：监视部件，其测定来自放出蒸镀材料的蒸发源的蒸镀材料的放出量；以及膜厚测定部件，其测定基板上的蒸镀材料的膜厚，基于膜厚测定部件对膜厚的测定值，校正基于监视部件对放出量的测定值进行控制的成膜动作。放出量的测定值进行控制的成膜动作。放出量的测定值进行控制的成膜动作。

【技术实现步骤摘要】
成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法


[0001]本专利技术涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。

技术介绍

[0002]在制造有机EL显示器等时所使用的成膜装置中，要求提高蒸镀材料相对于基板的成膜的精度。在专利文献1中记载了利用光学的膜厚测定装置测定在基板上成膜的蒸镀材料的膜厚，在膜厚不足的情况下对该基板进行追加的成膜。在专利文献2中记载了使用设置于成膜室内的晶体振子监视器，计算蒸镀材料的膜厚和成膜速率。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2005
‑
322612号公报
[0006]专利文献2：日本特开2019
‑
065391号公报

技术实现思路

[0007]专利技术要解决的课题
[0008]晶体振子监视器基于晶体振子的谐振频率与晶体振子的电极上的蒸镀材料的蒸镀量(堆积的蒸镀材料的质量)的关系，根据谐振频率的变动测定蒸镀材料的放出量。但是，晶体振子的特性有时根据时效变化、个体差异而变动。在不考虑本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种成膜装置，所述成膜装置将蒸镀材料蒸镀到基板上来进行成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：监视部件，其测定来自放出所述蒸镀材料的蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；以及膜厚测定部件，其测定所述基板上的所述蒸镀材料的膜厚，基于所述膜厚测定部件对所述膜厚的测定值，校正基于所述监视部件对所述放出量的测定值进行的成膜控制。2.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述成膜控制的校正通过基于所述膜厚测定部件的测定值对所述监视部件的测定值进行修正来进行。3.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述成膜控制的校正通过基于所述膜厚测定部件的测定值对基于所述监视部件的测定值进行的所述成膜装置的控制量进行修正来进行。4.根据权利要求1所述的成膜装置，其中，所述成膜控制通过以使所述监视部件的测定值接近目标值的方式控制所述成膜装置来进行。5.根据权利要求1～4中任一项所述的成膜装置，其中，所述监视部件具有晶体振子，所述晶体振子配置成使来自所述蒸发源的所述蒸镀材料蒸镀到所述晶体振子上，所述监视部件基于因所述蒸镀材料蒸镀到所述晶体振子上而导致的所述晶体振子的谐振频率的变化量，获取所述放出量的测定值。6.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，所述成膜控制的校正通过基于所述膜厚测定部件的测定值变更相对于所述变化量的规定单位量的所述放出量的测定值来进行。7.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，所述晶体振子能够更换，所述成膜控制的校正在每次更换所述晶体振子时进行。8.根据权利要求5所述的成膜装置，其中，所述晶体振子能够更换，所述成膜控制的校正在更换所述晶体振子之后到下次的更换为止的期间进行多次。9.根据权利要求7或8所述的成膜装置，其中，所述成膜控制通过如下控制来进行：在更换了所述晶体振子之后到得到所述膜厚测定部件的测定值为止的期间，将在晶体振子更换后所述监视部件的测定值稳定时的该测定值作为成膜速率的目标值对所述成膜装置进行控制。10.根据权利要求7或8所述的成膜装置，其中，在更换了所述晶体振子之后到得到所述膜厚测定部件的测定值为止的期间，沿用在更换所述晶体振子之前进行的所述成膜控制的校正的结果。11.一种成膜装置，所述成膜装置将蒸镀材料蒸镀到基板上来进行成膜，其特征在于，所述成膜装置具备：监视部件，其测定来自放出所述蒸镀材料的蒸发源的所述蒸镀材料的放出量；以及
膜厚测定部件，其测定所述基板上的所述蒸镀材料的膜厚，基于所述膜厚测定部件的测定值，修正所述监视部件的测定值。12.根据权利要求11所述的成膜装置，其中，以使所述监视部...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡部新，绪方俊宏，
申请(专利权)人：佳能特机株式会社，
类型：发明
国别省市：