一种变频器半控整流电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种变频器半控整流电路，包括MCU控制模块、可控硅触发电路、上电软启动充电电路和三相可控硅整流电路，所述三相可控硅整流电路的输入端连接三相交流电，三相可控硅整流电路的控制端连接可控硅触发电路，三相可控硅整流电路的输出端连接上电软启动充电电路，可控硅触发电路还连接MCU控制模块，本实用新型专利技术使用可控硅代替二极管，删除了主回路接触器，删除控制接触器的电源，使得变频器的尺寸缩小，结构更紧凑；在小型化，窄体机，模块化，多机并联等多级传动方案变频器应用更为方便。方便。方便。

【技术实现步骤摘要】
一种变频器半控整流电路


[0001]本技术涉及变频器
，具体是一种变频器半控整流电路。

技术介绍

[0002]通常变频器的整流电路为三相整流桥全波整流方式，将电网的交流电整流成带脉动纹波电压的直流电，母线电容来维持电压稳定在一定的纹波电压范围之内，在变频器上电时，电容等效为短路状态，为了避免整流桥桥瞬时冲击电流导致损坏，需要增加软启动电路，上电时通过电阻为电容充电，电容充满电后通过继电器或者接触器来旁路电阻。该方案缺点在大功率变频器应用时，接触器的空间体积大，同时接触器在变频器主回路段，结构布局要求高，同时需要单独的供电开关电源为接触器供电保证可靠旁路，在小型化，模块化，多级传动方案变频器具备优势不明显。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种变频器半控整流电路，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：
[0005]一种变频器半控整流电路，包括MCU控制模块、可控硅触发电路、上电软启动充电电路和三相可控硅整流电路，所述三相可控硅整流电路的输入端连接三相交流电，三相可控硅整流电路的控制端连接可控硅触发电路，三相可控硅整流电路的输出端连接上电软启动充电电路，可控硅触发电路还连接MCU控制模块。
[0006]作为本技术的进一步技术方案：所述三相可控硅整流电路包括单向可控硅D1
‑
D3、二极管D4
‑
D6，单向可控硅D1的阳极连接二极管D4的阴极和三相交流输入的接口T，单向可控硅D2的阳极连接二极管D5的阴极和三相交流输入的接口S，单向可控硅D3的阳极连接二极管D6的阴极和三相交流输入的接口R。
[0007]作为本技术的进一步技术方案：所述上电软启动充电电路包括二极管D7
‑
D9、电阻R29，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D8的阳极连接二极管D5的阴极，二极管D9的阳极连接二极管D4的阴极，二极管D7
‑
D9的阳极连接在一起后与电阻R29连接。
[0008]作为本技术的进一步技术方案：所述MCU控制模块包含母线电压检测电路。
[0009]作为本技术的进一步技术方案：所述可控硅触发电路包含可控硅触发前级电路、可控硅触发后级电路、可控硅驱动信号放大电路和可控硅接口电路。
[0010]作为本技术的进一步技术方案：所述可控硅触发前级电路包括光耦U3和三极管Q1，光耦U3的接口2通过电阻R8连接MCU控制信号Rslay，光耦U3的接口3通过电阻R13连接三极管Q1的基极，光耦U3的接口4通过电阻R10连接三极管Q1的集电极和使能信号RST。
[0011]作为本技术的进一步技术方案：所述可控硅触发后级电路包括555定时器U2、计时器U1和集电器U4，555定时器U2连接计时器U1，555定时器U2的15脚连接使能信号RST，计时器U1还连接集电器U4，集电器U4输出信号PWMR1
‑
信号PWMR3和+7V5_SCR信号，计时器U1
的型号为CD4017BCM，集电器U4的型号为UL20003。
[0012]作为本技术的进一步技术方案：所述可控硅驱动信号放大电路包括射极跟随器Q2和二极管D4，射极跟随器Q2的基极通过并联连接的电阻R22和电容C4连接信号PWMR1，射极跟随器Q2的发射极连接+7V5_SCR信号，射极跟随器Q2的集电极通过并联连接的电阻R16和电阻R19连接电阻R20、二极管D4的阴极和信号RG1，信号RG1连接接口J1。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益效果是：本技术使用可控硅代替二极管，删除了主回路接触器，删除控制接触器的电源，使得变频器的尺寸缩小，结构更紧凑；在小型化，窄体机，模块化，多机并联等多级传动方案变频器应用更为方便。
附图说明
[0014]图1为本技术的整体原理图；
[0015]图2为可控硅触发前级电路图。
[0016]图3为可控硅触发后级电路图。
[0017]图4为可控硅驱动信号放大电路图。
[0018]图5为可控硅接口与驱动板之间的连线接口电路图。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]请参阅图1
‑
图5，一种变频器半控整流电路，包括MCU控制模块、可控硅触发电路、上电软启动充电电路和三相可控硅整流电路，所述三相可控硅整流电路的输入端连接三相交流电，三相可控硅整流电路的控制端连接可控硅触发电路，三相可控硅整流电路的输出端连接上电软启动充电电路，可控硅触发电路还连接MCU控制模块。
[0021]其中，三相可控硅整流电路包括单向可控硅D1
‑
D3、二极管D4
‑
D6，单向可控硅D1的阳极连接二极管D4的阴极和三相交流输入的接口T，单向可控硅D2的阳极连接二极管D5的阴极和三相交流输入的接口S，单向可控硅D3的阳极连接二极管D6的阴极和三相交流输入的接口R。
[0022]上电软启动充电电路包括二极管D7
‑
D9、电阻R29，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D8的阳极连接二极管D5的阴极，二极管D9的阳极连接二极管D4的阴极，二极管D7
‑
D9的阳极连接在一起后与电阻R29连接。
[0023]MCU控制模块包含母线电压检测电路。
[0024]可控硅触发电路包含可控硅触发前级电路、可控硅触发后级电路、可控硅驱动信号放大电路和可控硅接口电路。
[0025]如图2所示，可控硅触发前级电路包括光耦U3和三极管Q1，光耦U3的接口2通过电阻R8连接MCU控制信号Rslay，光耦U3的接口3通过电阻R13连接三极管Q1的基极，光耦U3的接口4通过电阻R10连接三极管Q1的集电极和使能信号RST。
[0026]如图3所示，可控硅触发后级电路包括555定时器U2、计时器U1和集电器U4，555定
时器U2连接计时器U1，555定时器U2的15脚连接使能信号RST，计时器U1还连接集电器U4，集电器U4输出信号PWMR1
‑
信号PWMR3和+7V5_SCR信号，计时器U1的型号为CD4017BCM，集电器U4的型号为UL20003。
[0027]如图4所示，可控硅驱动信号放大电路包括射极跟随器Q2和二极管D4，射极跟随器Q2的基极通过并联连接的电阻R22和电容C4连接信号PWMR1，射极跟随器Q2的发射极连接+7V5_SCR信号，射极跟随器Q2的集电极通过并联连接的电阻R16和电阻R19连接电阻R20、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变频器半控整流电路，包括MCU控制模块、可控硅触发电路、上电软启动充电电路和三相可控硅整流电路，其特征在于，所述三相可控硅整流电路的输入端连接三相交流电，三相可控硅整流电路的控制端连接可控硅触发电路，三相可控硅整流电路的输出端连接上电软启动充电电路，可控硅触发电路还连接MCU控制模块。2.根据权利要求1所述的一种变频器半控整流电路，其特征在于，所述三相可控硅整流电路包括单向可控硅D1
‑
D3、二极管D4
‑
D6，单向可控硅D1的阳极连接二极管D4的阴极和三相交流输入的接口T，单向可控硅D2的阳极连接二极管D5的阴极和三相交流输入的接口S，单向可控硅D3的阳极连接二极管D6的阴极和三相交流输入的接口R。3.根据权利要求2所述的一种变频器半控整流电路，其特征在于，所述上电软启动充电电路包括二极管D7
‑
D9、电阻R29，二极管D7的阳极连接二极管D6的阴极，二极管D8的阳极连接二极管D5的阴极，二极管D9的阳极连接二极管D4的阴极，二极管D7
‑
D9的阳极连接在一起后与电阻R29连接。4.根据权利要求3所述的一种变频器半控整流电路，其特征在于，所述MCU控制模块包含母线电压检测电路。5.根据权利要求4所述的一种变频器半控整流电路，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄英定，龚健，许朝斌，
申请(专利权)人：长沙市创安电气有限公司，
类型：新型
国别省市：