【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包封有铜柱和双面再分布层的三维集成电路封装
[0001]根据本公开的实施方案的一个或多个方面涉及封装，并且更确切来说涉及一种包括铜柱和环氧模塑化合物的集成电路封装。
技术介绍
[0002]被通孔延伸穿过的半导体管芯(诸如具有硅穿孔的硅管芯)可由于形成所述穿孔的工艺而很薄。在一些实施方案中，所述管芯约200微米厚，并且因此其可能相对脆，例如容易破裂或碎裂。
[0003]因此，需要封装来保护薄的半导体管芯，同时使得可形成到管芯的一个或两个表面的电连接。
技术实现思路
[0004]根据本专利技术的实施方案，提供一种封装，所述封装具有顶表面和底表面，且包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有前表面、后表面和多个边缘；模塑化合物，所述模塑化合物位于所述管芯的所述后表面上；多个第一导电元件，所述多个第一导电元件穿过在所述管芯的所述后表面上的所述模塑化合物延伸到所述封装的所述顶表面；以及多个第二导电元件，所述多个第二导电元件位于所述封装的所述底表面上。
[0005]在一些实施方案中，所述模塑化合物还位于所述管芯
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种具有顶表面和底表面的封装，所述封装包括：半导体管芯，所述半导体管芯具有前表面、后表面和多个边缘；模塑化合物，所述模塑化合物位于所述管芯的所述后表面上；多个第一导电元件，所述多个第一导电元件穿过在所述管芯的所述后表面上的所述模塑化合物延伸到所述封装的所述顶表面；以及多个第二导电元件，所述多个第二导电元件位于所述封装的所述底表面上。2.如权利要求1所述的封装，其中所述模塑化合物还位于所述管芯的所述边缘上。3.如权利要求1或权利要求2所述的封装，其中所述半导体管芯是硅管芯，并且所述模塑化合物是环氧模塑化合物。4.如前述权利要求中任一项所述的封装，其中所述半导体管芯包括多个通孔，所述多个通孔从所述管芯的所述前表面延伸到所述管芯的所述后表面。5.如前述权利要求中任一项所述的封装，其中所述半导体管芯包括位于所述管芯的所述前表面上的多个晶体管。6.如前述权利要求中任一项所述的封装，所述封装还包括位于所述管芯的所述前表面上的第一再分布层。7.如权利要求6所述的封装，其中所述第一再分布层不延伸通过所述管芯的所述多个边缘中的第一边缘。8.如前述权利要求中任一项所述的封装，所述封装还包括位于所述管芯的所述后表面上的第二再分布层。9.如前述权利要求中任一项所述的封装，其中：所述第一导电元件中的每一者是直径为至少100微米并且高度为至少50微米的铜柱，相邻第一导电元件之间的距离为至少300微米，所述第二导电元件中的每一者是直径为最多50微米并且高度为最多50微米的铜杆凸块，并且相邻第二导电元件之间的距离为最多120微米。10. 如权利要求4所述的封装，所述封装还包括：第一再分布层，所述第一再分布层位于所述管芯的所述前表面上；以及第二再分布层，所述第二再分布层位于所述管芯的所述后表面上，其中所述第二导电元件中的每一者通过所述第一再分布层并且通过所述通孔连接到所述管芯的所述前表面。11. 如权利要求10所述的封装，其中：所述半导体管芯包括位于所述半导体管芯的所述前表面上的跨阻抗放大器；并且所述跨阻抗放大器具有：输入端，所述输入端通过所述第一再分布层连接到所述多个第二导电元件中的一个导电元件；以及输出端，所述输出端通过所述第一再分布层、通...
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