变频器功率单元制造技术

技术编号:34621206 阅读:15 留言:0更新日期:2022-08-20 09:28
本实用新型专利技术公开了一种变频器功率单元,包括:壳体,壳体内设置有风道,风道位于壳体内第一方向的一端,风道沿第二方向延伸,风道具有分别位于壳体第二方向两端的第一进风口和第一出风口,第一方向和第二方向在水平方向上垂直;散热器组件,散热器组件设于壳体内,散热器组件包括在第一方向上排布的散热器主体和元器件,元器件安装于散热器主体上,散热器主体的至少部分位于风道内,元器件设于风道外;电容组件,电容组件设于壳体内且位于风道外,电容组件与元器件在第二方向上排布且位于风道的同一侧。根据本实用新型专利技术的变频器功率单元,散热性能好,同时可以降低成本,减少散热器组件的重量。件的重量。件的重量。

【技术实现步骤摘要】
变频器功率单元


[0001]本技术涉及变频器
,尤其是涉及一种变频器功率单元。

技术介绍

[0002]相关技术中,变频器的散热较差,影响变频器功率的提升,且成本较高,相对体积较大,不能满足使用需求。

技术实现思路

[0003]本技术旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本技术提出一种变频器功率单元,所述变频器功率单元散热性能好,同时可以降低成本,减少散热器组件的重量。
[0004]根据本技术实施例的变频器功率单元,包括:壳体,所述壳体内设置有风道,所述风道位于所述壳体内第一方向的一端,所述风道沿第二方向延伸,所述风道具有分别位于所述壳体第二方向两端的第一进风口和第一出风口,所述第一方向和所述第二方向在水平方向上垂直;散热器组件,所述散热器组件设于所述壳体内,所述散热器组件包括在所述第一方向上排布的散热器主体和元器件,所述元器件安装于所述散热器主体上,所述散热器主体的至少部分位于所述风道内,所述元器件设于风道外;电容组件,所述电容组件设于所述壳体内且位于所述风道外,所述电容组件与所述元器件在第二方向上排布且位于所述风道的同一侧。
[0005]根据本技术实施例的变频器功率单元,通过在壳体内第一方向的一端限定出风道,使得散热器组件和电容组件在第二方向上排布,并使得散热器组件的散热器主体的至少部分位于风道内,电容组件和元器件位于风道外且位于风道的同一侧,并在壳体的第二方向的两端分别设置与风道连通的第一进风口和第一出风口,使得气流可以从第一进风口进入风道,流经散热器主体后从第一出风口流出,实现了对散热器主体的散热,从而实现了对元器件的散热,同时实现了对电容组件的散热,散热性能好,同时可以降低成本,减少散热器组件的重量。
[0006]根据本技术的一些实施例,所述壳体内设有隔板所述散热器主体包括:散热板,所述散热板与所述隔板在第二方向上排布且彼此连接,所述散热板、所述隔板与所述壳体限定出所述风道,所述元器件安装于所述散热板的远离所述风道的一侧,所述电容组件位于所述隔板的远离所述风道的一侧;散热翅片,所述散热翅片设于所述散热板的远离所述元器件的一侧,所述散热翅片设于所述风道内。根据本技术的一些实施例,所述散热器组件设于所述电容组件的朝向所述第三壁面的一侧。
[0007]根据本技术的一些实施例,所述散热器组件设于所述电容组件的靠近所述第一进风口的一侧。
[0008]根据本技术的一些实施例,所述风道在所述壳体第三方向的一端延伸至另一端,所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直。
[0009]根据本技术的一些实施例,所述壳体包括在第一方向上相对的第一壁面和第二壁面,以及在第二方向上相对的第三壁面和第四壁面,所述第一壁面被构造成所述风道的部分壁面,所述第三壁面和所述第四壁面中的一个上设有所述第一进风口,另一个上设有所述第一出风口,所述散热器组件设于所述电容组件的靠近所述第三壁面的一侧,所述第二壁面的靠近所述第四壁面的一端与所述第四壁面间隔开以形成避让缺口,所述电容组件包括支撑电容的电容支撑组件,所述电容支撑组件包括与所述避让缺口相对的外板,所述电容设于所述外板的朝向所述第一壁面的一侧,所述外板上设有多个间隔开的第二进风口,所述第四壁面设有多个间隔开的第二出风口。
[0010]在本技术的一些实施例中,所述电容支撑组件还包括内板,所述内板与所述外板平行设置且位于所述外板的朝向所述第一壁面的一侧,所述内板和所述外板限定出通道,所述第二进风口和所述第二出风口分别与所述通道连通。
[0011]根据本技术的一些实施例,所述电容组件包括:电容支撑组件;多个电容,所述电容设于所述电容支撑组件上,所述电容的连接触点与所述元器件的安装面在所述第一方向上大体平齐。
[0012]在本技术的一些实施例中,所述电容的连接触点位于所述电容的远离所述电容支撑组件的一端。
[0013]根据本技术的一些实施例,所述元器件包括IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)和整流桥,所述IGBT和所述整流桥在第三方向上依次排布,所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直,所述IGBT为至少两个,所述IGBT在所述第三方向上排布,所述整流桥为至少两个,所述整流桥在所述第二方向上排布。
[0014]在本技术的一些实施例中,所述IGBT和所述整流桥与所述电容分别通过层叠母排连接,所述层叠母排包括:正极排,所述正极排包括连接的正极排主体部和正极排连接部;负极排,所述负极排包括连接的负极排主体部和负极排连接部,所述正极排主体部和所述负极排主体部层叠设置且所述正极排主体部和所述负极排主体部之间设有绝缘层,所述正极排连接部和所述负极排连接部层叠设置,且所述正极排连接部和所述负极排连接部之间设有绝缘层,所述正极排主体部和所述负极排主体部分别与所述电容连接,所述正极排连接部和所述负极排连接部分别与所述IGBT连接。
[0015]根据本技术的一些实施例,还包括:控制板组件,所述控制板组件设于所述元器件的远离所述风道的一侧,且位于所述电容组件的朝向所述元器件的一侧,所述元器件与所述控制板组件连接。
[0016]本技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本技术的实践了解到。
附图说明
[0017]本技术的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
[0018]图1是根据本技术实施例的变频器功率单元的立体图;
[0019]图2是根据本技术实施例的变频器功率单元的主视图;
[0020]图3是沿图2中A

A线的剖视图;
[0021]图4是根据本技术实施例的变频器功率单元的立体图,其中部分壳体隐藏;
[0022]图5是根据本技术实施例的变频器功率单元的主视图,其中部分壳体隐藏;
[0023]图6是根据本技术实施例的变频器功率单元的电容组件和散热器组件的立体图;
[0024]图7是根据本技术实施例的变频器功率单元的散热器组件的立体图;
[0025]图8是根据本技术实施例的变频器功率单元的散热器组件的主视图;
[0026]图9是根据本技术实施例的变频器功率单元的电容组件的立体图;
[0027]图10是根据本技术实施例的变频器功率单元的电容组件的主视图;
[0028]图11是根据本技术实施例的变频器功率单元的层叠母排的立体图;
[0029]图12是根据本技术实施例的变频器功率单元的层叠母排的主视图;
[0030]图13是根据本技术实施例的变频器功率单元的控制板组件的立体图;
[0031]图14是根据本技术实施例的变频器功率单元的控制板组件的主视图;
[0032]图15是根据本技术实施例的变频器功率单元的壳本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种变频器功率单元,其特征在于,包括:壳体,所述壳体内设置有风道,所述风道位于所述壳体内第一方向的一端,所述风道沿第二方向延伸,所述风道具有分别位于所述壳体第二方向两端的第一进风口和第一出风口,所述第一方向和所述第二方向在水平方向上垂直;散热器组件,所述散热器组件设于所述壳体内,所述散热器组件包括在所述第一方向上排布的散热器主体和元器件,所述元器件安装于所述散热器主体上,所述散热器主体的至少部分位于所述风道内,所述元器件设于风道外;电容组件,所述电容组件设于所述壳体内且位于所述风道外,所述电容组件与所述元器件在第二方向上排布且位于所述风道的同一侧。2.根据权利要求1所述的变频器功率单元,其特征在于,所述壳体内设有隔板,所述散热器主体包括:散热板,所述散热板与所述隔板在第二方向上排布且彼此连接,所述散热板、所述隔板与所述壳体限定出所述风道,所述元器件安装于所述散热板的远离所述风道的一侧,所述电容组件位于所述隔板的远离所述风道的一侧;散热翅片,所述散热翅片设于所述散热板的远离所述元器件的一侧,所述散热翅片设于所述风道内。3.根据权利要求1所述的变频器功率单元,其特征在于,所述散热器组件设于所述电容组件的靠近所述第一进风口的一侧。4.根据权利要求1所述的变频器功率单元,其特征在于,所述风道在所述壳体第三方向的一端延伸至另一端,所述第三方向与所述第一方向和所述第二方向均垂直。5.根据权利要求1所述的变频器功率单元,其特征在于,所述壳体包括在第一方向上相对的第一壁面和第二壁面,以及在第二方向上相对的第三壁面和第四壁面,所述第一壁面被构造成所述风道的部分壁面,所述第三壁面和所述第四壁面中的一个上设有所述第一进风口,另一个上设有所述第一出风口,所述散热器组件设于所述电容组件的靠近所述第三壁面的一侧,所述第二壁面的靠近所述第四壁面的一端与所述第四壁面间隔开以形成避让缺口,所述电容组件包括支撑电容的电容支撑组件,所述电容支撑组件包括与所述避让缺口相对...

【专利技术属性】
技术研发人员:汤惠崴王丰冯恒昌霍强王军
申请(专利权)人:北京合康新能变频技术有限公司
类型:新型
国别省市:

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