发光二极管元件以及发光二极管电路制造技术

本公开内容提供一种发光二极管元件以及发光二极管电路，发光二极管元件包含基体以及多个P

【技术实现步骤摘要】
发光二极管元件以及发光二极管电路


[0001]本公开涉及一种发光二极管元件以及发光二极管电路，特别涉及一种包含多个P
‑
N二极管结构的发光二极管元件以及发光二极管电路。

技术介绍

[0002]在市面上一般的主动矩阵式(active matrix)微发光二极管(micro light emitting diode，micro LED)显示器中，通常以驱动电路或晶体管来驱动仅具有一个二极管结构的发光二极管元件，但如此驱动方式可能导致较高的功率消耗。此外，当发光二极管元件损坏而无法发光时，必须将整个元件替换，如此对显示器设计者及消费者造成额外的成本。

技术实现思路

[0003]本公开的一实施例提供一种发光二极管元件，包含基体以及多个P
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N二极管结构。P
‑
N二极管结构彼此串联耦接并横向地相邻配置而整合在基体上。P
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N二极管结构包含多个P型掺杂层以及多个N型掺杂层。P型掺杂层在基体上相对于N型掺杂层配置。P
‑
N二极管结构中第一P
‑<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管元件，包含：一基体；以及多个P
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N二极管结构，彼此串联耦接并横向地相邻配置而整合在该基体上；其中该些P
‑
N二极管结构包含多个P型掺杂层以及多个N型掺杂层，该些P型掺杂层在该基体上相对于该些N型掺杂层配置；其中该些P
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N二极管结构中一第一P
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N二极管结构的该P型掺杂层电性耦接该些P
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N二极管结构中相邻该第一P
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N二极管结构的一第二P
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N二极管结构的该N型掺杂层。2.如权利要求1所述的发光二极管元件，进一步包含：多个第一电极垫，电性耦接该些P
‑
N二极管结构中对应的该些P型掺杂层；以及多个第二电极垫，电性耦接该些P
‑
N二极管结构中对应的该些N型掺杂层；其中该些第二电极垫中的一第m个第二电极垫电性耦接该些第一电极垫中的一第(m+1)个第一电极垫，m为大于1的正整数。3.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该些第一电极垫中的相邻二者彼此间隔约3～300微米，该些第二电极垫中的相邻二者彼此间隔约3～300微米。4.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该些第一电极垫及该些第二电极垫皆外露而作为独立的电极。5.如权利要求2所述的发光二极管元件，其中该些P型掺杂层配置于该些N型掺杂层与该基体之间，且该些P
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N二极管结构中任两相邻P
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N二极管结构的其中一者的该P型掺杂层通过一互连结构电性耦接另一者的该N型掺杂层。6.一种显示装置中的发光二极管电路，包含：多个晶体管，该些晶体管的第一端彼此电性耦接且用以接收一第一参...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊雨，吴仰恩，苏松宇，王贤军，王雅榕，谢嘉定，黄建富，林欣莹，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：