一种北斗S频段短报文模组电源保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，涉及短报文模组电源保护技术领域，包括输入端、第一电容、双向TVS、PNP三极管、NPN三极管、第一PMOS、第二PMOS、输出端，所述输入端、第一电容、双向TVS依次并联，所述PNP三极管、第一PMOS栅极源极并联，所述第二PMOS源极与输出端连接；所述PNP三极管、NPN三极管均调试偏置电路使其静态工作点位于饱和区；该电路可以通过第一电容、双向TVS，对输入的5V电源进行消除纹波和噪声，减少振铃和过冲，并对高于5V的电压进行拦截，使得最终能够输入干净稳定的5V电源，整个电路具有线路简单、功耗低、集成度高等优点。集成度高等优点。集成度高等优点。

【技术实现步骤摘要】
一种北斗S频段短报文模组电源保护电路


[0001]本技术涉及短报文模组电源保护
，具体涉及一种北斗S频段短报文模组电源保护电路。

技术介绍

[0002]短报文通信是北斗系统的特色之一，可实现用户机与用户机或用户机与地面中心的短消息服务。单次通信容量最大可达120个汉字。每个用户机都有唯一的ID，并采用1户1 密的加密方式，通信均需要地面中心站转发。
[0003]短报文模组具有应用简单、集成高、体积小、功耗低等特点，外部仅需5V供电即可。正是由于这些优势导致短报文模组维修起来显得不够方便，故在设计时，需着重考虑维修的可实施性，尤其是电源需要多加以保护和监测。
[0004]目前市面上的短报文模组，过于追求小体积，低功耗，忽略了后期维护，尤其是电源部分，少以考虑电源保护。本技术着眼于短报文模组电源保护，设计一种5V电源输入保护电路。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于克服现有技术的不足，提供一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，包括输入端、第一电容、双向TVS、PNP三极管、NPN三极管、第一PMOS、第二PMOS、输出端，所述输入端、第一电容、双向TVS依次并联，所述第一PMOS包括第一PMOS栅极、第一PMOS源极，所述PNP三极管、第一PMOS栅极、第一PMOS源极并联，所述第二PMOS包括第二PMOS源极、第二PMOS栅极，所述第二PMOS源极与所述输出端连接；所述PNP三极管、NPN三极管均调试偏置电路使其静态工作点位于饱和区。
[0006]优选的，还包括稳压二极管，所述双向TVS、稳压二极管、PNP三极管依次并联。
[0007]优选的，还包括第二电容，所述第二电容与所述第一PMOS栅极、第一PMOS源极连接。
[0008]优选的，还包括偏置电阻，所述偏置电阻与NPN三极管和PNP三极管的基极连接。
[0009]优选的，还包括MCU，所述NPN三极管的集电极与MCU的GPIO管脚连接。
[0010]优选的，还包括第三电容，所述第三电容与输出端并联。
[0011]优选的，所述输入端包括5V供电端口、5VUSB供电端口，还包括第三PMOS，所述第一PMOS还包括第一PMOS源极，所述第三PMOS还包括第三PMOS漏极，所述5V 供电端口与第一PMOS源极并联，所述5VUSB供电端口与所述第三PMOS漏极并联。
[0012]优选的，所述第三PMOS还包括第三PMOS源极，所述第三PMOS源极与输出端并联。
[0013]与现有技术相比，本技术的有益技术效果是：
[0014]本技术能够通过第一电容、双向TVS，对输入的5V电源进行消除纹波和噪声，减少振铃和过冲，并对高于5V的电源进行拦截，使得最终能够输入干净稳定的额5V电源，并设置多重开关，两个PMOS相互配合，防止两种供电来源互灌，整个电路具有线路简单、功耗
低、集成度高等优点。
附图说明
[0015]图1显示为一种北斗S频段短报文模组电源保护电路的原理图；
具体实施方式
[0016]下面结合本技术的附图1，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施。
[0017]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“逆时针”、“顺时针”“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0018]如图1所示，一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，包括输入端、第一电容、双向TVS、PNP三极管、NPN三极管、第一PMOS、第二PMOS、输出端，所述输入端、第一电容、双向TVS依次并联，所述第一PMOS包括第一PMOS栅极、第一PMOS源极，所述PNP三极管、第一PMOS栅极、第一PMOS源极并联，所述第二PMOS包括第二PMOS 源极、第二PMOS栅极，所述第二PMOS源极与所述输出端连接；所述PNP三极管、NPN 三极管均调试偏置电路使其静态工作点位于饱和区。
[0019]上电后，输入端输入的电源由第一电容消除纹波和噪声，减少振铃和过冲，使5V趋于稳定。5V未发生浪涌时，双向TVS是不工作的，处于截止状态。上电和掉电时，5V会产生浪涌，浪涌电压将导通双向TVS，使TVS进入工作状态，浪涌电压电流立即导入地，避免对后极电路造成损害。
[0020]进一步的，还包括稳压二极管，所述双向TVS、稳压二极管、PNP三极管依次并联。
[0021]当输入是5V时，稳压二极管是未导通的，PNP三极管被5V拉高，PNP未导通，使PMOS 的栅极被下拉到地，PMOS导通，5V继续正常输入后极，若三输入超过5V，比如6V以上，稳压二极管工作，使得PNP的发射极电压高于基极电压，PNP导通，PMOS的栅极被拉高至 5V,PMOS处于截止状态，5V无法进入后极。
[0022]进一步的，还包括第二电容，所述第二电容与所述第一PMOS栅极、第一PMOS源极连接。
[0023]在PMOS的栅极和源极并联电容以减小米勒效应。
[0024]进一步的，还包括偏置电阻，所述偏置电阻与NPN三极管和PNP三极管的基极连接。
[0025]进一步的，还包括MCU，所述NPN三极管的集电极与MCU的GPIO管脚连接。
[0026]5V进入后极，通过偏置电阻分压使NPN三极管导通，使连接于MCU的电压监测信号拉到地，以告知MCU此时5V输入处于正常工作状态。否则MCU的电压监测信号为高电平(MCU 默认内部上拉)。
[0027]进一步的，还包括第三电容，所述第三电容与输出端并联。
[0028]进一步的，所述输入端包括5V供电端口、5VUSB供电端口，还包括第三PMOS，所述第一PMOS还包括第一PMOS源极，所述第三PMOS还包括第三PMOS漏极，所述5V 供电端口与第一PMOS源极并联，所述5VUSB供电端口与所述第三PMOS漏极并联。
[0029]进一步的，所述第三PMOS还包括第三PMOS源极，所述第三PMOS源极与输出端并联。
[0030]可选用外部5V供电和USB5V供电，最后用两个PMOS相互配合，防止两种供电来源互灌。NPN，PNP和PMOS的开启和关闭过程中，会产生噪声，最后再经两个电容退耦输出干净的5V。
[0031]动作过程：上电后，各元器件直接进入工作状态，无需使能。5V输出经过滤波减小纹波并去除噪声，双向TVS使输入一瞬间产生的浪涌电压电流导入地。PNP三极管和稳压二极管配合控制PMOS的导通，判断是否允许5V继本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，其特性在于，包括输入端、第一电容、双向TVS、PNP三极管、NPN三极管、第一PMOS、第二PMOS、输出端，所述输入端、第一电容、双向TVS依次并联，所述第一PMOS包括第一PMOS栅极、第一PMOS源极，所述PNP三极管、第一PMOS栅极、第一PMOS源极并联，所述第二PMOS包括第二PMOS源极、第二PMOS栅极，所述第二PMOS源极与所述输出端连接；所述PNP三极管、NPN三极管均调试偏置电路使其静态工作点位于饱和区。2.根据权利要求1所述的一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，其特征在于，还包括稳压二极管，所述双向TVS、稳压二极管、PNP三极管依次并联。3.根据权利要求1所述的一种北斗S频段短报文模组电源保护电路，其特征在于，还包括第二电容，所述第二电容与所述第一PMOS栅极、第一PMOS源极连接。4.根据权利要求1所述的一种北斗S频段短报文模组电源保...

【专利技术属性】
技术研发人员：祝嘉成，蒋家德，姜珂，双涛，李勇，周力，刘伟，游茗粤，
申请(专利权)人：四川惟景科技有限公司，
类型：新型
国别省市：