一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路。本实用新型专利技术的结构为全桥电路连接T2，全桥电路正极连接T1，T1另一端连接场效应管源级S，场效应管漏级D接地，场效应管栅极G连接R1，R1另一端连接C1，ZD另一端接地，C1另一端连接全桥电路正极。本实用新型专利技术克服了现有技术存在的能量损耗等缺陷。本实用新型专利技术有效地降低了电能消耗，并且有更好的安全性，以场效应管作为压控器件功率也更低。以场效应管作为压控器件功率也更低。以场效应管作为压控器件功率也更低。

【技术实现步骤摘要】
一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路


[0001]本技术涉及交流接触器，特别涉及一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路。

技术介绍

[0002]目前，广泛使用的交流接触器是单线圈交流接触器，这种接触器存在的问题有：在正常运行时通过线圈的电流数值和功率较大，产生了较大的能量损耗。并且由于正常运行状态是一种长期状态，此状态下电流数值较大，也就容易产生安全性问题，诸如引线过热导致的设备失效等。

技术实现思路

[0003]本技术的目的就在于克服上述缺陷，设计一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路。
[0004]本技术的技术方案是：
[0005]一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路，全桥电路连接T2，其主要技术特征在于，全桥电路正极连接11，T1另一端连接场效应管源级S，场效应管漏级D接地，场效应管栅极G连接R1，R1另一端连接C1，ZD另一端接地， C1另一端连接全桥电路正极。
[0006]所述场效应管栅极G连接R1、R2，R2另一端接地，场效应管漏级D连接T2 另一端并接地。
[0007]所述C1、T1、场效应管形成瞬间大电流回路，T2形成长时间小电流回路。
[0008]本技术的优点在于，与传统单线圈交流接触器相比，有效地降低了电能消耗，并且有更好的安全性，以场效应管作为压控器件功率也更低。
附图说明
[0009]图1——本技术电路原理示意图。
[0010]图中各标号对应的部件名称如下：
[0011]场效应管漏级D、场效应管栅极G、场效应管源级S。
[0012]T1为大电流线圈，T2为小电流线圈，R1为保护电阻一，R2为保护电阻二， ZD为稳压二极管，C1为电容。
具体实施方式
[0013]本技术结构原理如图1所示：
[0014]交流电输入接全桥电路，全桥电路正极连接大电流线圈T1、小电流线圈T2， T1另一端连接场效应管源级S，场效应管漏级D连接T2另一端并接地；场效应管栅极G连接保护电阻一R1、保护电阻二R2，R1另一端连接稳压二极管ZD、电容C1，ZD另一端接地，C1另一端连接全桥电路正极，R2另一端接地。T2、场效应管漏级D、R2和ZD的一端均接入全桥电路的负极。
[0015]由此可见，全桥电路正极连接了两个回路，分别是经过大电流线圈T1的回路与经过小电流线圈T2的回路，且二者并联。其中，T2始终与全桥电路保持接通，并且不接其他元器件；T1的输入端和C1连接，输出端与场效应管源级S 相接，C1的输出端分别与ZD和R1连接，其中，经过R1的电路再分别和场效应管栅极G和R2相连接，随后均接地。
[0016]、本技术具体应用过程简要说明如下：
[0017]在开始工作时，T1仅在刚通电时工作，即通电瞬间，电容C1充电，电压值达到场效应管的开启电压，使得场效应管的S级和D级接通，经过T1的电路也就接通了，即C1、T1、场效应管形成瞬间大电流回路，交流接触器(图中未画出，省略)迅速完成接触点吸合过程。随后在电容C1完成充电后，此时场效应管的S级和D级断开，T1停止工作，进入交流接触器正常运行状态。
[0018]在正常运行时，经过大电流线圈的T1的回路处于断开状态，只有经过小电流线圈的T2的回路接通，其在交流接触器通电后始终保持接通状态，即T2形成长时间小电流回路。在此状态下，因为是小电流，能量损耗较低。如果以现在常用的交流接触器CJ20的线圈为例，在运行状态下CJ20的线圈功率大约是50W，而本技术的T2的功率在运行状态时，可以降低到10W左右，节能效果非常明显。
[0019]在结束工作时，桥式电路停止供电，小电流线圈的T2回路断开后，由于之前在正常运行时电流较小，磁力较小，交流接触器接触点便能够更迅速断开，这也有效缓解了电弧过大产生的安全性问题。
[0020]本技术并不局限于场效应管，只是场效应管表达了本技术的结构与应用。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于场效应管的双线圈交流接触器控制电路，全桥电路连接小电流线圈(T2)，其特征在于，全桥电路正极连接大电流线圈(T1)，大电流线圈(T1)另一端连接场效应管源级(S)，场效应管漏级(D)接地，场效应管栅极(G)连接保护电阻一(R1)，保护电阻一(R1)另一端连接电容(C1)、稳压二极管(ZD)，稳压二极管(ZD)另一端接地，电容(C1)另一端连接全桥电路正极。2.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵凯程，
申请(专利权)人：赵凯程，
类型：新型
国别省市：