一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、设备及存储介质技术

本申请公开了一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、电子设备及存储介质，其中调制电路包括：调制模块和调制深度调整模块；其中，所述调制模块根据第一电压和第二电压对载波信号进行幅移键控ASK调制，得到已调信号；所述调制深度调整模块根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整。本申请中，调制深度调整模块可以根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整，因此，当环境噪声变化时，本申请的ASK调制电路可以动态调整调制深度，不仅能够适应复杂多变的环境，而且能够保证信号的良好传输。传输。传输。

【技术实现步骤摘要】
一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、设备及存储介质


[0001]本申请属于电子电路
，具体涉及一种动态规划深度的ASK调制电路、方法、电子设备及存储介质。

技术介绍

[0002]ASK即“幅移键控”又称为“振幅键控”。ASK是一种相对简单的调制方式。幅移键控相当于模拟信号中的调幅，只不过与载波信号相乘的是二进制数码而已。幅移就是把频率、相位作为常量，而把振幅作为变量，信息比特是通过载波的幅度来传递的。ASK调制常用于一些实际的电子设备中，例如无线充电设备。
[0003]现有的无线充电技术方案，在进行ASK调制时，通常采用的是固定调制深度的方法，其缺点在于，当环境噪声突然变化时，比如环境噪声增大时，固定的调制深度不足以对抗噪声，信号不能良好传输。另一方面，固定的调制深度，会造成一定程度的无线电传输功率的浪费，比如，环境允许以10%调制深度传输，如果调制深度固定在20%，则会造成10%左右的无线充电传输功率损失，然而，在调制深度固定的情况下，只能把调制深度固定在一个比较偏大的值以适应多变的环境。
专利技术内容
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态规划深度的ASK调制电路，其特征在于，包括：调制模块和调制深度调整模块；其中，所述调制模块，用于根据第一电压和第二电压对载波信号进行幅移键控ASK调制，得到已调信号；ASK调制的调制深度d=(V1
‑
V2)/V1，其中，V1表示所述第一电压，V2表示所述第二电压；所述调制深度调整模块，用于根据输入的调整信号对ASK调制的调制深度进行调整；所述调制深度调整模块的输入端用于输入所述第一电压；所述调制深度调整模块的输出端，用于向所述调制模块输出所述第二电压；所述调制深度调整模块的控制端用于输入所述调整信号；所述调制模块的第一输入端用于输入所述第一电压；所述调制模块的第二输入端与所述调制深度调整模块的输出端连接；所述调制模块的第三输入端用于输入调制信号，调制信号为待发送的信息；所述调制模块的第四输入端用于输入载波信号；所述调制模块的输出端，用于输出已调信号。2.根据权利要求1所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块包括：第一MOS管、调压滤波单元、第一电阻和第一二极管；所述第一MOS管的漏极为所述调制深度调整模块的输入端，所述第一MOS管的源极连接于所述调压滤波单元的输入端，所述第一MOS管的栅极为所述调制深度调整模块的控制端；所述调压滤波单元的输出端为所述调制深度调整模块的输出端，分别通过所述第一电阻和所述第一二极管接地；所述第一二极管的阳极接地，所述第一二极管的阴极连接于所述调压滤波单元的输出端。3.根据权利要求2所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一MOS管和所述调压滤波单元之间的第二二极管，所述第二二极管的阳极与所述第一MOS管连接，所述第二二极管的阴极与所述调压滤波单元连接。4.根据权利要求2或3所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括：连接于所述第一电阻和所述调压滤波单元之间的第三二极管，所述第三二极管的阳极与所述调压滤波单元连接，所述第三二极管的阴极与所述第一电阻连接。5.根据权利要求2所述的调制电路，其特征在于，所述调压滤波单元包括第一电感和第一电容；所述第一电感的第一端与所述第一MOS管的源极连接，所述第一电感的第二端为所述调制深度调整模块的输出端且通过所述第一电容接地。6.根据权利要求5所述的调制电路，其特征在于，所述调压滤波单元还包括第二电感和第二电容；所述第二电感的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二电感的第二端为所述调制深度调整模块的输出端且通过所述第二电容接地。7.根据权利要求5或6所述的调制电路，其特征在于，所述调制深度调整模块还包括第四二极管，所述第四二极管的阴极与所述第一电感的第二端连接，所述第四二极管的阳极接地。8.根据权利要求1所述的调制电路，其特征在于，所述调制模块...

【专利技术属性】
技术研发人员：金煜昊，李绍瑜，吕后阳，
申请(专利权)人：浙江地芯引力科技有限公司，
类型：发明
国别省市：