发光装置和图像形成装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种发光装置和图像形成装置。发光装置(LPH)具备：多个第一发光部(L2n

【技术实现步骤摘要】
发光装置和图像形成装置


[0001]本专利技术涉及一种发光装置和图像形成装置。

技术介绍

[0002]在图像形成装置中，关于用于形成潜像的潜像形成装置、除电装置那样的发光装置，下述的专利文献1所记载的技术是现有公知的。
[0003]在专利文献1中记载了一种结构，该结构在发光元件头中交错配置有第一发光元件列和第二发光元件列，从φI端子向第奇数个发光晶闸管供给发光信号，从φIe端子向第偶数个发光晶闸管供给发光信号。如专利文献1的图6所记载的，朝向第奇数个发光晶闸管的布线被配置为从第偶数个发光晶闸管之间穿过。
[0004]专利文献1：日本特开2013
‑
201395号公报(“0018”至“0021”、图4至图6)

技术实现思路

[0005]本专利技术的技术课题在于，在存在多个发光部的情况下，与到各发光部的布线相同的情况相比提高自由度。
[0006]<1>根据本公开的一个方面，提供一种发光装置，其具备：
[0007]多个第一发光部，其沿着预定的第一方向隔开间隔地配置；
[0008]多个第二发光部，其沿着所述第一方向隔开间隔地配置，在与所述第一方向交叉的第二方向上配置在与所述第一发光部错开的位置上，并且在第一方向上配置在与所述各第一发光部错开的位置上；
[0009]第一布线，其通过半导体层与所述各第一发光部电连接；以及
[0010]第二布线，其与所述各第二发光部电连接，并且被配置为在与所述第一方向和第二方向交叉的第三方向上夹着绝缘层。
[0011]<2>如<1>所述的发光装置，其具备：
[0012]第一控制元件，其通过所述第一布线输出用于控制所述第一发光部的闪烁的控制信号；以及
[0013]第二控制元件，其通过所述第二布线输出用于控制所述第二发光部的闪烁的控制信号，
[0014]其中，优选根据所述第一布线与所述第二布线的并联电容之差，调整流过所述第一控制元件和所述第二控制元件的电流。
[0015]<3>一种发光装置，其具备：
[0016]基板；
[0017]第一发光部，其包含在所述基板上层叠有半导体的晶闸管结构；
[0018]第二发光部，其以与所述第一发光部相同的层结构形成在所述基板上；
[0019]第一布线，其与所述第一发光部的所述晶闸管结构的栅极层电连接，并且被配置为面对所述栅极层；
[0020]第二布线，其与所述第二发光部的所述晶闸管结构的栅极层电连接，并且被配置为具有面对所述晶闸管结构外部的高绝缘率层的部分；
[0021]第一控制元件，其通过所述第一布线输出用于控制所述第一发光部的闪烁的控制信号；以及
[0022]第二控制元件，其通过所述第二布线输出用于控制所述第二发光部的闪烁的控制信号。
[0023]<4>如<3>所述的发光装置，其中，
[0024]所述第一发光部和所述第二发光部具有多个，
[0025]通过调整流过所述第一控制元件和所述第二控制元件的电流，来调整第一发光部和第二发光部的点亮时刻之差，该点亮时刻之差是因所述第一布线和所述第二布线不同而产生的。
[0026]<5>如<2>至<4>中任一项所述的发光装置，其具备：
[0027]第一连接线，其与所有所述第一控制元件电连接；
[0028]第二连接线，其与所有所述第二控制元件电连接；
[0029]第一电阻元件，其与所述第一连接线连接；以及
[0030]第二电阻元件，其与所述第二连接线连接，并且具有与所述第一电阻元件不同的电阻值。
[0031]<6>如<4>所述的发光装置，其中，
[0032]使所述第一电阻元件的电阻值大于第二电阻元件的电阻值。
[0033]<7>如<2>至<4>中任一项所述的发光装置，其具备：
[0034]所述各发光部，其由发光晶闸管构成；以及
[0035]所述各控制元件，其由晶体管构成，
[0036]其中，调整栅极半导体上的金属布线的面积，该金属布线将所述各控制元件的集电极与所述各发光部的栅极连结。
[0037]<8>如<2>至<4>中任一项所述的发光装置，其具备：
[0038]所述各控制元件，其由晶体管构成，
[0039]其中，调整所述各控制元件导通时的集电极电流。
[0040]<9>如<8>中所述的发光装置，其具备：
[0041]第一连接线，其与所有所述第一控制元件电连接；
[0042]第二连接线，其与所有所述第二控制元件电连接；
[0043]第一电阻元件，其与所述第一连接线连接；以及
[0044]第二电阻元件，其与所述第二连接线连接，并且其相对于所述第一电阻元件的电阻值根据所述集电极电流进行了调整。
[0045]<10>如<8>中所述的发光装置，其中，
[0046]根据所述集电极电流，调整所述第二控制元件相对于所述第一控制元件的晶体管特性。
[0047]<11>如<10>中所述的发光装置，其中，
[0048]通过调整布线在与长度方向交叉的宽度方向上的长度，来调整所述晶体管特性。
[0049]<12>如<10>中所述的发光装置，其中，
[0050]通过调整与所述晶体管连接并产生信号的置位晶闸管与所述晶体管的距离，来调整所述晶体管特性。
[0051]<13>一种图像形成装置，其具备：
[0052]图像保持单元；
[0053]充电单元，其对所述图像保持单元的表面进行充电；以及
[0054]潜像形成装置，其在已充电的图像保持单元上形成潜像，并且由<1>至<12>中任一项所述的发光装置构成。
[0055]<14>一种发光装置，其具备：
[0056]基板；
[0057]多个第一发光部，其配置在所述基板上；
[0058]多个第二发光部，其配置在所述基板上，并且配置在与所述第一发光部错开的位置上；以及
[0059]布线，其在所本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，其具备：多个第一发光部，其沿着预定的第一方向隔开间隔地配置；多个第二发光部，其沿着所述第一方向隔开间隔地配置，在与所述第一方向交叉的第二方向上配置在与所述第一发光部错开的位置上，并且在第一方向上配置在与所述各第一发光部错开的位置上；第一布线，其通过半导体层与所述各第一发光部电连接；以及第二布线，其与所述各第二发光部电连接，并且被配置为在与所述第一方向和第二方向交叉的第三方向上夹着绝缘层。2.根据权利要求1所述的发光装置，其具备：第一控制元件，其通过所述第一布线输出用于控制所述第一发光部的闪烁的控制信号；以及第二控制元件，其通过所述第二布线输出用于控制所述第二发光部的闪烁的控制信号，其中，根据所述第一布线与所述第二布线的并联电容之差，调整流过所述第一控制元件和所述第二控制元件的电流。3.一种发光装置，其具备：基板；第一发光部，其包含在所述基板上层叠有半导体的晶闸管结构；第二发光部，其以与所述第一发光部相同的层结构形成在所述基板上；第一布线，其与所述第一发光部的所述晶闸管结构的栅极层电连接，并且被配置为面对所述栅极层；第二布线，其与所述第二发光部的所述晶闸管结构的栅极层电连接，并且被配置为具有面对所述晶闸管结构外部的高绝缘率层的部分；第一控制元件，其通过所述第一布线输出用于控制所述第一发光部的闪烁的控制信号；以及第二控制元件，其通过所述第二布线输出用于控制所述第二发光部的闪烁的控制信号。4.根据权利要求3所述的发光装置，其中，所述第一发光部和所述第二发光部具有多个，通过调整流过所述第一控制元件和所述第二控制元件的电流，来调整第一发光部和第二发光部的点亮时刻之差，该点亮时刻之差是因所述第一布线和所述第二布线不同而产生的。5.根据权利要求2至4中任一项所述的发光装置，其具备：第一连接线，其与所有所述第一控制元件电连接；第二连接线，其与所有所述第二控制元件电连接；第一电阻元件，其与所述第一连接线连接；以及第二电阻元件，其与所述第二连接线连接，并且具有与所述第一电阻元件不同的电阻值。6.根据权利要求5所述的发光装置，其中，
使所述第一电阻元件的电阻值大于第二电阻元件的电阻值。7.根据权利要求2至4中任一项所述的发光装置，其具备：所述各发光部，其由发光晶闸管构成；以及所述各控制元件，其由晶体管构成，其中，调整栅极半导体上的金属布线的面积，该金属布线将所述各控制元件的集电极与所述各发光部的栅极连结。8.根据权利要求2至4中任一项所述的发光装置，其具备：所述各控制元件，其由晶体管构成，其中，调整所述各控制元件导通时的集电极电流。9.根据权利要求8所述的发光装置，其具备：第一连接线，其与所有所述第一控制元件电连接；第二连接线，其与所有所述第二控制元件电连接；第一电阻元件，其与所述第一连接线连接；以及第二电阻元件，其与所述第二连接线连接，所述第二电阻元件相对于所述第一电阻元件的电阻值根据所述集电极电流进...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野诚治，
申请(专利权)人：富士胶片商业创新有限公司，
类型：发明
国别省市：