一种耦合强度可调的微环薄膜铌酸锂调制器制造技术

本发明专利技术提出一种基于薄膜铌酸锂的耦合强度可调的微环调制器。该调制器中，微环与波导发生两次耦合，同时利用铌酸锂的高效电光效应，可以同时单独调节微环和波导中的折射率，进而调节微环和波导中光的相位。调节微环中的相位，可以调节调制器的谐振频率。另一方面，通过改变波导中的相位，可以改变微环和波导的耦合强度。这种耦合强度可调的微环薄膜铌酸锂调制器可以实现临界耦合，过耦合和欠耦合的连续可调。可调。可调。

【技术实现步骤摘要】
一种耦合强度可调的微环薄膜铌酸锂调制器


[0001]本专利技术涉及集成光电芯片,光通信器件等领域，更具体的说，涉及一种光电调制器。

技术介绍

[0002]光任意波形生成器在超带宽光信号，光脉冲雷达，光时间微分器以及光通信系统等许多应用中起着至关重要的作用。目前广泛采用的是基于傅立叶合成和频率到时间的映射。基于傅里叶合成方法的方案通常由光频梳源、高分辨率光谱色散器和复杂的幅度和相位调制阵列组成。然而，高分辨率集成光谱色散器仍然是芯片制造的一大挑战，导致当梳间距非常小时很难一根一根地操纵梳线。并且梳状线的相位对环境波动非常敏感，使得相位控制非常困难，需要进行额外的相干检测。基于频时映射的方案通常由短脉冲源、频谱整形器和用于实现映射的色散介质组成。光源可以是相干光源或非相干光源。并且可以通过使用成熟的光纤光栅技术或光子集成电路来获得光谱整形器。然而，大多数方案中的色散介质是单模光纤（SMF）或色散补偿光纤（DCF）。在芯片上实现大色散仍然是一个很大的挑战。
[0003]薄膜铌酸锂拥有可观的电光效应，物理化学性能稳定，可以在芯片上实现大色散的调本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.本发明涉及一种耦合强度可调的微环调制器，其特征在于，微环调制器中微环和波导有两个耦合点，波导中的光在第一个耦合点进入微环之后，在微环中传播一圈之前，又在和波导的第二个耦合点耦合出来进入波导中，最后波导中出来。2.根据权利要求1所述的耦合强度可调的微环调制器，其特征在于，微环上面有一个相位调制器，用来调制光在微环中的折射率和相位，进而调节整个调制器的谐振频率。3.根据权利要求1所述的耦合强度可调的微环调制器，其特征在于，微环上面有一个相位调制器，用来调制光在微环中的折射率和相位，进而调节整个调制器的谐振频率。4.根据权利要求1所述的耦合强度可调的微环调制器，其特征在于，光可以通过断面耦合或者光栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ五一IntClG零二F一零三五，
申请(专利权)人：侯松岩，
类型：发明
国别省市：