【技术实现步骤摘要】
有机发光晶体管及其制备方法、显示装置
[0001]本申请涉及显示
,尤其涉及一种有机发光晶体管及其制备方法、显示装置。
技术介绍
[0002]相关技术中,有机电致发光器件(Organic Light
‑
Emitting Diode,简称OLED)的背板结构较为复杂,使得底发射OLED器件的开口率较低,影响产品亮度;且背板结构较为复杂也限制了OLED产品的分辨率。
[0003]而有机发光晶体管(Organic Light Emitting Transistor,简称OLET)同时具备有机场效应晶体管(Organic Field
‑
effect Transistor,简称OFET)的电路调制功能,以及有机发光二极管(Organic Light
‑
Emitting Diode,简称OLED)的发光功能。且其控制电路结构相对简单,在高分辨率应用领域有较强应用前景。
技术实现思路
[0004]有鉴于此,本申请的目的在于提出一种有机发光晶体管及其制备方法
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种有机发光晶体管,其特征在于,包括:衬底基板;多个子像素,设置在所述衬底基板上;所述子像素包括在远离所述衬底基板上依次设置的栅极层、绝缘层、源极层、电连接层、有源层、发光层和漏极层;所述源极层被配置为包括彼此隔开的多个岛状电极,所述电连接层被配置为将所述多个岛状电极电连接。2.根据权利要求1所述的有机发光晶体管,其特征在于,所述电连接层为掺杂半导体层。3.根据权利要求2所述的有机发光晶体管,其特征在于,还包括空穴传输层,所述空穴传输层设置在所述发光层靠近所述衬底基板的一侧;所述掺杂半导体层为p型掺杂半导体层。4.根据权利要求2所述的有机发光晶体管,其特征在于,还包括电子传输层,所述电子传输层设置在所述发光层靠近所述衬底基板的一侧;所述掺杂半导体层为n型掺杂半导体层。5.根据权利要求1所述的有机发光晶体管,其特征在于,所述源极层的材质为铟或银。6.根据权利要求5所述的有机发光晶体管,其特征在于,所述电连接层的材质为透光材料。7.根据权利要求6所述的有机发光晶体管,其特征在于,所述有机发光晶体管为顶发射有机发光晶体管,所述漏极层为透光导电材料。8.根据权利要求6所述的有机发光晶体管,其特征在于,所述有机发光晶体管为底发射有机发光晶体管;所述栅极层为透光导电材料。9.根据权利要求1所述的有...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓虎,刘晓云,焦志强,王路,袁广才,康亮亮,王鹏,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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