一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置制造方法及图纸

技术编号:34648267 阅读:12 留言:0更新日期:2022-08-24 15:28
本实用新型专利技术涉及半导体器件技术领域,具体为一种S i C半导体器件栅极漏电检测装置,包括装载台,所述安装座通过定位滑槽安装有检测台,所述承载板的端部中间处设置有定位气缸,所述定位气缸的驱动端设置有装载板,所述装载板的端部左右对称设置有导向杆,所述装载槽的内部左右对称安装有检测头,所述限位板上安装有限位旋钮杆,通过检测台与定位滑槽滑动连接,能够使检测台的拉动位移便捷性高,使半导体器件的上料和卸料便捷高,通过检测头与装载槽和限位槽适配滑动连接,能够使检测头之间的间距调控便捷高,使检测头对不同尺寸的半导体器件检测适用性高,通过限位旋钮杆能够使检测头的定位稳定性高,提高对半导体器件的检测质量和效率。量和效率。量和效率。

【技术实现步骤摘要】
一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置


[0001]本技术涉及半导体器件
,具体为一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置。

技术介绍

[0002]半导体器件是导电性介于良导电体与绝缘体之间,利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件,可用来产生、控制、接收、变换、放大信号和进行能量转换,半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓,可用作整流器、振荡器、发光器、放大器、测光器等器材,为了与集成电路相区别,有时也称为分立器件,绝大部分二端器件(即晶体二极管)的基本结构是一个PN结。
[0003]随着科学技术的不断发展,半导体器件的应用也越加地广泛,且在半导体器件生产的过程中,需要对其进行通电质量检测,避免劣质产品流入市场中去,现有技术中对半导体器件的检测通常是通过人工检测,人工检测存在测试不精准现象,并且通过人工逐个检测需要消耗大量时间,需要消耗大量人工劳动力,且检测效率低,从而降低了厂家的生产效率,因此需要一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置对上述问题做出改善。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。
[0005]为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:
[0006]一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置,包括装载台,所述装载台的内部设置有安装座,所述装载台的内部左侧设置有检测箱,所述检测箱的端部设置有线路座,所述安装座的端部左右对称开设有定位滑槽,所述安装座通过定位滑槽安装有检测台,所述检测台的正面中间处设置有拉杆,所述装载台的正面中间处设置有显示器,所述装载台上左右对称设置有装载架,所述装载架的端部设置有承载板,所述承载板的端部中间处设置有定位气缸,所述定位气缸的驱动端设置有装载板,所述装载板的端部左右对称设置有导向杆,所述装载板的底部后侧设置有线路约束卡座,所述装载板的底部中间处横向开设有装载槽,所述装载板的底部前侧左右对称开设有定位槽,所述装载槽的内部左右对称安装有检测头,所述检测头的内壁前侧设置有限位板,所述限位板上安装有限位旋钮杆。
[0007]作为本技术优选的方案,所述检测台的底部左右两侧与定位滑槽适配设置有衔接板。
[0008]作为本技术优选的方案,所述装载架呈“U”型结构设置。
[0009]作为本技术优选的方案,所述承载板上与导向杆是对应适配开设有导向孔。
[0010]作为本技术优选的方案,所述装载槽的内部左右对称开设有限位槽,所述检测头的下侧结构与装载槽和限位槽适配设置。
[0011]作为本技术优选的方案,所述限位旋钮杆与限位板螺纹连接,所述限位旋钮
杆的下端与定位槽对应设置。
[0012]与现有技术相比,本技术的有益效果是:
[0013]1.本技术中,通过检测台与定位滑槽滑动连接,能够使检测台的拉动位移便捷性高,使半导体器件的上料和卸料便捷高,通过导向孔能够导向杆对装载板的导向稳定性较高,使半导体器件的检测精确度较高。
[0014]2.本技术中,通过检测头与装载槽和限位槽适配滑动连接,能够使检测头之间的间距调控便捷高,使检测头对不同尺寸的半导体器件检测适用性高,通过限位旋钮杆能够使检测头的定位稳定性高,提高对半导体器件的检测质量和效率。
附图说明
[0015]图1为本技术的整体结构示意图;
[0016]图2为本技术的部分仰视结构示意图;
[0017]图3为本技术的A部放大结构示意图。
[0018]图中:1、装载台;2、安装座;3、检测箱;4、线路座;5、定位滑槽;6、检测台;7、拉杆;8、显示器;9、装载架;10、承载板;1001、导向孔;11、定位气缸;12、装载板;13、导向杆;14、线路约束卡座;15、装载槽;1501、限位槽;16、定位槽;17、检测头;18、限位板;19、限位旋钮杆。
具体实施方式
[0019]下面将结合本技术实施例中的附图,对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例,而不是全部的实施例,基于本技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本技术保护的范围。
[0020]为了便于理解本技术,下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述,附图中给出了本技术的若干实施例,但是,本技术可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
[0021]需要说明的是,当元件被称为“固设于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
[0022]除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本技术。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
[0023]实施例:请参阅图1

3所示的一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置,包括装载台1,装载台1的内部设置有安装座2,装载台1的内部左侧设置有检测箱3,检测箱3的端部设置有线路座4,安装座2的端部左右对称开设有定位滑槽5,安装座2通过定位滑槽5安装有检测台6,检测台6的正面中间处设置有拉杆7,装载台1的正面中间处设置有显示器8,装载台1上左右对称设置有装载架9,装载架9的端部设置有承载板10,承载板10的端部中间处设置有
定位气缸11,定位气缸11的驱动端设置有装载板12,装载板12的端部左右对称设置有导向杆13,装载板12的底部后侧设置有线路约束卡座14,装载板12的底部中间处横向开设有装载槽15,装载板12的底部前侧左右对称开设有定位槽16,装载槽15的内部左右对称安装有检测头17,检测头17的内壁前侧设置有限位板18,限位板18上安装有限位旋钮杆19。
[0024]在该实施例中,检测台6的底部左右两侧与定位滑槽5适配设置有衔接板,装载架9呈“U”型结构设置,承载板10上与导向杆13是对应适配开设有导向孔1001,通过检测台6与定位滑槽5滑动连接,能够使检测台6的拉动位移便捷性高,使半导体器件的上料和卸料便捷高,通过导向孔1001能够导向杆13对装载板12的导向稳定性较高,使半导体器件的检测精确度较高。
[0025]在该实施例中,装载槽15的内部左右对称开设有限位槽1501,检测头17的下侧结构与装载槽15和限位槽1501适配设置,限位旋钮杆19与限位板18螺纹连接,限位旋钮杆19的下端与定位槽16对应设置,通过检测头17与本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种SiC半导体器件栅极漏电检测装置,包括装载台(1),其特征在于:所述装载台(1)的内部设置有安装座(2),所述装载台(1)的内部左侧设置有检测箱(3),所述检测箱(3)的端部设置有线路座(4),所述安装座(2)的端部左右对称开设有定位滑槽(5),所述安装座(2)通过定位滑槽(5)安装有检测台(6),所述检测台(6)的正面中间处设置有拉杆(7),所述装载台(1)的正面中间处设置有显示器(8),所述装载台(1)上左右对称设置有装载架(9),所述装载架(9)的端部设置有承载板(10),所述承载板(10)的端部中间处设置有定位气缸(11),所述定位气缸(11)的驱动端设置有装载板(12),所述装载板(12)的端部左右对称设置有导向杆(13),所述装载板(12)的底部后侧设置有线路约束卡座(14),所述装载板(12)的底部中间处横向开设有装载槽(15),所述装载板(12)的底部前侧左右对称开设有定位槽(16),所述装载槽(15)的内部左右对称安装有检测头(17),所述检...

【专利技术属性】
技术研发人员:艾育林
申请(专利权)人:江西万年芯微电子有限公司
类型:新型
国别省市:

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