改进砷化镓晶片表面质量的方法技术

本发明专利技术涉及砷化镓晶片表面处理技术领域，尤其涉及改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：S1、用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理，结束后用去离子水冲洗10

【技术实现步骤摘要】
改进砷化镓晶片表面质量的方法


[0001]本专利技术涉及砷化镓晶片表面处理
，尤其涉及改进砷化镓晶片表面质量的方法。

技术介绍

[0002]砷化镓晶片(GaAs)具有高的电子迁移率和禁带宽度，是微波、毫米波器件的理想材料，在国防及卫星通讯领域有极其重要的作用，是仅次于硅晶片的重要的半导体材料。砷化镓晶片是由纯砷和镓合成并生长得到的砷化镓单晶材料经过切、磨、抛光和清洗等工序后制成。
[0003]现有对砷化镓表面质量处理的方法通常是利用酸腐蚀工艺，但是在酸腐蚀之后，砷化镓晶片的表面会因为硫酸对镓的过度去除，从而导致其表面上呈现富砷的现象，因此，我们提出了改进砷化镓晶片表面质量的方法用于解决上述问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是为了解决现有技术中存在的缺点，而提出的改进砷化镓晶片表面质量的方法。
[0005]改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：
[0006]S1、去除表面有机物：用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理，结束后用去离子水冲洗10
‑
12分钟，得砷化镓晶片A；
[0007]S2、表面氧化：用硫酸、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15
‑
20分钟，得砷化镓晶片B；
[0008]S3、去除氧化层：用氢氧化铵、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗15
‑
20分钟，即得成品砷化镓晶片。
[0009]优选的，所述S1中超声处理的温度为60
‑
63℃，超声时间为10
‑
15分钟。
[0010]优选的，所述S2中硫酸、双氧水和水的混合体积比为5:1:1。
[0011]优选的，所述S3中氢氧化铵和水的混合体积比为1:(1
‑
3):5。
[0012]优选的，所述S2的处理温度为15
‑
18℃，S3的处理温度为常温。
[0013]相比于现有技术，本专利技术的有益效果是：
[0014]在本专利技术中，在硫酸清洗后利用氢氧化铵、双氧水和水的混合溶液对氧化后的砷化镓晶片进行处理，不仅可以有效地去除氧化层，而且还能溶解富集的单相砷，从而使得得到的砷化镓晶片的表面更加平整。
具体实施方式
[0015]下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。
[0016]实施例1：
[0017]改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：
[0018]S1、去除表面有机物：在60℃温度环境下，用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理10分钟，结束后用去离子水冲洗10分钟，得砷化镓晶片A；
[0019]S2、表面氧化：在15℃温度环境下，用硫酸、双氧水和水按体积比5:1:1组成的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15分钟，得砷化镓晶片B；
[0020]S3、去除氧化层：在室温环境下，用氢氧化铵、双氧水和水按体积比1:1:5组成的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗20分钟，即得成品砷化镓晶片。
[0021]实施例2：
[0022]改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：
[0023]S1、去除表面有机物：在60℃温度环境下，用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理10分钟，结束后用去离子水冲洗10分钟，得砷化镓晶片A；
[0024]S2、表面氧化：在15℃温度环境下，用硫酸、双氧水和水按体积比5:1:1组成的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15分钟，得砷化镓晶片B；
[0025]S3、去除氧化层：在室温环境下，用氢氧化铵、双氧水和水按体积比1:2:5组成的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗20分钟，即得成品砷化镓晶片。
[0026]实施例3：
[0027]改进砷化镓晶片表面质量的方法，包括以下步骤：
[0028]S1、去除表面有机物：在60℃温度环境下，用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理10分钟，结束后用去离子水冲洗10分钟，得砷化镓晶片A；
[0029]S2、表面氧化：在15℃温度环境下，用硫酸、双氧水和水按体积比5:1:1组成的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15分钟，得砷化镓晶片B；
[0030]S3、去除氧化层：在室温环境下，用氢氧化铵、双氧水和水按体积比1:3:5组成的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗20分钟，即得成品砷化镓晶片。
[0031]以上所述，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.改进砷化镓晶片表面质量的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、去除表面有机物：用十二烷基硫酸钠溶液对砷化镓晶片进行超声波处理，结束后用去离子水冲洗10
‑
12分钟，得砷化镓晶片A；S2、表面氧化：用硫酸、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片A进行处理，处理结束后再次用去离子水冲洗15
‑
20分钟，得砷化镓晶片B；S3、去除氧化层：用氢氧化铵、双氧水和水的混合溶液对砷化镓晶片B进行处理，去除氧化层，处理结束后再次用去离子水冲洗15
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20分钟，即得成品砷化镓晶片。2.根据权利要求1所述的改进砷化镓晶片表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：王永净，陈基生，
申请(专利权)人：厦门华芯晶圆半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：