一种蒸镀坩埚制造技术

本发明专利技术提供一种蒸镀坩埚，包括：若干主凸起和若干副凸起，设置在所述埚体的内壁表面，若干主凸起间隔设置，若干副凸起间隔设置，所述副凸起设置在相邻的主凸起之间，所述副凸起的高度小于所述主凸起的高度，所述副凸起的宽度小于所述主凸起的宽度。所述蒸镀坩埚蒸镀的膜层的厚度均匀性提高。膜层的厚度均匀性提高。膜层的厚度均匀性提高。

【技术实现步骤摘要】
一种蒸镀坩埚


[0001]本专利技术涉及蒸镀设备领域，尤其涉及一种蒸镀坩埚。

技术介绍

[0002]蒸镀工艺是半导体制程工艺中一种重要的工艺技术。例如，目前在OLED 2.5代及以下的OLED小尺寸量产线和中试线体中，多使用蒸发源进行金属阴极进行蒸发镀膜，通过将阴极铝、镁、银等阴极材料装填至铜坩埚中，然后加热蒸发的方式，实现阴极蒸镀。而蒸镀金属膜厚的均匀性与蒸发源的发射特性和几何配置相关。根据蒸发源与基板的距离和蒸发源面积的大小，可近似的将蒸发源分为两类模型进行研究：1.理想点蒸发源，向各个方向均匀的发射蒸汽分子；2.考虑实际蒸发面积的蒸发源，其蒸汽密度按所研究的方向与表面法线间的夹角呈余弦分布，遵守Knudsen定律。而在实际蒸镀过程中，为研究蒸镀膜厚均匀性关系，通常会考虑实际蒸发面积，进行分析。在金属材料蒸镀过程中，材料受热熔化后，因液态金属本身的性质影响，液态金属与坩埚内壁为浸润特性，这样会导致液态金属在坩埚中呈水坑状，这种凹陷形状的液态材料沉积薄膜时会产生“挖坑效应”，造成基板中心和边缘沉积膜厚的均匀性变差。挖坑深度越大，膜厚的均匀性越差。
[0003]目前通过增加坩埚的开口角度，可以降低“挖坑效应”的坑深来提高蒸镀膜厚的均匀性，但是随着开口角度的增加，蒸发源的表面积也会相应扩大，会对基板膜厚的均匀性带来新的影响，故此类解决方案，并不是最优解。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本专利技术提供了一种蒸镀坩埚，以解决现有技术中的蒸镀膜厚的均匀性较差的问题。
[0005]本专利技术提供一种蒸镀坩埚，包括：埚体；若干主凸起和若干副凸起，设置在所述埚体的内壁表面，若干主凸起间隔设置，若干副凸起间隔设置，所述副凸起设置在相邻的主凸起之间，所述副凸起的高度小于所述主凸起的高度，所述副凸起的宽度小于所述主凸起的宽度。
[0006]可选的，所述副凸起的高度为所述主凸起的高度的7％～13％。
[0007]可选的，所述副凸起的高度为7.5um～8.5um，所述主凸起的高度为75um～85um。
[0008]可选的，所述副凸起的宽度为所述主凸起的宽度的7％～13％。
[0009]可选的，所述副凸起的宽度为2.8um～3.2um，所述主凸起的宽度的28um～32um。
[0010]可选的，相邻副凸起的间隔小于相邻主凸起的间隔。
[0011]可选的，相邻副凸起的间隔为相邻主凸起的间隔的7％～13％。
[0012]可选的，所述副凸起的形状包括柱状体，所述主凸起的形状包括柱状体。
[0013]可选的，所述埚体、所述主凸起和所述副凸起为一体成型。
[0014]可选的，所述埚体、所述主凸起和所述副凸起的材料包括铜或钛。
[0015]本专利技术提供的技术方案，具有如下效果：
[0016]本专利技术技术方案提供的蒸镀坩埚，通过对埚体的内壁进行微观结构阵列化处理，模仿“荷叶”“蝉翼”等生物的表面微观结构，改变埚体的内壁与液态金属的接触角，来实现液态金属与埚体内壁表面由浸润性到非浸润性的改变。液态金属与埚体内壁表面呈非浸润性的状态，埚体内熔融金属的液面则会呈凸起形状，此时在进行电子束扫描蒸镀金属的时候，电子束光斑落在液面凸起顶部，可以看作成一个理想的蒸发点源，被蒸镀的材料在空间各方向按照余弦分布，蒸镀在基板上的薄膜的中心到边缘的均匀性会更好。
附图说明
[0017]为了更清楚地说明本专利技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本专利技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0018]图1是本专利技术一实施例的蒸镀坩埚的结构示意图；
[0019]图2是本专利技术一实施例中的主凸起和副凸起的排布图。
具体实施方式
[0020]下面将结合附图对本专利技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0021]在本专利技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0022]在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。
[0023]此外，下面所描述的本专利技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0024]本实施例提供一种蒸镀坩埚，参考图1，包括：
[0025]埚体100；
[0026]若干主凸起110和若干副凸起120，设置在所述埚体100的内壁表面，若干主凸起110间隔设置，若干副凸起120间隔设置，所述副凸起120设置在相邻的主凸起110之间，所述副凸起120的高度小于所述主凸起110的高度，所述副凸起120的宽度小于所述主凸起110的宽度。
[0027]所述主凸起110和所述副凸起120的作用的区别包括：根据Cass ie
‑
Baxter复合接触模型：cosθ
w
＝fcosθ
s
+f
‑
1。其中θ
s
为本征接触角，f为粗糙因子，θ
w
为表观接触角。粗糙因
子的大小主要由主凸起的高度、宽度、间距决定，通过对主凸起的高度、宽度、间距的模拟性计算，在设定θ
s
＝78
°
时，通过上述主凸起的高度、宽度、间距设定，θ
w
最大＝180
°
，此时坩埚表面由亲水性变为超疏水性，副凸起则通过填充主凸起的间隙，进一步扩大了这种疏水特性，使坩埚表面对液态金属更为不浸润状态。
[0028]所述主凸起110呈阵列排布。所述副凸起120呈阵列排布。
[0029]所述主凸起110和副凸起120均采用化学腐蚀的方式形成。
[0030]在一个实施例中，所述副凸起120的高度为所述主凸起110的高度的7％～13％，例如10％。这样设置的意义在于：若副凸起120的高度大于主凸起110的高度的13％，则副凸起的填充本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种蒸镀坩埚，其特征在于，包括：埚体；若干主凸起和若干副凸起，设置在所述埚体的内壁表面，若干主凸起间隔设置，若干副凸起间隔设置，所述副凸起设置在相邻的主凸起之间，所述副凸起的高度小于所述主凸起的高度，所述副凸起的宽度小于所述主凸起的宽度。2.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述副凸起的高度为所述主凸起的高度的7％～13％。3.根据权利要求2所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述副凸起的高度为7.5um～8.5um，所述主凸起的高度为75um～85um。4.根据权利要求1所述的蒸镀坩埚，其特征在于，所述副凸起的宽度为所述主凸起的宽度的7％～13％。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖明富，邹清华，江李，陈志宽，
申请(专利权)人：宁波卢米蓝新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：