一种p-GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一种p

【技术实现步骤摘要】
一种p
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GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用


[0001]本专利技术涉及半导体材料与器件
，尤其涉及一种p
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GaN欧姆接触电极及其制备方法与应用

技术介绍

[0002]GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。虽然GaN基器件在近年来取得了相当大的进展，但是其较难实现低阻的p型GaN欧姆接触，使得GaN基高温大功率器件的研制一直受到限制。
[0003]实现p
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GaN欧姆接触的难点有以下几个方面：
[0004](1)p
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GaN载流子浓度不高；(2)缺少一种合适的接触金属，另外金属化工艺条件也会影响p
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GaN接触电阻；(3)GaN表面具有化学活性，容易吸收氧原子，从而在表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种p
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GaN欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到第一GaN基外延片；在所述第一GaN基外延片的p型GaN层上刻蚀，制备出欧姆接触区域，得到第二GaN基外延片；利用热磷酸溶液对所述第二GaN基外延片进行湿法腐蚀处理，清洗后得到第三GaN基外延片；在所述第三GaN基外延片的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p
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GaN欧姆接触电极的制备。2.一种p
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GaN欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供GaN基外延片，所述GaN基外延片的最上层为p型GaN层，对所述p型GaN层进行激活处理，得到GaN基外延片A；利用热磷酸溶液对所述GaN基外延片A进行湿法腐蚀处理，清洗后得到GaN基外延片B；在所述GaN基外延片B的p型GaN层上光刻，制备出欧姆接触区域，得到GaN基外延片C；在所述GaN基外延片C的欧姆接触区域积淀金属，并通过退火工艺对金属进行合金处理，完成p
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GaN欧姆接触电极的制备。3.如权利要求1或2所述的p
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GaN欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，利用热磷酸溶液进行湿法腐蚀处理过程中，腐蚀时间为2
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6h，溶液温度为60
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100℃。4.如权利要求3所述的p
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GaN欧姆接触电极的制备方法，其特征在于，利用热磷酸溶液进行湿法腐蚀处理过程中，腐蚀时间为3
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4h，溶液温度为70
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90℃。5.如权利要求1或2所述的p
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GaN欧姆接触电极的制备方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁旭，于国浩，王哲明，赵德胜，张宝顺，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：