【技术实现步骤摘要】
一种宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料
[0001]本专利技术涉及一种具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料。
技术介绍
[0002]斯格明子是一种具有准粒子特性的受拓扑保护且非平庸的螺旋状手性磁结构，由于其具有拓扑保护性、尺寸很小以及驱动斯格明子移动所需临界电流密度很小等特点，有望应用于低能耗、高密度以及高可靠性存储的自旋电子学器件。
[0003]斯格明子作为一种特殊的涡旋磁畴结构可与传导电子发生相互作用而产生一种电磁现象，即拓扑霍尔效应。因此，拓扑霍尔效应可作为表征斯格明子的手段且可实现单个斯格明子的电探测。通常，拓扑霍尔效应越大，斯格明子的尺寸就越小或者密度就越高，可见获得具有大拓扑霍尔效应的斯格明子材料能够促进基于拓扑霍尔效应和斯格明子的自旋存储器件的发展和应用。
[0004]近年来，人们对具有拓扑霍尔效应和斯格明子的材料进行了大量的报道。目前，研究最多的主要包括非中心对称化合物中的(Mn,Fe,Co)(Si,Ge)系列化合物、β
‑
Mn结构的Co
‑
Z
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在宽温域内具有正值和负值大拓扑霍尔效应的磁性材料，为单晶磁性材料或多晶磁性材料，La
x
Nd1‑
x
Mn2Ge2，其中0＜x＜1。2.根据权利要求1中所述多晶磁性材料，其中，La:Nd:Mn:Ge＝0.5:0.5:2:2。3.制备如权利要求1中所述磁性材料的方法，其特征在于，多晶磁性材料的制备包括以下步骤：步骤一：在氩气保护的手套箱内按照成分比例将La、Nd、Mn和Ge装入氧化铝坩埚中；步骤二：利用悬浮熔炼设备进行5
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘丹敏，贺莉东，徐国梁，王少博，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：
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