像素驱动电路、阵列基板及显示面板制造技术

本公开提供一种像素驱动电路、阵列基板及显示面板，属于显示技术领域，其提高了驱动显示面板的整体良率。本公开的像素驱动电路包括开关晶体管和N个冗余开关晶体管，开关晶体管和N个冗余开关晶体管为串联连接，第N个冗余开关晶体管的第二极与开关晶体管的第一极连接，开关晶体管的第二极与显示电极连接。开关晶体管的第二极与显示电极连接。开关晶体管的第二极与显示电极连接。

【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路、阵列基板及显示面板


[0001]本公开属于显示
，具体涉及一种像素驱动电路、阵列基板及显示面板。

技术介绍

[0002]半导体性单壁碳纳米管s
‑
SWCNT材料与现有显示面板TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)器件的沟道材料相比，具有高迁移率、易于实现柔性等特点，受到学术界和产业界的持续关注。
[0003]但是，现有工艺很难得到纯度为100％的半导体性单壁碳纳米管s
‑
SWCNT材料溶液，在形成的半导体性单壁碳纳米管溶液中通常含有微量的金属性单壁碳纳米管m
‑
SWCNT材料。因此，在利用半导体性单壁碳纳米管s
‑
SWCNT材料形成TFT沟道的过程中，部分TFT器件沟道中会存在金属性单壁碳纳米管m
‑
SWCNT材料。在显示面板工作时，当TFT器件的沟道中若含有金属性单壁碳纳米管m
‑
SWCNT材料，TFT器件的源极和漏极将会被连通，即可导致TFT器件性能异常，进而使显示面板出现不良本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路，其特征在于，包括开关晶体管和N个冗余开关晶体管，N为正数，且N≥1；所述开关晶体管的控制极和各所述冗余开关晶体管的控制极连接栅线；当N＝1时，所述冗余开关晶体管的第一极与数据线连接，所述冗余开关晶体管的第二极与所述开关晶体管的第一极连接，所述开关晶体管的第二极与显示电极连接；N＝2时，第1个所述冗余开关晶体管的第一极连接数据线，第2个所述冗余开关晶体管的第一极连接第1个所述冗余开关晶体管的第二极，第2个所述冗余开关晶体管的第二极与所述开关晶体管的第一极连接，所述开关晶体管的第二极与所述显示电极连接；当N＞2时，第1个所述冗余开关晶体管的第一极连接数据线，第M+1个所述冗余开关晶体管的第一极连接第M个所述冗余开关晶体管的第二极，第M+1个所述冗余开关晶体管的第二极连接第M+2个所述冗余开关晶体管的第一极；第N个所述冗余开关晶体管的第二极与所述开关晶体管的第一极连接，所述开关晶体管的第二极与所述显示电极连接；M为正数，且1≤M＜N
‑
2。2.根据权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管的有源层包括碳纳米管。3.根据权利要求2所述的像素驱动电路，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。4.根据权利要求1
‑
3中任一项所述的像素驱动电路，其特征在于，所述开关晶体管和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：何盛一，王帅，周正，贾凡，周莉，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：