发声器件和音频设备制造技术

本发明专利技术公开一种发声器件和音频设备，其中，发声器件包括导磁板、第一磁路结构、第二磁路结构、高音振膜、高音音圈、低音振膜和低音音圈；第一磁路结构包括相连接的第一磁体和第一华司，第一磁体设于导磁板，第一华司设于第一磁体，第一华司包括第一子华司和间隔环设于第一子华司外的第二子华司，第一子华司和第二子华司之间形成有高音磁间隙；第二磁路结构，设于导磁板，并间隔环设于第一磁路结构外，第一磁路结构和第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；高音音圈对应高音磁间隙设置；低音音圈插设于低音磁间隙，且部分相对第一磁体设置。本发明专利技术技术方案旨在实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。有利于提升音频设备的装配便利性。有利于提升音频设备的装配便利性。

【技术实现步骤摘要】
发声器件和音频设备


[0001]本专利技术涉及电声转换
，特别涉及一种发声器件和音频设备。

技术介绍

[0002]发声器件是音频设备中的重要声学部件，是一种把电信号转变为声信号的换能器件，音频设备包括耳机、音响、手机或电脑等。现今，市场越来越追求全频段音质，为满足全频段音质，涌现出很多高低音单元结合的多单元音频设备，即一个音频设备中放置高音单元和低音单元。然而，现有的多单元音频设备虽然解决了全频段问题，但是也由此导致了发声器件的体积增大，增加了音频设备整机装配的难度。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提出一种发声器件，旨在实现发声器件的小型化，从而有利于提升音频设备的装配便利性。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的发声器件，包括：
[0005]导磁板；
[0006]第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一磁体形成有相对所述第一子华司设置的第一磁区和相对所述第二子华司设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；
[0007]第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，所述第二磁路结构的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；r/>[0008]高音振膜、高音音圈，所述高音音圈位于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置；以及
[0009]低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述低音磁间隙，且部分相对所述第一磁体设置。
[0010]可选地，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区。
[0011]可选地，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。
[0012]可选地，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体位于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧。
[0013]可选地，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或
所述第二磁区的充磁方向相反。
[0014]可选地，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对的第四磁区，所述第三磁区和所述第一磁区的充磁方向相反，所述第四磁区和所述第二磁区的充磁方向相反。
[0015]可选地，当所述辅助磁体形成有所述单磁区时，所述高音磁间隙的正投影位于所述辅助磁体的正投影的区域内。
[0016]可选地，当所述辅助磁体形成有所述双磁区时，所述辅助磁体设置为整体式结构，所述辅助磁体还形成有设于所述第三磁区和所述第四磁区之间的第二无磁区。
[0017]可选地，所述辅助磁体包括第一辅助磁体和环设于所述第一辅助磁体外的第二辅助磁体，所述第三磁区形成于所述第一辅助磁体，所述第四磁区形成于所述第二辅助磁体。
[0018]可选地，所述发声器件还包括盖体，所述盖体设于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧，所述盖体的中心位置设有出音孔；所述辅助磁体结合于所述盖体靠近所述高音振膜的一侧，所述辅助磁体设置有相对所述出音孔的连通孔。
[0019]可选地，所述连通孔的孔径大于或等于所述出音孔的孔径。
[0020]可选地，所述盖体的材质为导磁材质。
[0021]可选地，所述辅助磁体与所述第一磁体同轴设置。
[0022]可选地，所述辅助磁体位于所述高音振膜和所述低音振膜之间，所述辅助磁体靠近所述高音振膜的一侧设置有避让所述高音振膜的折环部的第一避让部。
[0023]可选地，所述辅助磁体靠近所述低音振膜的一侧设置有避让所述低音振膜的折环部的第二避让部。
[0024]可选地，所述第二子华司的远离所述导磁板的一侧设置有安装环凸，所述高音振膜的外周固定连接于所述安装环凸。
[0025]本专利技术还提出一种音频设备，包括前述的发声器件。
[0026]可选地，所述音频设备为耳机。
[0027]本专利技术技术方案中，第一磁路结构在形成高音磁间隙的同时，还与第二磁路结构构造形成低音磁间隙，有利于简化发声器件的磁路结构，起到减小发声器件的轴向尺寸的作用。低音音圈插设于低音磁间隙，且部分相对第一磁体设置，第一华司能够收容于低音音圈内侧，且第一磁体至少能部分收容于低音音圈内，有利于进一步减小发声器件的轴向尺寸。如此，能够实现发声器件的小型化，有利于提升音频设备的装配便利性。并且，高音振动系统和低音振动系统分别独立地设置，高音发声和低音发声互不干扰，有利于保障发声器件的声学性能。另外，高音磁间隙形成于第一子华司和第二子华司之间，在华司的导磁作用下，高音磁间隙的磁场的磁感线分布更加密集，有利于保障发声器件的高音性能。
附图说明
[0028]为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
[0029]图1为本专利技术发声器件一实施例的装配结构示意图；
[0030]图2为本专利技术发声器件一实施例的爆炸结构示意图；
[0031]图3为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0032]图4为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0033]图5为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0034]图6为本专利技术发声器件一实施例的剖视图；
[0035]图7为图3所示的结构在盖体导磁且不设置辅助磁体时时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0036]图8为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0037]图9为图3所示的结构在盖体不导磁且设置有辅助磁体时一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0038]图10为图3所示的结构在盖体导磁并设置有辅助磁体时另一实施例所对应的磁场仿真云图；
[0039]图11为图4所示的结构在盖体导磁时一实施例所对应的磁场仿真云图。
[0040]附图标号说明：
[0041]标号名称标号名称110导磁板400高音音圈120壳体500高音振膜101出音孔620低音振膜200第一磁路结构621避让孔210第一磁体620低音音圈211第一子磁体700盖体212第二子磁体702第三避让部220第一华司800辅助磁体221第一子华司801连通孔222第二子华司802第二避让部223安装环凸803第一避让部224限位环凸810第一辅助本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发声器件，其特征在于，包括：导磁板；第一磁路结构，包括相连接的第一磁体和第一华司，所述第一磁体设于所述导磁板，所述第一华司设于所述第一磁体的远离所述导磁板的一侧，所述第一华司包括第一子华司和间隔环设于所述第一子华司外的第二子华司，所述第一磁体形成有相对所述第一子华司设置的第一磁区和相对所述第二子华司设置的第二磁区，所述第一磁区的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一子华司和所述第二子华司之间形成有高音磁间隙；第二磁路结构，设于所述导磁板，并间隔环设于所述第一磁路结构外，所述第二磁路结构的充磁方向与所述第二磁区的充磁方向相反，以使所述第一磁路结构和所述第二磁路结构之间形成有低音磁间隙；高音振膜、高音音圈，所述高音音圈位于所述高音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并对应所述高音磁间隙设置；以及低音振膜、低音音圈，所述低音音圈设于所述低音振膜的靠近所述导磁板的一侧，并插设于所述低音磁间隙，且部分相对所述第一磁体设置。2.如权利要求1所述的发声器件，其特征在于，所述第一磁体为整体式结构，所述第一磁体还形成有设于所述第一磁区和所述第二磁区之间的第一无磁区；或，所述第一磁体包括分体设置的第一子磁体和第二子磁体，所述第二子磁体环设于所述第一子磁体外，所述第一磁区形成于所述第一子磁体，所述第二磁区形成于所述第二子磁体。3.如权利要求2所述的发声器件，其特征在于，所述发声器件还包括辅助磁体，所述辅助磁体位于所述高音振膜远离所述导磁板的一侧。4.如权利要求3所述的发声器件，其特征在于，所述辅助磁体形成有单磁区，所述单磁区的充磁方向与所述第一磁区或所述第二磁区的充磁方向相反；或，所述辅助磁体形成有双磁区，所述双磁区包括与所述第一磁区相对的第三磁区和与所述第二磁区相对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王苗苗，郭晓冬，张成飞，刘春发，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：