一种镀膜设备制造技术

本实用新型专利技术公开了一种镀膜设备，包括镀膜腔体，围绕镀膜腔体的外周边设置有多个法兰口，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，所述类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源。本实用新型专利技术的镀膜设备，具有多功能，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能，实现一机多用。实现一机多用。实现一机多用。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜设备


[0001]本技术涉及一种镀膜设备，属于真空镀膜领域。

技术介绍

[0002]通常真空镀膜设备，功能配置单一，普遍配置单独的磁控溅射源(Sputtering 溅射源)，或单独的类金刚石(Diamond
‑
like C氩气bon，DLC)源，或单独的弧源等用于沉积类金刚石膜层。缺乏具有多功能的镀膜设备，多种方法沉积类金刚石膜层以及镀膜、退膜一体的真空镀膜设备。

技术实现思路

[0003]本技术的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种镀膜设备，具有多功能，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能，实现一机多用。
[0004]实现上述目的的技术方案是：一种镀膜设备，包括镀膜腔体，围绕镀膜腔体的外周边设置有多个法兰口，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，所述类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；
[0005]整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源；
[0006]所述离子源用于离子清洗，或用于增强等离子体沉积类金刚石膜层，或用于氧化退膜。
[0007]上述的一种镀膜设备，其中，所述氧化退膜的膜层包括但不限于类金刚石等碳膜。
[0008]上述的一种镀膜设备，其中，所述离子源包括但不限于阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。
[0009]本技术的镀膜设备，为多功能镀膜设备，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能。该镀膜设备可以作为生产设备，更可以作为技术研发设备，高效沉积类金刚石膜层及碳膜等的氧化处理。为本领域技术研发提供便捷，极大提高研发效率。
附图说明
[0010]图1为本技术的镀膜设备的结构示意图；
[0011]图2为本技术的镀膜设备的使用状态图。
具体实施方式
[0012]为了使本
的技术人员能更好地理解本技术的技术方案，下面结合附图对其具体实施方式进行详细地说明：
[0013]请参阅图1和图2，本技术的实施例，一种镀膜设备，包括镀膜腔体10，围绕镀膜腔体10的外周边设置有八个法兰口1～8，其中一个法兰口8为抽气口，其余的七个法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；整个镀膜设备包含三个离子源、两个磁控溅射源(简称SPT)、一个多弧源和一个过滤弧源。两个磁控溅射源分别设置在法兰口1和法兰口5，三个离子源分别设置在法兰口2、法兰口4和法兰口 7；多弧源设置在法兰口3，过滤弧源设置在法兰口6。三个离子源中，一个离子源用于离子清洗；一个离子源用于增强等离子体沉积类金刚石膜层；一个离子源用于氧化退膜，氧化退膜的膜层包括但不限于类金刚石等碳膜。离子源包括但不限于阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。
[0014]本技术的镀膜设备，在加工时，根据需要，围绕镀膜腔体10的圆周设置的法兰口的数量可以改变，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，类金刚石镀膜源的位置、数量，可根据需求调整。整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源；离子源用于离子清洗，或用于增强等离子体沉积类金刚石膜层，或用于氧化退膜。
[0015]本技术的镀膜设备，在工作时，通过抽气口外接抽真空设备，实现镀膜腔体10内需要的真空度。
[0016]本技术的镀膜设备，可以实现包括但不限于如下功能：
[0017](1)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用离子源开始镀膜。步骤包括：开启一个或多个离子源电源，通入氩气,乙炔气体，沉积类金刚石膜层。
[0018](2)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用SPT溅射源开始镀膜，靶材为C靶(简称SPT C溅射源)。步骤包括：开启一个或多个SPT C溅射源电源，通入氩气，沉积类金刚石膜层。
[0019](3)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用多弧源开始镀膜，靶材为C靶。步骤包括：开启一个或多个多弧源电源，沉积类金刚石膜层。
[0020](4)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用过滤弧源开始镀膜，靶材为C靶。步骤包括：开启一个或多个过滤弧源电源，沉积类金刚石膜层。
[0021](5)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用多弧源和过滤弧源开始镀膜，靶材为C靶。步骤包括：开启多弧源和过滤弧源电源，沉积类金刚石膜层。
[0022](6)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用离子源和过滤弧源开始镀膜，过滤弧源靶材为C靶。步骤包括：开启离子源电源和过滤弧源电源，通入氩气,乙炔气体，沉积类金刚石膜层。
[0023](7)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用离子源和SPT C 溅射源开始镀
膜。步骤包括：开启离子源电源和SPT C溅射源电源，通入氩气,乙炔气体，沉积类金刚石膜层。
[0024](8)将被镀工件用纯水清洗、烘干，再置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至4.0E
‑
5Torr时，选用离子源进行离子清洗，清洗结束后使用离子源、SPT C 溅射源、C靶过滤弧源开始镀膜。步骤包括：开启离子源电源、SPT C溅射源电源、过滤弧源电源，通入氩气,乙炔气体，沉积类金刚石膜层。
[0025](9)退膜实施例：将待退工件置于镀膜腔体10内，镀膜腔体10内抽真空至 2.0E
‑
4Torr时，开启离子源电源，通入氧气、氩气，退去工件上的膜层。
[0026]各实施例为实际应用举例，非本申请的限制；实施所用电离气体氩气、反应气体乙炔，为实施例举例，非本申请的限制，还可以用其他惰性气体、C
‑
H等气体。
[0027]本技术的镀膜设备，包含多种类金刚石镀膜源用于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括镀膜腔体、三个离子源、两个磁控溅射源、一个多弧源和一个过滤弧源，围绕镀膜腔体的外周边设置有八个法兰口1～8，所述两个磁控溅射源分别设置在法兰口1和法兰口5，所述三个离子源分别设置在法兰口2、法兰口4和法兰口7；所述多弧源设置在法兰口3，所述过滤弧源设置在法兰口6；法兰口8为抽气口；三个离子...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐智，
申请(专利权)人：纳峰真空镀膜上海有限公司，
类型：新型
国别省市：