OLED器件和制作方法技术

本公开实施例提供一种OLED器件和制作方法。所述OLED器件包括：阳极；空穴传输层；发光层；电子传输层，所述电子传输层包括：第一电子传输体和第二电子传输体，其中，所述第一电子传输体具有螺环结构，所述第二电子传输体具有由二恶英类结构和苯并杂环结构稠合形成的连续π共轭体系，所述第一电子传输体的电子迁移率小于所述第二电子传输体的电子迁移率，所述第二电子传输体的电子迁移率为10

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

【专利技术属性】
技术研发人员：高荣荣，刘兴华，张东旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：