正极活性物质、二次电池、电子设备制造技术

本发明专利技术的一个方式提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。提供一种充放电容量大的正极活性物质。该正极活性物质包含锂、钴、镍、镁及氧，正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数大于内部的a轴的晶格常数，最表面层的c轴的晶格常数大于内部的c轴的晶格常数。优选的是，最表面层的a轴的晶格常数与内部的a轴的晶格常数的变化率大于0且为0.12以下，最表面层的c轴的晶格常数与内部的c轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。轴的晶格常数的变化率大于0且为0.18以下。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】research and design”，Acta Cryst.，(2002)B58 364
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369.

技术实现思路

专利技术所要解决的技术问题
[0008]然而，锂离子二次电池及用于其正极活性物质在充放电容量、循环特性、可靠性、安全性或成本等各种方面还有改善的余地。
[0009]本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种正极活性物质，该正极活性物质可以被用于锂离子二次电池且由充放电循环引起的充放电容量下降得到抑制。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种即使反复充放电晶体结构也不容易崩塌的正极活性物质。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种充放电容量大的正极活性物质。此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种安全性或可靠性高的二次电池。
[0010]此外，本专利技术的一个方式的目的之一是提供一种正极活性物质、蓄电装置或它们的制造方法。
[0011]注意，这些目的的记载不妨碍其他目的的存在。注意，本专利技术的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书的记载中抽取上述目的以外的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种正极活性物质，包括：锂、钴、镍、镁及氧，其中，所述正极活性物质的最表面层的a轴的晶格常数A
surface
大于内部的a轴的晶格常数A
core
，并且，所述最表面层的c轴的晶格常数C
surface
大于所述内部的c轴的晶格常数C
core
。2.根据权利要求1所述的正极活性物质，其中所述最表面层的a轴的晶格常数A
surface
与内部的a轴的晶格常数A
core
之差Δ
A
除以所述晶格常数A
core
而得的变化率R
A
大于0且为0.12以下，并且所述最表面层的c轴的晶格常数C
surface
与内部的c轴的晶格常数C
core
之差Δ
C
除以所述晶格常数C
core
而得的变化率R
C
大于0且为0.18以下。3.根据权利要求2所述的正极活性物质，其中所述变化率R
A
为0.05以上且0.07以下，并且所述变化率R
C
为0.09以上且0.12以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的正极活性物质，其中所述最表面层的c轴的晶格常数C
surface
与内部的c轴的晶格常数C
core
之差Δ
C
大于所述最表面层的a轴的晶格常数A
surface
与内部的a轴的晶格常数A
core
之差Δ
A
。5.一种正极活性物质，包括：锂、钴、镍、镁及氧，其中，所述正极活性物质的最表面层的至少一部分具有过渡金属位置层与锂位置层交替存在的层状岩盐型晶体结构，并且，所述锂位置层的一部分包含原子序数比锂大的金属元素。6.根据权利要求5所述的正极活性物质，其中所述原子序数比锂大的金属元素为镁、钴或铝。7.根据权利要求5...

【专利技术属性】
技术研发人员：三上真弓，斉藤丞，落合辉明，门马洋平，中岛佳美，浅田善治，种村和幸，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：