一种解决阵列式芯片IRDROP的电源结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种解决阵列式芯片IR DROP的电源结构，其特征在于，包括多个电源组；每一所述电源组包括一局部参考电压生成器、分布式稳压器和负载；所述分布式稳压器通过电源组内部供电网络与所述负载连接，用于为所述负载供电；所述局部参考电压生成器与所述分布式稳压器连接，用于为所述分布式稳压器提供参考电压；各所述电源组的局部参考电压生成器、分布式稳压器分别通过稳压器供电网络与外部供电引脚连接，用于获取供电电压。本实用新型专利技术给出的电源网络设计具有更好的动态性能。出的电源网络设计具有更好的动态性能。出的电源网络设计具有更好的动态性能。

【技术实现步骤摘要】
一种解决阵列式芯片IR DROP的电源结构


[0001]本技术属于阵列式芯片
，具体涉及一种解决阵列式芯片电源内阻压降(IR DROP)的电源结构。

技术介绍

[0002]阵列式芯片由多个基本单元重复排列形成的阵列和必要的外围电路组成，与普通芯片相比面积较大，电源网络规模也较大。因此，由电源网络内阻导致的电源电压静态压降更为显著，成为影响芯片性能的关键问题之一。如图1、2所示。传统的供电方式包括内部集中式电源稳压器供电和外部引脚直接供电。阵列式芯片电源网络可抽象并简化为图1、2所示的分支结构。每列基本单元位于同一个电源网络分支。每个基本单元被抽象为电源网络内阻R和电流源I(即负载)。假设各个分支相对供电点的最近端电源电压为VDD，每个基本单元消耗电流为I，两个基本单元间的电源网络内阻为R，单个电源分支驱动基本单元数量为N，则各分支最远端电源电压为：VDD
‑
N(N+1)IR/2。
[0003]由上式可知，电源网络上的压降与基本单元数N的平方成正比。当芯片规模较大，电源网络上的压降以平方关系增加。这导致阵列内相对供本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种解决阵列式芯片IR DROP的电源结构，其特征在于，包括多个电源组；每一所述电源组包括一局部参考电压生成器、分布式稳压器和负载；所述分布式稳压器通过电源组内部供电网络与所述负载连接，用于为所述负载供电；所述局部参考电压生成器与所述分布式稳压器连接，用于为所述分布式稳压器提供参考电压；各所述电源组的局部参考电压生成器、分布式稳压器分别通过稳压器供电网络与外部供电引脚连接，用于获取供电电压。2.根据权利要求1所述的解决阵列式芯片IR DROP的电源结构，其特征在于，所述局部参考电压生成器提供的参考电压根据所述局...

【专利技术属性】
技术研发人员：李木槿，魏微，张杰，江晓山，
申请(专利权)人：中国科学院高能物理研究所，
类型：新型
国别省市：