一种双面黑化铜导电膜及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种双面黑化铜导电膜及其制备方法，包括PET载体膜，PET载体膜下端面设有第一氧化铜镀膜层，第一氧化铜镀膜层下端面设有第一纯铜镀膜层，PET载体膜上端面设有第二纯铜镀膜层，第二纯铜镀膜层上端面设有第二氧化铜镀膜层。本发明专利技术通过在PET载体膜正反两面进行镀铜，减少一层PET透明膜，产品总厚度更薄，减少后端加工工序，节约成本，各镀层与PET膜之间的结合紧密，后续蚀刻细线路时镀层不容易脱落造成断线；铜导电层表面在不影响导电性能的情况下加镀一层氧化铜，在后续加工过程中减少空气等与导电层接触，保护导电层，避免导电层被腐蚀和氧化；低反射率的黑色的氧化铜镀膜层能够更好阻隔后续蚀刻的线路，使最终制成的显示屏显示效果更佳。的显示屏显示效果更佳。的显示屏显示效果更佳。

【技术实现步骤摘要】
一种双面黑化铜导电膜及其制备方法


[0001]本专利技术涉及触摸屏领域，特别是一种双面黑化铜导电膜及其制备方法。

技术介绍

[0002]现有技术中，ITO导电膜也作为大屏幕用低阻抗金属导电膜，是利用平面阴极磁控溅镀技术，在超薄玻璃上溅射氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到的高技术产品。ITO导电膜玻璃广泛地用于液晶显示器、太阳能电池、微电子ITO导电膜玻璃、光电子和各种光学领域。
[0003]ITO导电膜的主要参数有：表面方块电阻、表面电阻的均匀性、透光率、反射率、蚀刻前后反射率差值、热稳定性、耐酸碱稳定性、耐划伤等。其中光透过率主要与ITO膜所用的基底材料和ITO膜厚度有关。在基底材料相同的情况下，ITO膜的表面电阻越小，ITO膜层的厚度越大，光透过率相应的会有一定程度的减小。
[0004]现有ITO导电膜的结构为：PET/IM/ITO氧化铟锡，其中IM为消影层，ITO是导电层，这种结构在蚀刻成线路以后，由于蚀刻前后的反射差值较大，ITO电极线看的非常明显，影响触摸屏的外观。在可见光下，由于整个膜层的透过率比较低，只有88本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双面黑化铜导电膜，包括PET载体膜，其特征在于：所述PET载体膜下端面设有第一氧化铜镀膜层，所述第一氧化铜镀膜层下端面设有第一纯铜镀膜层，所述PET载体膜上端面设有第二纯铜镀膜层，所述第二纯铜镀膜层上端面设有第二氧化铜镀膜层。2.根据权利要求1所述的双面黑化铜导电膜，其特征在于：所述第一氧化铜镀膜层和第二氧化铜镀膜层的10≤反射率≤20％。3.根据权利要求1所述的双面黑化铜导电膜，其特征在于：所述第一纯铜镀膜层和第二纯铜镀膜层的厚度均为500纳米。4.根据权利要求1所述的双面黑化铜导电膜，其特征在于：所述第一氧化铜镀膜层和第二氧化铜镀膜层的厚度为200纳米。5.一种权利要求1所述的双面黑化铜导电膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在10
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7Torr高度真空状态下，向磁控溅镀设备的第一铜旋转靶充入氩气和氧气；施以20A、460V的高压直流电，将氩气和氧气电离成氩离子和氧离子，氩离子加速撞击纯铜靶材，溅射出铜离子；铜离子和氧离子结合生成氧化铜在电场中加速溅射在PET载体膜上，形成厚度为200纳米的10≤反射率≤20％的黑色的第一氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：张子键，张爱国，薛中，刘凯，刘凯华，栗佳星，
申请(专利权)人：焦作嵩阳光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：