【技术实现步骤摘要】
一种硅晶棒激光切割对准装置
[0001]本技术涉及硅晶棒激光切割
，具体涉及一种硅晶激光切割对准装置。
技术介绍
[0002]硅晶是指制作硅半导体积体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，然后需要进行切片，形成硅硅晶片，也就是晶圆。工作人员在利用激光对硅晶棒进行切割的过程中，由于没有对准装置，不能及时发现由于校平板表面被压伤而导致切割后的硅晶厚度不一致，导致硅晶边缘相对于切割面倾斜，不能满足后续使用，易造成生产材料的浪费。
技术实现思路
[0003]有鉴于此，本技术提供一种硅晶棒激光切割对准装置，可以在对硅晶棒进行激光切割时的对其进行对准，及时发现硅晶棒的轴线相对于激光切割器中心线的垂直度偏差，造成生产材料的浪费，操作更加方便。
[0004]为解决上述技术问题，本技术提供一种硅晶棒激光切割对准装置，包括工作台，所述工作台上设置有切割组件，所述工作台上且位于切割组件下方设置有第二校平板，所述第二校平板左右两侧均设...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种硅晶棒激光切割对准装置，其特征在于：包括工作台(1)，所述工作台(1)上设置有切割组件，所述工作台(1)上且位于切割组件下方设置有第二校平板(13)，所述第二校平板(13)左右两侧均设置有第一固定板(3)，每个第一固定板(3)端部均设置有第一电动伸缩杆(4)，每个第一电动伸缩杆(4)的输出杆端部均设置有第一推板(6)，每个第一推板(6)内侧均设置有第一校平板(8)，所述工作台(1)前后两侧均设置有第二直线滑台(19)，每个第二直线滑台(19)上均设置有第二滑块(20)，每个第二滑块(20)上均设置有第二电动伸缩杆(21)，每个第二电动伸缩杆(21)的输出杆端部均设置有第二推板(22)，每个第二推板(22)底部均设置有压力传感器(23)，每个压力传感器(23)底部均设置有第三校平板(24)。2.如权利要求1所述的硅晶棒激光切割对准装置，其特征在于：所述切割组件包括设置在工作台(1)竖直中心线上部的第一竖板(2)，所述工作台(1)竖直中心线下部设置有第二竖板(5)，所述第一竖板(2)和第二竖板(5)之间设置有横板(...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫兴，陶为银，巩铁建，蔡正道，乔赛赛，张伟，鲍占林，王鹏，杜磊，
申请(专利权)人：河南通用智能装备有限公司，
类型：新型
国别省市：
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