工艺优化方法和系统技术方案

本公开提供了一种工艺优化方法和系统。该工艺优化方法包括：根据当前的沟道

【技术实现步骤摘要】
工艺优化方法和系统


[0001]本公开属于半导体器件制造
，特别涉及一种工艺优化方法和系统。

技术介绍

[0002]动态随机存储器的核心器件位于存储阵列的附近，其常常包括成对出现的晶体管，对存储器的读写功能起着极其重要的作用。以感应放大器为例，感应放大器的功能主要是将动态随机存储器中的电容点位信号放大至外部线路中；当感应放大器中的成对晶体管之间存在失配时，将会导致信号放大时间的增加，严重时会使读取电容信号“0”或者“1”的失效。以字线驱动器为例，当字线驱动器中的成对晶体管之间存在失配时，将会使得子字线电流存在差异。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本公开一些实施例提供了一种工艺优化方法，包括：
[0004]1)根据当前的沟道
‑
晕环掺杂配比，制造具有不同沟道长度的多个测试单元；
[0005]2)基于所述多个测试单元获取阈值电压与沟道长度之间的变化曲线；
[0006]3)根据所述变化曲线，确定目标沟道长度对应的工艺灵敏度；
[0007]4)响应于所述工艺灵敏度大于第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种工艺优化方法，其特征在于，包括：1)根据当前的沟道
‑
晕环掺杂配比，制造具有不同沟道长度的多个测试单元；2)基于所述多个测试单元获取阈值电压与沟道长度之间的变化曲线；3)根据所述变化曲线，确定目标沟道长度对应的工艺灵敏度；4)响应于所述工艺灵敏度大于第一设定值，调整所述当前的沟道
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晕环掺杂配比；5)重复执行步骤1)至步骤4)，直到所述工艺灵敏度不大于所述第一设定值或者相邻两次的所述工艺灵敏度的变化不大于第二设定值，并将所述当前的沟道
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晕环掺杂配比作为最终的沟道
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晕环掺杂配比。2.根据权利要求1所述的工艺优化方法，其特征在于，根据所述变化曲线，确定所述目标沟道长度对应的所述工艺灵敏度，包括：采用所述目标沟道长度对应斜率的绝对值表征所述工艺灵敏度。3.根据权利要求2所述的工艺优化方法，其特征在于，所述第一设定值的取值范围为[0.1,0.3]。4.根据权利要求2或3所述的工艺优化方法，其特征在于，所述第二设定值的取值范围为[0.01,0.05]。5.根据权利要求2或3所述的工艺优化方法，其特征在于，调整所述当前的沟道
‑
晕环掺杂配比，包括：在所述斜率大于0的情况下，保持沟道掺杂浓度不变，提高晕环掺杂浓度，或者保持晕环掺杂浓度不变，降低沟道掺杂浓度，或者提高晕环掺杂浓度，同时降低沟道掺杂浓度；在所述斜率小于0的情况下，保持沟道掺杂浓度不变，降低晕环掺杂浓度，或者保持晕环掺杂浓度不变，提高沟道掺杂浓度，或者降低晕环掺杂浓度，同时提高沟道掺杂浓度。6.根据权利要求5所述的工艺优化方法，其特征在于，所述沟道掺杂浓度的变化量大小和所述晕环掺杂浓度的变化量大小均根据所述工艺灵敏度与所述第一设定值的偏差大小确定。7.根据权利要求1
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3任一项所述的工艺优化方法，其特征在于，基于所述多个测试单元获取阈值电压与沟道长度之间的变化曲线，包括：检测各个所述测试单元的阈值电压；根据各个所述测试单元的阈值电压和沟道长度，构建所述变化曲线。8.根据权利要求1
‑
3任一项所述的工艺优化方法，其特征在于，所述多个测试单元的结构相同，且除所述沟道长度之外...

【专利技术属性】
技术研发人员：张书浩，李宁，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：