【技术实现步骤摘要】
低漏电MOS器件结构
[0001]本技术涉及功率半导体器件
，尤其涉及一种碳化硅MOSFET器件。
技术介绍
[0002]碳化硅材料与硅材料相比，具有较大的禁带宽度、较高的载流子饱和速率和较大的热导率等优良特性，因此使用碳化硅材料制作的电力电子器件性能远超硅材料；采用碳化硅材料制作的功率器件具有更低的导通损耗、开关损耗以及更好的电压阻断能力，因此具有广阔的应用前景。
[0003]碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，与现有的硅材料相比，具有禁带宽度宽，临界击穿电场高，饱和漂移速度高等优势，以SiC材料制备的MOSFET器件，与相同耐压水平的硅基MOSFET相比，又具有导通电阻低，尺寸小，开关速度快等优势。
[0004]MOSFET器件一般作为大功率的开关器件在电路中使用，对于开关器件，一般在开启时处于线性区，即器件处于低导通电压高导通电流的模式；而当开关关闭时，器件处于截止区，此时器件两端能承受高电压且只有极小的漏电流。因此，在器件正常工作情况下，MOSFET器件不会同时承担高压和大电流。然而，一旦器件...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种低漏电MOS器件结构，其特征在于：包括至少2个器件单胞（15），所述器件单胞（15）进一步包括：N+型衬底层（1）和位于N+型衬底层（1）上部的N
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漂移层（2），所述N
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漂移层（2）中上部具有一P
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型基区（3），位于所述P
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型基区（3）上部具有源极区（5），所述源极区（5）的左右两侧通过P
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型基区（3）与N
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漂移层（2）隔离，所述源极区（5）左右两侧各自上表面分别覆盖有一第一栅氧化层（61）、第二栅氧化层（62）；所述第一栅氧化层（61）、第二栅氧化层（62）各自上表面均覆盖有一多晶硅栅极层（7），此多晶硅栅极层（7）上表面覆盖有一介质层（8），一源极金属层（9）与源极区（5）电接触，一栅极金属层（10）与多晶硅栅极层（7）电接触；所述N
‑
漂移层（2）上表面覆盖有第一金属层（12），此第一金属层（12）与第一多晶硅N型块区（131）电连接，一第一多晶硅P型块区（132）与所述多晶硅栅极层（7）电连接，所述第一多晶硅N型块区（131）与第一多晶硅P型块区（132）之间依...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈远华，居长朝，徐烨钧，
申请(专利权)人：苏州泰晶微半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：
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