一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构制造技术

技术编号:34595921 阅读:15 留言:0更新日期:2022-08-20 08:56
本申请属于电缆技术领域,特别涉及一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构。包括:焊接热缩管、屏蔽过孔引线、压接头、屏蔽层引线以及搭接线。屏蔽层引线包括多根,屏蔽层引线包括第一屏蔽层引线以及第二屏蔽层引线,第一屏蔽层引线的第一端与设备连接,第二端接地,第一屏蔽层引线上设置有焊接热缩管,焊接热缩管将第一屏蔽层引线分隔成靠近设备的第一段以及远离设备的第二段;第二屏蔽层引线的第一端与第一屏蔽层引线的第二段连接;屏蔽过孔引线的第一端与设备连接;其中,屏蔽过孔引线的第二端以及第二屏蔽层引线的第二端,或多根第二屏蔽层引线的第二端形成压接头;搭接线的第一端与压接头连接。本申请能够实现对屏蔽层的可靠端接。接。接。

【技术实现步骤摘要】
一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构


[0001]本申请属于电缆
,特别涉及一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构。

技术介绍

[0002]飞机上大量采用低频屏蔽导线,屏蔽端接形式直接影响电缆敷设的状态,进而影响系统功能、性能的实现。
[0003]常见的屏蔽端接方式应用多个焊接热缩管将屏蔽引出线进行串联,造成电缆屏蔽端接区域直径较粗、电缆弯折困难、导线根部受力等问题,对屏蔽效果有直接影响。
[0004]因此,希望有一种技术方案来克服或至少减轻现有技术的至少一个上述缺陷。

技术实现思路

[0005]本申请的目的是提供了一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,以解决现有技术存在的至少一个问题。
[0006]本申请的技术方案是:
[0007]一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,包括:
[0008]屏蔽层引线,包括多根,所述屏蔽层引线包括第一屏蔽层引线以及第二屏蔽层引线,
[0009]所述第一屏蔽层引线的第一端与设备连接,第二端接地,所述第一屏蔽层引线上设置有焊接热缩管,所述焊接热缩管将所述第一屏蔽层引线分隔成靠近所述设备的第一段以及远离所述设备的第二段;
[0010]所述第二屏蔽层引线的第一端与所述第一屏蔽层引线的第二段连接;
[0011]屏蔽过孔引线,所述屏蔽过孔引线的第一端与设备连接;
[0012]其中,所述屏蔽过孔引线的第二端以及所述第二屏蔽层引线的第二端,或多根所述第二屏蔽层引线的第二端形成压接头;
[0013]搭接线,所述搭接线的第一端与所述压接头连接。
[0014]在本申请的至少一个实施例中,形成所述压接头的所述屏蔽过孔引线与所述第二屏蔽层引线的总数不超过四根,所述搭接线与所述压接头一一对应。
[0015]在本申请的至少一个实施例中,形成所述压接头的所述第二屏蔽层引线的总数不超过四根,所述搭接线与所述压接头一一对应。
[0016]在本申请的至少一个实施例中,在干扰敏感电路中,
[0017]所述第一屏蔽层引线的第一段与所述焊接热缩管的总长度的最大值为25毫米,最小值为13毫米;
[0018]所述焊接热缩管到所述搭接线的距离的最大值为115毫米。
[0019]在本申请的至少一个实施例中,在干扰敏感电路中,所述焊接热缩管到所述搭接线的距离为25毫米或115毫米。
[0020]在本申请的至少一个实施例中,在普通RFI/EMI保护电路中,所述屏蔽层引线的总
长度不超过190毫米。
[0021]在本申请的至少一个实施例中,在普通RFI/EMI保护电路中,
[0022]所述第一屏蔽层引线的第一段与所述焊接热缩管的总长度的最大值为100毫米,最小值为13毫米;
[0023]所述焊接热缩管到所述搭接线的距离的最大值为190毫米。
[0024]在本申请的至少一个实施例中,还包括具有RFI/EMI保护功能的连接器,所述连接器与所述搭接线的第二端连接。
[0025]技术至少存在以下有益技术效果:
[0026]本申请的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,采用分组接地方式,避免了传统“手拉手”大量引出线弯折的情况,可有效确保在屏蔽端子区域内线束直径最小,解决电连接器屏蔽端接处,电缆直径过粗无法弯折的问题,取得良好的屏蔽效果。
附图说明
[0027]图1是本申请一个实施方式的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构示意图。
[0028]其中:
[0029]1‑
焊接热缩管;2

屏蔽过孔引线;3

压接头;4

屏蔽层引线;5

搭接线。
具体实施方式
[0030]为使本申请实施的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行更加详细的描述。在附图中,自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,旨在用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。下面结合附图对本申请的实施例进行详细说明。
[0031]在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请保护范围的限制。
[0032]下面结合附图1对本申请做进一步详细说明。
[0033]本申请提供了一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,包括:焊接热缩管1、屏蔽过孔引线2、压接头3、屏蔽层引线4以及搭接线5。
[0034]具体的,参见图1,屏蔽层引线4包括多根,每个屏蔽层引线4包括两部分,第一屏蔽层引线以及第二屏蔽层引线,其中,第一屏蔽层引线的第一端与设备连接,第二端接地,该第一屏蔽层引线上设置有焊接热缩管1,焊接热缩管1将第一屏蔽层引线分隔成靠近设备的第一段以及远离设备的第二段;第二屏蔽层引线的第一端与第一屏蔽层引线的第二段连接;屏蔽过孔引线2的第一端与设备连接;其中,屏蔽过孔引线2的第二端以及第二屏蔽层引线的第二端,或多根第二屏蔽层引线的第二端通过压接形成绝缘的压接头3;搭接线5的第
一端与压接头3连接。
[0035]本申请的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,可以将屏蔽过孔引线2与第二屏蔽层引线进行压接,也可以将多根第二屏蔽层引线进行压接,且在一个压接头3中,不得端接多于四根导体和一根搭接线5。即,形成压接头3的屏蔽过孔引线2与第二屏蔽层引线的总数不超过四根,搭接线5与压接头3一一对应。或者形成压接头3的第二屏蔽层引线的总数也不超过四根,搭接线5与压接头3一一对应。
[0036]本申请的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,在干扰敏感电路中,第一屏蔽层引线的第一段与焊接热缩管1的总长度X的最大值为25毫米,最小值为13毫米;焊接热缩管1到搭接线5的距离Y的最大值为115毫米。本实施例中,优选焊接热缩管1到搭接线5的距离Y为25毫米或115毫米。
[0037]本申请的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,在普通RFI/EMI保护电路中,屏蔽层引线4的总长度不超过190毫米。本实施例中,第一屏蔽层引线的第一段与焊接热缩管1的总长度X的最大值为100毫米,最小值为13毫米;焊接热缩管1到搭接线5的距离Y的最大值为190毫米。
[0038]本实施例中,有关X和Y的距离,参见表1。
[0039]表1
[0040][0041]本申请的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,如果无法提供足够的隔离,则需本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,其特征在于,包括:屏蔽层引线(4),包括多根,所述屏蔽层引线(4)包括第一屏蔽层引线以及第二屏蔽层引线,所述第一屏蔽层引线的第一端与设备连接,第二端接地,所述第一屏蔽层引线上设置有焊接热缩管(1),所述焊接热缩管(1)将所述第一屏蔽层引线分隔成靠近所述设备的第一段以及远离所述设备的第二段;所述第二屏蔽层引线的第一端与所述第一屏蔽层引线的第二段连接;屏蔽过孔引线(2),所述屏蔽过孔引线(2)的第一端与设备连接;其中,所述屏蔽过孔引线(2)的第二端以及所述第二屏蔽层引线的第二端,或多根所述第二屏蔽层引线的第二端形成压接头(3);搭接线(5),所述搭接线(5)的第一端与所述压接头(3)连接。2.根据权利要求1所述的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,其特征在于,形成所述压接头(3)的所述屏蔽过孔引线(2)与所述第二屏蔽层引线的总数不超过四根,所述搭接线(5)与所述压接头(3)一一对应。3.根据权利要求1所述的改进低频屏蔽导线的屏蔽端接结构,其特征在于,形成所述压接头(3)的所述第二屏蔽层引线的总数不超过四根,所述搭接线(5)与所述压接头(3...

【专利技术属性】
技术研发人员:李大珩付磊霍亮谢惠玲
申请(专利权)人:中国航空工业集团公司沈阳飞机设计研究所
类型:新型
国别省市:

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