薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板制造技术

本发明专利技术提供了薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板，包括基板、位于基板上且包括两接触部的有源层、位于有源层远离基板的一侧且包括分别电性连接于两接触部的源极和漏极的源漏极层、位于有源层靠近或者远离基板的一侧的栅极层；其中，本发明专利技术中的栅极层包括绝缘设置的第一栅极部和第二栅极部，两者在有源层上的两正投影位于两接触部之间且间隔设置，以实现对于薄膜晶体管的阈值电压的调制，提高了薄膜晶体管和栅极驱动电路工作的稳定性。体管和栅极驱动电路工作的稳定性。体管和栅极驱动电路工作的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板


[0001]本专利技术涉及显示
，尤其涉及显示面板制造
，具体涉及薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板。

技术介绍

[0002]GOA(Gate Driver on Array,阵列基板栅极驱动)技术有利于显示屏的窄边框的设计，因此得到了广泛的应用。
[0003]其中，GOA电路包括电性连接的多个薄膜晶体管，由于GOA电路中不同节点加载有大小不同的工作电压，并且不同节点上信号的时序也存在差异，导致电性连接至不同节点的多个薄膜晶体管长期正偏或者负偏，以至于多个薄膜晶体管的阈值电压发生正向偏移或者负向偏移，然而，现有的薄膜晶体管结构中缺乏调节阈值电压的结构，造成薄膜晶体管的阈值电压持续偏移，降低了GOA电路工作的稳定性。
[0004]因此，现有的GOA电路中的薄膜晶体管缺乏调节阈值电压的结构以缓解阈值电压的偏移，造成GOA电路工作的稳定性较低，急需改进。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板，以解决现有的GOA电路中的薄膜晶体管的阈值电压持续偏移，造成GOA电路工作的稳定性较低的技术问题。
[0006]本专利技术实施例提供薄膜晶体管，包括：
[0007]基板；
[0008]有源层，位于所述基板上，包括两接触部；
[0009]源漏极层，位于所述有源层远离所述基板的一侧，包括电性连接于其中一所述接触部的源极、电性连接于另一所述接触部的漏极；
[0010]栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述基板的一侧；
[0011]其中，所述栅极层包括绝缘设置的第一栅极部和第二栅极部，所述第一栅极部在所述有源层上的第一正投影和所述第二栅极部在所述有源层上的第二正投影位于两所述接触部之间，所述第一正投影和所述第二正投影间隔设置。
[0012]在一实施例中，所述第一栅极部和所述第二栅极部同层设置。
[0013]在一实施例中，所述第一栅极部具有第一栅极电压，所述第二栅极部具有第二栅极电压，所述第一栅极电压与所述第二栅极电压不相等。
[0014]在一实施例中，所述栅极层还包括与所述第二栅极部、所述第一栅极部均间隔设置的第三栅极部，所述第三栅极部具有第三栅极电压，所述第一栅极电压、所述第二栅极电压与所述第三栅极电压均不相等。
[0015]在一实施例中，所述第二栅极部在所述有源层上的第二正投影位于所述第一栅极部在所述有源层上的第一正投影与所述第三栅极部在所述有源层上的第三正投影之间；
[0016]其中，所述第一栅极电压和所述第三栅极电压均大于或者小于所述第二栅极电
压，所述第一正投影的面积与所述第三正投影的面积之和小于所述第二正投影的面积。
[0017]在一实施例中，所述第一栅极电压和所述第三栅极电压相等。
[0018]在一实施例中，所述第一正投影的面积不等于所述第二正投影的面积。
[0019]本专利技术实施例提供栅极驱动电路，包括多个如上文任一所述的薄膜晶体管。
[0020]在一实施例中，包括：
[0021]上拉控制模块；
[0022]上拉模块，通过节点电性连接于所述上拉控制模块，并电性连接于扫描线；
[0023]下拉模块，电性连接于所述扫描线；
[0024]下拉维持模块，电性连接于所述节点和所述扫描线；
[0025]其中，所述下拉维持模块和所述下拉模块均包括多个如上文任一所述的薄膜晶体管。
[0026]本专利技术实施例提供显示面板，所述显示面板包括如上文任一项所述的栅极驱动电路。
[0027]本专利技术提供了薄膜晶体管、栅极驱动电路和显示面板，包括：基板；有源层，位于所述基板上，包括两接触部；源漏极层，位于所述有源层远离所述基板的一侧，包括电性连接于其中一所述接触部的源极、电性连接于另一所述接触部的漏极；栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述基板的一侧，所述栅极层包括间隔设置的第一栅极部和第二栅极部，两者在有源层上的两正投影位于两接触部之间且间隔设置。其中，本专利技术中通过将所述栅极层设置为包括间隔设置的第一栅极部和第二栅极部，其中一者可以加载正偏电压或者负偏电压以维持薄膜晶体管长期处于的正偏或者负偏状态，另一者可以在其它期间加载对应的负偏电压或者正偏电压以削减有源层中的多子载流子(空穴)和少子载流子(电子)的分布情况的变化，使得此时的分布情况向阈值电压偏移之前的分布情况靠近，从而使得阈值电压向偏移之前靠近，从而实现对于阈值电压偏移幅度的削减，提高了薄膜晶体管和山鸡驱动电路工作的稳定性。
附图说明
[0028]下面通过附图来对本专利技术进行进一步说明。需要说明的是，下面描述中的附图仅仅是用于解释说明本专利技术的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术实施例提供的第一种薄膜晶体管的截面示意图。
[0030]图2为本专利技术实施例提供的第二种薄膜晶体管的截面示意图。
[0031]图3为本专利技术实施例提供的第三种薄膜晶体管的截面示意图。
[0032]图4为本专利技术实施例提供的栅极驱动电路的电路图。
[0033]图5为本专利技术实施例提供的薄膜晶体管的阈值电压和第一栅极电压对应的多个坐标以及拟合曲线图。
具体实施方式
[0034]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述。显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于
本专利技术中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0035]本专利技术中的术语“第一”、“第二”、“第三”等是用于区别不同对象，而不是用于描述特定顺序。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或模块的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或模块，而是可选地还包括没有列出的步骤或模块，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或模块。
[0036]在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本专利技术的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
[0037]本专利技术实施例提供了薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括但不限于以下实施例以及以下实施例的组合。
[0038]在一实施例中，如图1至图3所示，所述薄膜晶体管100包括：基板10；有源层20，位于所述基板10上，包括两接触部201；源漏极层30，位于所述有源层20远离所述基板10的一侧，包括电性连接于其中一所述接触部201的源极301、电性连接于另一所述接触部201的漏极302；栅极层40，位于所述有源层20本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：基板；有源层，位于所述基板上，包括两接触部；源漏极层，位于所述有源层远离所述基板的一侧，包括电性连接于其中一所述接触部的源极、电性连接于另一所述接触部的漏极；栅极层，位于所述有源层靠近或者远离所述基板的一侧；其中，所述栅极层包括绝缘设置的第一栅极部和第二栅极部，所述第一栅极部在所述有源层上的第一正投影和所述第二栅极部在所述有源层上的第二正投影位于两所述接触部之间，所述第一正投影和所述第二正投影间隔设置。2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极部和所述第二栅极部同层设置。3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅极部具有第一栅极电压，所述第二栅极部具有第二栅极电压，所述第一栅极电压与所述第二栅极电压不相等。4.根据权利要求3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极层还包括与所述第二栅极部、所述第一栅极部均间隔设置的第三栅极部，所述第三栅极部具有第三栅极电压，所述第一栅极电压、所述第二栅极电压与所述第三栅极电压均不相等。5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅极部在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒙艳红，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：