一种微型LED显示器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种微型LED显示器件及其制备方法，包括：在外延片上蒸镀铟锡氧化物薄膜后进行图案化曝光显影并蚀刻，暴露出部分n型氮化镓层，使外延片形成台面结构和包围台面的墙壁结构；在处理后的外延片表面上沉积介电材料，形成第一钝化层；在第一钝化层表面进行图案化曝光显影，蒸镀预定厚度的金属反射膜并剥离，使金属反射膜覆盖墙壁结构，形成金属薄膜反射墙；再次沉积介电材料形成第二钝化层；对第二钝化层进行图案化曝光显影并蚀刻，在n型氮化镓层表面和台面结构表面开孔，在开孔处分别蒸镀n金属电极和p金属电极，得到微型LED显示器件。该方案能够提高微型LED显示器件的发光效率，降低微型LED之间的光学耦合串扰。降低微型LED之间的光学耦合串扰。降低微型LED之间的光学耦合串扰。

【技术实现步骤摘要】
一种微型LED显示器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体器件
，具体涉及一种微型LED显示器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
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LED显示技术是指以自发光的微米量级的LED为发光像素单元，将其组装到驱动面板上形成高密度LED阵列的显示技术。由于micro
‑
LED芯片尺寸小、集成度高和自发光等特点，与 LCD、OLED相比在亮度、分辨率、对比度、能耗、使用寿命、响应速度和热稳定性等方面具有更大的优势，引起了广泛的研究与关注。
[0003]随着micro
‑
LED的像素尺寸日渐缩小和阵列数目的增多，相邻以及相近像素间的光学串扰成为一大问题。光学串扰会使得原本处于关闭状态的像素受周围开启状态像素的影响而呈现非黑色情况，从而影响微型LED显示器件的对比度、饱和度、色纯度等重要指标。目前，实现micro
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LED全彩显示的方法主要包括单芯片micro
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LED的多色集成和和基于色转换材料进行的颜色转换，但是micro...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种微型LED显示器件的制备方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S110，在预先提供的衬底上依次外延生长缓冲层、n型氮化镓层、多量子阱层、电子阻挡层和p型氮化镓层，得到外延片；步骤S120，在所述外延片上蒸镀铟锡氧化物薄膜，形成第一外延结构；步骤S130，对所述第一外延结构表面进行图案化曝光显影并进行蚀刻，暴露出部分n型氮化镓层，形成第二外延结构，所述第二外延结构包含台面结构和包围所述台面结构的墙壁结构；步骤S140，在所述第二外延结构表面上沉积介电材料作为第一钝化层，形成第三外延结构；步骤S150，在所述第三外延结构表面进行图案化曝光显影，蒸镀预定厚度的金属反射膜并进行剥离工艺，使所述金属反射膜覆盖所述墙壁结构，形成第四外延结构；步骤S160，在所述第四外延结构表面沉积介电材料作为第二钝化层，形成第五外延结构；步骤S170，对所述第五外延结构表面进行图案化曝光显影并进行蚀刻，以便在暴露出的n型氮化镓层表面和台面结构表面进行开孔，形成第六外延结构，并在开孔位置处分别蒸镀n金属电极和p金属电极，得到单个微型LED显示器件。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化光刻处理的步骤包括：制作具有特定图案的掩模板；在需图案化光刻处理的目标层上涂覆光刻胶，所述目标层包括第一外延结构、第三外延结构和第五外延结构中任意一种；通过所述掩模板对目标层上的光刻胶进行曝光显影；通过湿法刻蚀和/或感应耦合等离子体刻蚀所述目标层；以及去除所述目标层表面的光刻胶。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述步骤S150还包括：将对第三外延结构表面进行图案化曝光显影后剩余的光刻胶和蒸镀的金属反射膜进行剥离工艺，得到覆盖所述墙壁结构的金属薄膜反射墙。4.根据权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述墙壁结构的形状为环形、梯形、方...

【专利技术属性】
技术研发人员：田朋飞，汪舟，袁泽兴，崔旭高，顾而丹，
申请(专利权)人：复旦大学，
类型：发明
国别省市：