纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液技术

本发明专利技术公开了纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液，纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法合成球形的α

【技术实现步骤摘要】
纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液


[0001]本专利技术属于氧化铝磨料的
，尤其涉及纳米氧化铝磨粒、制备方法、应用和含该磨粒的碳化硅抛光液。

技术介绍

[0002]碳化硅(SiC)单晶材料由于其禁带宽度大、硬度高、抗摩擦能力强、以及导热性能良好，而被广泛应用于半导体工业与光学器件。材料的应用建立在其优异的表面平整度与光洁度基础之上，然而因其超高硬度和超强的抗摩擦性能，使得碳化硅表面处理成为一个难题。化学机械抛光(CMP)技术是目前常用的碳化硅表面处理方法，它可将碳化硅晶圆的表面粗糙度降到0.2nm以下，为后续的材料外延打下良好的基础。
[0003]抛光液作为抛光加工中的主要抛光载体，一直是研究者的研究重点。磨粒是抛光液的基础与关键成分，磨粒的种类、结构、硬度、粒度、形貌等物化指标显著影响其抛光性能。
[0004]现有碳化硅抛光液主要采用氧化铝磨粒或二氧化硅磨粒。氧化铝磨粒表面为不规则形貌，磨粒硬度高、粒径大(大约200nm)、抛光中的摩擦力大，抛光速率较高，但抛光产生的表面缺陷较多，不能满足碳化硅晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种纳米氧化铝磨粒，其特征在于：所述纳米氧化铝磨粒由含铝氧化剂、含氨基或羧基的有机物燃料、反应溶剂通过溶液燃烧法反应合成，纳米氧化铝磨粒为球形的α
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Al2O3。2.如权利要求1所述的纳米氧化铝磨粒，其特征在于：所述含铝氧化剂为硝酸铝或高氯酸铝。3.如权利要求1所述的纳米氧化铝磨粒，其特征在于：所述有机物燃料包括氨基酸、羧酸、肼、尿素中的至少一种。4.如权利要求1所述的纳米氧化铝磨粒，其特征在于：所述反应溶剂为去离子水。5.如权利要求1所述的纳米氧化铝磨粒，其特征在于：所述纳米氧化铝磨粒的粒径不超过20～25nm。6.一种纳米氧化铝磨粒的制备方法，其特征在于：包括以下几个步骤：将含铝氧化剂和含氨基或羧基的有机物燃料溶于反应溶剂形成溶液；将溶液转移至坩埚内，后将坩埚置于马弗炉内，将马弗炉按10～20℃/min升温速率加热至预定温度，保温一段时间，冷却，获得球形的α
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【专利技术属性】
技术研发人员：皮孝东，张序清，吴琛，杨德仁，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：